Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Розрахунок типових вузлів електронних схем
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Комп'ютеризовані системи автоматики
Інформація про роботу
Рік:
2007
Тип роботи:
Розрахункова робота
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Група:
КС-33
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
Національний університет „Львівська політехніка”
Кафедра „Комп’ютеризовані системи автоматики”
Розрахункова робота
з навчальної дисципліни „Електроніка та мікросхемотехніка”
на тему: „Розрахунок типових вузлів електронних схем”
Варіант : 1, 4, 52
Львів-2007
Завдання до розрахункової роботи
Для заданої схеми підсилювального каскаду вибрати тип транзистора і побудувати динамічні характеристики для постійного і змінного струмів. Вибрати положення робочої точки в режимі спокою і здійснити розрахунок каскаду за постійним струмом.
Розрахувати значення всіх елементів схеми і вибрати їх номінальні значення і типи згідно з ДЕСТ-ом. Розрахувати основні параметри схеми (вхідний і вихідний опори, коефіцієнти підсилення за напругою і за струмом). Розрахувати значення коефіцієнтів частотних спотворень на низьких і високих частотах.
Номер варіанту:
№
вар.
PН
(Вт)
RН
(кОм)
Uвих.m
(В)
МН
(дб)
fН
(Гц)
fВ
(кГц)
RГ
(кОм)
TОС
(оС)
52
-
4
5
3
20
200
0,002
0 ( + 55
Схема транзисторного каскаду в схемі з спільною базою
Динамічні навантажувальні характеристики каскаду
для постійного ( dc ) і змінного ( ab ) струмів кремнієвого
транзистора КТ-503А
Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні
Приймаємо струм колектора транзистора в режимі спокою
Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора
Задаємося мінімальним значенням напруги між колектором і емітером транзистора
де – напруга насичення транзистора при максимальному значенні струму колектора транзистора . Для малопотужних транзисторів переважно
Приймаємо спад напруги на резисторі .Для каскадів попереднього підсилення
Спад напруги на опорі колекторного резистора повинен задовольняти вимогу
Враховуючи вирази для і можемо отримати остаточний вирах для визначення напруги колекторного живлення
Приймаємо значення напруги живлення з нормалізованого ряду: ,100В.
Приймаємо значення напруги живлення
Записуємо вираз для напруги колекторного живлення
При виборі типу транзистора повинні виконуватися наступні вимоги:
Виходячи з умов забезпечення необхідного режиму за постійним струмом розраховуємо значення опорів резисторів у колі емітера і колектора
Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою
(для КТ-503 : )
Задаємося струмом базового подільника напруги –
Розраховуємо значення опорів резисторів базового подільника напруги
Вибираєм
Вибираєм
де – некерований струм колекторного переходу транзистора при мінімальній температурі оточуючого середовища Тmin
Еквівалентний опір базового подільника напруги
Визначаємо вхідний опір каскаду для змінного струму
Вибираєм
– об’ємний опір бази транзистора ().
Еквівалентний опір навантаження каскаду для змінного струму
Вибираєм
Розраховуємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою
де – коефіцієнт підсилення транзистора для схеми з спільною базою
Коефіцієнт підсилення каскаду за струмом
Розподіляємо частотні спотворення на низьких частотах між усіма конденсаторами , переводимо частотні спотворення на низьких частотах у відносні одиниці і розраховуємо значення ємностей конденсаторів
Приймаємо значення ємностей конденсаторів
Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності
Розраховуємо значення приросту некерованого струму колектора при зміні температури в заданому діапазоні .
Для кремнієвих транзисторів
де – значення некерованого струму колектора транзистора при відомій температурі Т0 (переважно ця температура складає 20о С або 25оС).
Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні
де – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 (мВ / oC).
Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на
де – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC).
Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації
Реальний приріст колекторного струму в режимі спокою при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів для заданої схеми термостабілізації
Цей приріст струму перевищує допустимого значення, що дозволяє забезпечити необхідний діапазон вихідної напруги і струму каскаду на навантажені при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні.
Висновок
Виконуючи дану розрахункову роботу я для заданої схеми підсилювального каскаду вибрав тип транзистора (в данному випадку це кремнієвий транзистор КТ-503) і побудував динамічні характеристики для постійного і змінного струмів; вибрав положення робочої точки в режимі спокою і здійснив розрахунок каскаду за постійним струмом (розрахував основні параметри схеми (вхідний і вихідний опори, коефіцієнти підсилення за напругою і за струмом) і вибрав їх номінальні значення і типи згідно з ДЕСТ-ом, а також значення коефіцієнтів частотних спотворень на низьких і високих частотах.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора