Елементи дискретних пристроїв автоматики (Проць Р.В.)
Рівень 1
Як залежить степінь насичення транзисторного ключа з спільним емітером від збільшення опору колекторного резисторa Rk ?
а) збільшується;
б) зменшується; в) не змінюється.
Як змінюється коефіцієнт насичення транзисторного ключа зі спільним емітером при зменшенні струму бази транзистора?
а) зростає;
б) не змінюється; в) зменшується.
Чи зростає колекторний струм транзисторного ключа з спільним емітером після досягнення базовим струмом значення струму бази насичення I(н?
а) зростає;
б) не змінюється; в) зменшується.
Як впливає зменшення сталої часу укорочуючого RC- кола на тривалість імпульсів на його виході?
а) тривалість збільшується;
б) тривалість зменшується; в) тривалість не змінюється.
Порівняйте між собою часу сталі часу транзистора (( і ((.
а) (( = ((;
б) (( > ((; в) (( < ((.
Яка загальна кількість різних логічних функцій однієї змінної?
а) 2; б) 4; в) 1.
Яка загальна кількість різних логічних функцій двох змінних?
а) 4; б) 8; в) 16.
Які з наведених логічних функцій трьох змінних мають досконалу диз'юнктивну нормальну форму?
а) ;
б) ;
в) .
Яка з наведених логічних функцій трьох змінних має досконалу кон’юктивну нормальну форму?
а) ;
б) ;
в) .
Cкільки клітинок повинно бути в карті Карно для п'яти змінних?
а) 16; б) 64; в) 32.
Скільки виходів має повний дешифратор з чотирма входами?
а) 16; б) 8; в) 14.
Яка мінімальна кількість тригерів потрібна для побудови лічильника з модулем лічби 7?
а) 2; б) 4; в) 3.
Яка мінімальна кількість тригерів потрібна для побудови однієї декади двійково-десяткового лічильника?
а) 4; б) 3; в) 5.
Скільки адресних входів має мультиплексор, що має 4 входи даних?
а) 4; б) 2; в) 16.
Скільки виходів має повний шифратор з чотирма входами?
а) 4; б) 2; в) 16.
Рівень 2
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а) ;
б) ;
в) .
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а) ;
б) ;
в) .
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а) ;
б) ;
в) .
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а) ;
б) ;
в) .
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а) ;
б) ;
в) .
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а) ;
б) ;
в) .
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а);
б) ;
в) .
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а) ;
б) ;
в) .
За допомогою карти Карно мінімізувати логічну функцію
а) ;
б) ;
в) .
Рівень 3
В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,01 мА до значення Іб2=0,5 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=50, ((=0,2 мкс. Параметри схеми: Ек= 6 В, Rк=2 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати.
В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,02 мА до значення Іб2=0,6 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=40, ((=0,1 мкс. Параметри схеми: Ек= 6 В, Rк=0,5 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати.
В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0 мА до значення Іб2=0,15 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=40, ((=0,5 мкс. Параметри схеми: Ек= 8 В, Rк=1 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати.
В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,01 мА до значення Іб2=0,1 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=150, ((=0,5 мкс. Параметри схеми: Ек= 10 В, Rк=2 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати.
В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0 мА до значення Іб2=1 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=20, ((=0,4 мкс. Параметри схеми: Ек= 6 В, Rк=1,2 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати.
В ключовій схемі на біполярному транзисторі із спільним емітером струм бази стрибком змінюється від значення Іб1=0,01 мА до значення Іб2=0,24 мА. Необхідно визначити тривалість фронту наростання колекторного струму tф. Параметри транзистора: (=50, ((=0,2 мкс. Параметри схеми: Ек= 12 В, Rк=0,8 кОм. Впливом Ік0 можна знехтувати.