МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ Звіт до лабораторної роботи № 4 з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка” МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора. ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ Синтезувати схему, рис.7.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти вхідну ВАХ IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKЕ) якщо IБ=const. Для транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613. Визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опір транзистора включеного у схему зі спільним емітером рис.7.а). Синтезувати схему, рис.7.б), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ IK(Q1)+IК(Q2)=f(E1) якщо IБ1=const для транзисторів n-p-n типу Q1,2- 2N1613. Синтезувати схему, рис.7.в), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ -I(Е1)=f(E1) якщо IБ1=const для транзисторів n-p-n типу Q1- 2N1613 і p-n-p типу Q2-2N1132. Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів. Порівняти вихідні струми транзисторів. а) б) в) Рисунок 1 - Схеми дослідження різних видів транзисторів: а) включення зі спільним емітером б) складений транзистор в) комплементарний транзистор. 1. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613. Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const Рисунок 2 - Вихідна ВАХ IK=f(UKЕ) якщо IБ=const 2. Визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опіру

3. Вихідна ВАХ складеного транзистора. Рисунок 3 - Вихідна ВАХ складеного транзистора
4. Вихідна ВАХ комплементарного транзистора. Рисунок 4 - Вихідна ВАХ комплементарного транзистора
5. Порівняння вихідних характеристик для різних типів транзисторів. Та їх вихідних струмів. Можна побачити, що при однаковому вхідному струмові дані схеми по різному підсилюють його і відповідно вони матимуть різні вихідні струми на виході при подаванні на їх вхід одного й того ж вхідного. Як видно схема зі складеним транзистором має кофіціент підсилення за струмом понад 12 разів більший за схему з простим транзистором, а схема з комплементарним транзистором майже у 19 разів. Також видно у схемі з простим транзистором напруга, що призводить до різкого зростання струму колектора дуже невелика і практично однакова при різних струмах бази, у схемі зі складеним транзистором дана напруга збільшується, але є теж близькою при різних струмах бази, у комплементарного транзистора вона збільшується і є різною при різних струмах бази. Висновок: на даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювано вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, а також проведено порівняння характеристик різних транзисторів.