Міністерство освіти і науки України Національний університет «Львівська політехніка» Кафедра КСА / ЗВІТ Про виконання лабораторної роботи № 5 Зняття характеристика і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільною базою  Мета роботи: зняття вхідної і вихідної характеристик транзистора в схемі з спільною базою і визначення його h-параметрів за статичними характеристиками. Електричні параметри деяких типів транзисторів Тип транзистора Максимально допустимий постійний Струм колектора Ік макс, мА Максимально допустима напруга між колектором і емітером Uке макс, В Максимально допустима напруга між колектором і базою Uкб. макс, В Максимально допустима зворотна напруга між емітером і базою Uеб. макс зв, В Максимально допустима потужність, яка розсіюється на колекторі Рк макс, Вт  П27 6 5 5 5 30  КТ203А 10 60 60 30 150  ГТ109А 20 6 10 5 30  МП41 20 15 15 15 150  КТ361А 50 25 25 4 150  КТ3107А 100 25 30 5 300  КТ503А 150 25 40 5 350   Схему для зняття характеристик кремнієвого стабілітрона Короткий опис параметрів елементів схеми У схемі є два джерела живлення, що дозволяє незалежно змінювати напругу на емітерному і колекторному переходах. При дослідженні малопотужних транзисторів джерелом е.р.с. E1 може служити сухий елемент чи акумулятор, що дає напругу порядку декількох вольт, а джерелом е.р.с. E2 – батарея чи випрямляч на (20(30) В. Потенціометри R1 і R(1— низькоомний з опором у декілька десятків Ом. Послідовне ввімкнення цих потенціометрів дозволяє плавно змінювати напругу на ділянці емітер-база. Потенціометр R2 — високоомний (одиниці кілоом). Вимірювальні прилади у вхідному і вихідному колах транзистора повинні бути розраховані нa вимірювання постійних струмів і напруг. Доцільно застосовувати прилади магнітоелектричної системи, не забуваючи, що при під’єднанні їх у схему необхідно дотримуватися відповідної полярності. Межі вимірювальних приладів повинні бути зручними для зняття вхідних і вихідних характеристик і залежати від значень струмів і напруг у колах досліджуваного транзистора. Зняття вхідних статичних характеристик транзистора Іе=f ( Uеб ) при Uкб=сonst Кремнієвий транзистор КТ502 Uкб=0, В U(кб=2, В  Uбе, В Іе, мА Uбе, В Іе, мА        Германієвий транзистор Uкб=0, В U(кб=2, В  Uбе, В Іе, мА Uбе, В Іе, мА        Зняття вихідних статичних характеристик транзистора Ік= f ( Uкб ) при Іе=сonst Кремнієвий транзистор КТ502 Іе=2, мА І(е=4, мА І((е=6, мА І(((е=8, мА  Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА           Германієвий транзистор Іе=1, мА І(е=2, мА І((е=3, мА І(((е=4, мА  Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА Uкб , В Ік , мА            / Рис. 2. Вхідна характеристика кремнієвого транзистора Визначення hб-параметрів за вхідними характеристиками транзистора ℎ 11б = ∆