Біполярні транзистори. Лабораторна робота з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 120829

Перехід до торгівельного партнера Binance

Біполярні транзистори

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2015

Тип роботи:

Лабораторна робота

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Група:

МЕ

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний Університет “Львівська політехніка” ІКТА Кафедра ЗІ Лабораторна робота № 3 з курсу "Електроніка та мікросхемотехніка" на тему "Біполярні транзистори" Львів − 2008 Мета роботи: дослідити принцип роботи біполярних транзисторів, зняти й провести аналіз вхідних і вихідних характеристик біполярного транзистора, включеного в схемі із спільним емітером, і в схемі із спільною базою, з побудованих характеристик досліджених схем визначити h-параметри транзистора. Короткі теоретичні відомості Біполярні транзистори – це напівпровідникові прилади, які призначені для посилення і генерування електричних коливань, і мають трипрошаркову p-n-p або n-p-n структуру. Біполярні транзистори мають 2 електронно-діркові переходи. Транзистор складається з таких частин. Як база, емітер і колектор. Перенесення струму в біполярних транзисторах здійснюється носіями заряду двох типів: електронами і дірками. Існують 3 схеми ввімкнення транзистора: зі спільною базою, зі спільним емітером, зі спільним колектором. Транзистор працює в таких режимах: активному, насичення та відсічки. Фізичний зміст h- параметрів транзистора полягає в наступному: h11E – вхідний опір транзистора у режимі короткого замикання на виході; h12E – коефіцієнт внутрішнього зворотного зв’язку по напрузі транзистора в режимі холостого ходу на вході; h21E – коефіцієнт передачі (підсилення) струму транзистора в режимі короткого замикання на виході; h22E – вихідна провідність біполярного транзистора в режимі холостого ходу на виході. Порядок виконання роботи 1.Змоделювати в електронному середовищі WorkBench схему для дослідження біполярного транзистора зі спільною базою. 1.1. Змінюючи струм емітера, і напругу прикладену до колектор-база, виміряти напругу на емітер-база. 1.2. Змінюючи напругу на колектор-база, і струм емітера, виміряти струм колектора. 1.3. Побудувати сімейство вхідних і вихідних вольт-амперних характеристик біполярного транзистора. 2. Змоделювати в електронному середовищі WorkBench схему для дослідження біполярного транзистора зі спільним емітером 2.1. Змінюючи напругу на колектор-емітер, і струм бази, виміряти струм колектора. 2.2. Змінюючи струм бази, і напругу прикладену до колектор-емітер, виміряти напругу на база-емітер. 2.3. . Побудувати сімейство вхідних і вихідних вольт-амперних характеристик біполярного транзистора. 3. Із відповідних ВАХ транзистора визначити його h-параметри. Дослідження біполярного транзистора в схемі із спільною базою Сімейство вхідних характеристик Сімейство вихідних характеристик Дослідження біполярного транзистора в схемі із спільним емітером Сімейство вихідних характеристик Сімейство вхідних характеристик Схема Параметри H11 H12 H21 H22 Зі спільним емітером Зі спільною базою

Лабораторна робота Електроніка та мікросхемотехніка

2015

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись