Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
DevioLab
CRYPTO TRADING AUTOMATION
LIVE
AUTOMATED CRYPTO TRADING • BINANCE
Автоматизуйте свій
криптопортфель
Торгові боти DevioLab аналізують крипторинок,
автоматично відкривають і закривають позиції
та керують вашим портфелем на Binance 24/7.
CRYPTO
80 Bots
BINANCE
Spot Trading
TRADING
24 / 7
deviolab.com
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2015
Тип роботи:
Звіт
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Група:
МЕ
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ
Звіт до лабораторної роботи № 5
з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка”
Львів – 2009
Мета роботи:
Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити hb-параметри транзистора.
Порядок виконання роботи:
Синтезувати схему, рис.1., за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерелела постійної напруги Е1=10В і Е2=1В, транзистора n-p-n типу 2Т315А .
Зняти вхідну ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const.
Розрахувати hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою.
1. Схеми.
Синтезована схема зображена на рис. 1.
Рисунок 1 – Схема включення транзистора зі спільною базою.
2. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу 2Т315А.
Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const
Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const
3. Розрахунок hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою.
Вхідний опір транзистора при
Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при
Коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при
Вихідна провідність транзистора в схемі з спільною базою при
Висновок: в даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, змодельовані вхідні та вихідні статичні характеристики,
визначено h-параметри транзистора у схемі зі спільною базою.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора