Мета роботи - глибоке освоєння студентами розділу курсу "Фізика напівпровідників та діелектриків"-контакті явища в напівпровідниках. Цей розділ має безпосереднє відношення до цілого класу найпоширеніших сучасних приладів - діодів, тріодів, тиристорів, цілого ряду інтегральних схем та ін. Практичні навики які набувають студенти в процесі виконання даної курсової роботи необхідні при інженерному проекгуванню та створенню згаданих приладів та при задані технологічних режимів їх отримання. В результаті виконання роботи студенти повинні знати: фізику процесів, які відбуваються при незміщеному, та зміщеному р-n-персході, рівняння, які описують ці процеси; вміти: на основі відомих рівнянь, які описують процеси на р-n-переході, розрахувати основні параметри діодної структури з застосуванням персональних комп'ютерів. 1. Вольт-амперна характеристика р-n-переходу. Зв'язок струмом та зовнішньою напругою, яка прикладена до р-n-переходу визначає його випрямляючі властивості. В даній роботі для простоти розрахунків ми будемо користуватись так званою моделлю такого р-n-переходу - товщина якого настільки мала, що можна знехтувати процесами рекомбінації та генерації носіїв заряду в області об'ємного заряду р-n-переходу1. Із загальних рівнянь курсу  EMBED Equation.3 
 ,  EMBED Equation.3 
 , запишемо концентрацію електронів n р гр. на границі запірного шару в р-області та концентрацію дірок рn гр. на границі запірного шару в n-області. Одержимо  EMBED Equation.3 
, (1)  EMBED Equation.3 
, (2) Звернемо увагу на те, що в ці формули входять значення Еip та Еin які відповідають границям. ______________________________________________________________ 1 Тим самим ми обмежуємось по частоті - розглядаємо процеси, що відбуваються при низьких частотах і не торкаємось області НВЧ. Крім того, для неосновних носіїв заряду далеко від р-n-переходу  EMBED Equation.3 
, (3)  EMBED Equation.3 
 , (4) Тут ми зробили заміну квазірівнів в порівнянні з формулами (1) і (2), так як далеко від р-n-переходу в дірковій області ЕFp = ЕFn, а в електронній області ЕFn= ЕFp. По (1) та (3) маємо  EMBED Equation.3 
 (5) Згідно (2) та (4) одержимо  EMBED Equation.3 
 (6) При ввімкнені прямої напруги ЕFn – ЕFp>0, отже np гр. >np0 i pn гр >pn0 Надлишкова концентрація неосновних носіїв заряду на границях  EMBED Equation.3 
 , (7)  EMBED Equation.3 
 , (8) Ця надлишкова концентрація виникає внаслідок інжекції носіїв заряду через р-n-перехід. Оскільки електричне поле за межами р-n-переходу покладаємо рівним нулю, ми маємо лише дифузію та рекомбінацію носіїв заряду, які інжектуються мммммм через р-n-перехід. Глибина проникнення інжектованих носіїв заряду визначається лише рекомбінацією. В цьому випадку надлишкова концентрація неосновних носіїв заряду (рис 1)  EMBED Equation.3 
 , (9)  EMBED Equation.3 
, (10)  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
 р n p n np pn np pn ...