Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Визначення ширини забороненої зони напівпровідників
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2004
Тип роботи:
Звіт
Предмет:
Фізика
Група:
КС-21
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
Національний університет „Львівська політехніка”
Кафедра фізики
Звіт
До лабораторної роботи №30
Визначення ширини забороненої зони напівпровідників
Львів 2004
Мета роботи
Визначити ширину забороненої зони напівпровідників за температурного ходу провідності.
Теоретичні відомості
Кристалічні речовини характеризуються різною величиною питомої провідності. Для всіх металів опір із ростом температури зростає по лінійному закону:
Для напівпровідників з ростом температури опір зменшується. Залежність опору напівпровідника від його абсолютної температури:
Провідність напівпровідників істотно залежить від складу, структури кристалу і зовнішніх умов. В залежності від складу і структури у напівпровідниках існують власна і домішкова провідності.
Власним називається напівпровідник, який не містить домішок та інших порушень періодичного поля кристалічної решітки. Вирази для концентрації електронів у зоні провідності тьа дірок у валентній зоні у випадку власного напівпровідника записується у вигляді:
Провідність металів записується формулою:
У власному напівпровіднику провідність обумовлена як електронами в зоні провідності, так і дірками у валентній зоні:
Залежність напівпровідника від температури:
Остаточний вираз для знаходження ширини забороненої зони:
Досліджуваний зразок має форму паралелепіпеда довжиною 3мм
та площею поперечного перерізу 0,1мм2.
Хід роботи
1. виміряти опір зразка при кімнатній температурі.
2. встановити ручку, що регулює вихідну напругу автотрансформатора в положення „1”. Включити в мережу змінного струму автотрансформатор.
3.при досягненні температури зразка, що відповідає ЕРС 0,4 мВ
знову провести вимірювання опору зразку.
4. перенести ручку регулювання напруги автотрансформатора в положення „2” і виміряти опір зразка при температурі що відповідає значенню термо ЕРС 0.8мВ. Теж зробити при положенні „3”.
5. аналогічні вимірювання опору провести до температури при якій термо ЕРС рівна 7.6мВ при положенні ручки автотрансформатора „8”.
6. вивести ручку регулювання автотрансформатора в положення „0”. Відключити шнур живлення від мережі змінного струму.
7. за формулою обчислити провідність зразка.
8. за результатами роботи побудувати графік залежності
9. за формулою визначити
Експериментальна частина
Таблиця результатів вимірювань і обчислень
mV
R,om
t,0C
T,0K
1/T*10-3
0
690
20
293
3.40
43.47
3.77
0.5
655
28
301
3.32
45.80
3.82
1
629
34
307
3.25
47.70
3.86
1.5
603
40
313
3.19
49.75
3.90
2
577
48
321
3.11
51.99
3.95
2.5
550
54
327
3.05
54.54
3.99
3
523
64
337
2.96
57.36
4.04
3.5
500
69
342
2.92
60.00
4.09
4
400
75
348
2.87
75.00
4.31
Графік залежності
Висновок
На цій лабораторній роботі я навчився перевіряти ширину забороненої зони напівпровідників за температурним ходом провідності.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора