Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2009
Тип роботи:
Звіт
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Група:
МЕ
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ
ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА
Звіт до лабораторної роботи № 6
з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка”
Львів – 2009
Мета роботи:
Ознайомитися з особливостями роботи польового транзистора, промоделювати стокові та стоково-затворні характеристики, визначити параметри польового транзистора.
Порядок виконання роботи:
Синтезувати схему, рис.1.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=20В і Е2=4В. Зняти вхідну ВАХ IС=f(UЗВ) якщо UСВ=const, вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора J1- 2N3972.
Визначити вихідний диференціальний опір, напругу відсікання та крутизну характеристики транзистора включеного у схему рис.1.а).
Синтезувати схему, рис.1.б,), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=15В і Е2=5В. Зняти вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора M1- IRF024.
Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів.
а) б)
Рисунок 4 - Схеми дослідження різних видів польових транзисторів:
а) включення транзистора з керувальним р-n–переходом і каналом n-типу зі спільним витоком,
б) включення транзистора з ізольованим затвором та індукованим каналом п-типу зі спільним витоком.
1. Дослідження характеристик транзистора 2N3972.
Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IС=f(UЗВ), якщо UСВ=const
Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IС=f(UСВ), якщо UЗВ =const
2. Розрахунок параметрів транзистора 2N3972.
Диференціальний опір:
Крутизна характеристики:
Напруга відсіку:
3. Дослідження характеристик транзистора IRF024.
Рисунок 4 - Вихідна ВАХ IС=f(UСВ), якщо UЗВ =const
4. Порівняння вихідних характеристик для різних типів транзисторів.
Висновок:
Як бачимо вихідні характеристики даних транзисторів на перший погляд однакові, спочатку струм стоку стрімко та майже лінійно збільшується, потім, при досягненні певної напруги стік-витік струм залишається майже сталим до досягнення такого значення при якому настає пробій. Різниця полягає у тому, що для польового транзистора з керувальним p-n переходом при зменшенні напруги затвор-стік буде збільшуватися струм стоку, а в польовому транзисторі з індукованим каналом струм стоку буде збільшуватися при збільшенні даної напруги.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора