DevioLabавтоматичне керування капіталом
ПРАЦЮЄ 24/7
КРИПТОВАЛЮТИ · АКЦІЇ · 10 БІРЖ

Портфель, який керується автоматично

DevioLab підбирає стратегії, відстежує ринки та автоматизує купівлю і продаж активів. Кількість доступних криптовалют, акцій і торгових можливостей зростає щодня.

10підключених біржCrypto + Stocksв одному портфелі24/7автоматичний контроль

Тестові завдання з дисципліни Елементи дискретних пристроїв автоматики

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології
Факультет:
Факультет комп’ютерних інформаційних технологій
Кафедра:
Кафедра автоматики

Інформація про роботу

Рік:
2015
Тип роботи:
Тестові завдання
Предмет:
Елементи дискретних пристроїв автоматики
Група:
К
Коротко про документ

Про що ця робота

Документ містить тестові завдання та задачі з дисципліни Елементи дискретних пристроїв автоматики. Завдання охоплюють три рівні складності для перевірки знань студентів.

У роботі розглядаються

  • Транзисторні ключі
  • Логічні функції
  • Карти Карно
  • Дешифратори
  • Тригери
  • Мультиплексори
  • Дискретні пристрої

Зміст і розділи

  1. Рівень 1
  2. Рівень 2
  3. Рівень 3
Для кого:Студенти технічних спеціальностей вищих навчальних закладів
Викладачі:Проць Р.В.

Ключові поняття

транзисторний ключлогічна функціякарта Карноколекторний струмбазовий струм

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Елементи дискретних пристроїв автоматики ([ім’я автора приховано]) Рівень 1 Як залежить степінь насичення транзисторного ключа з спільним емітером від збільшення опору колекторного резисторa Rk ? а) збільшується; б) зменшується; в) не змінюється. Як змінюється коефіцієнт насичення транзисторного ключа зі спільним емітером при зменшенні струму бази транзистора? а) зростає; б) не змінюється; в) зменшується. Чи зростає колекторний струм транзисторного ключа з спільним емітером після досягнення базовим струмом значення струму бази насичення I(н? а) зростає; б) не змінюється; в) зменшується. Як впливає зменшення сталої часу укорочуючого RC- кола на тривалість імпульсів на його виході? а) тривалість збільшується; б) тривалість зменшується; в) тривалість не змінюється. Порівняйте між собою часу сталі часу транзистора (( і ((. а) (( = ((; б) (( > ((; в) (( < ((. Яка загальна кількість різних логічних функцій однієї змінної? а) 2; б) 4; в) 1. Яка загальна кількість різних логічних функцій двох змінних? а) 4; б) 8; в) 16. Які з наведених логічних функцій трьох змінних мають досконалу диз'юнктивну нормальну форму? а) ; б) ; в) . Яка з наведених логічних функцій трьох змінних має досконалу кон’юктивну нормальну форму? а) ; б) ; в) . Cкільки клітинок повинно бути в карті Карно для п'яти змінних? а) 16; б) 64; в) 32. Скільки виходів має повний дешифратор з чотирма входами? а) 16; б) 8; в) 14. Яка мінімальна кількість тригерів потрібна для побудови лічильника з модулем лічби 7? а) 2; б) 4; в) 3. Яка мінімальна кількість тригерів потрібна для побудови однієї декади двійково-десяткового лічильника? а) 4; б) 3; в) 5. Скільки адресних входів має мультиплексор, що має 4 входи даних? а) 4; б) 2; в) 16. Скільки виходів має повний шифратор з чотирма входами? а) 4; б) 2; в) 16. Рівень 2 За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а) ; б) ; в) . За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а) ; б) ; в) . За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а) ; б) ; в) . За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а) ; б) ; в) . За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а) ; б) ; в) . За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а) ; б) ; в) . За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а); б) ; в) . За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а) ; б) ; в) . За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію  а) ; б) ; в) . Рівень 3 В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,01 мА до значення Іб2=0,5 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=50, ((=0,2 мкс. Параметри схеми: Ек= 6 В, Rк=2 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,02 мА до значення Іб2=0,6 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=40, ((=0,1 мкс. Параметри схеми: Ек= 6 В, Rк=0,5 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0 мА до значення Іб2=0,15 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=40, ((=0,5 мкс. Параметри схеми: Ек= 8 В, Rк=1 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,01 мА до значення Іб2=0,1 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=150, ((=0,5 мкс. Параметри схеми: Ек= 10 В, Rк=2 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0 мА до значення Іб2=1 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=20, ((=0,4 мкс. Параметри схеми: Ек= 6 В, Rк=1,2 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати. В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,01 мА до значення Іб2=0,24 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=50, ((=0,2 мкс. Параметри схеми: Ек= 12 В, Rк=0,8 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати.
Допоможи студентському архіву

Ми допомогли тобі — допоможи наступному студенту

Файл ще не обрано

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!