Дослідження каскаду попереднього підсилення на транзисторі. Лабораторна робота з Електроніка. Робота № 200226

Перехід до торгівельного партнера Binance

Дослідження каскаду попереднього підсилення на транзисторі

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2007

Тип роботи:

Лабораторна робота

Предмет:

Електроніка

Група:

КС

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА" Звіт про виконання лабораторної роботи №13 на тему: «Дослідження каскаду попереднього підсилення на транзисторі» Виконав: Ст. гр. КС-3 Львів 2007 Мета роботи: вивчення роботи схеми і визначення основних технічних параметрів каскаду попереднього підсилювача низької частоти на транзисторі в схемі з спільним емітером. СХЕМА ДОСЛІДЖЕННЯ, НЕОБХІДНІ ПРИЛАДИ І ДЕТАЛІ Для дослідження каскаду попереднього посилення на транзисторі використовується схема, приведена на рис.1. У схемі використовується звуковий генератор типу ГЗ-33, цифровий вольтметр типу В7-16А і осцилограф С1-67. Дані інших елементів схеми наведені в табл. 1. Напруга джерела живлення Ек = (10-15) В (як джерело живлення схеми можна використовувати також батарею чи акумулятор). EMBED Visio.Drawing.6 Рис.1. Схема дослідження транзисторного підсилювача низької частоти Таблиця 1 Специфікація до електричної схеми дослідження каскаду попереднього підсилення на транзисторі ВИКОНАННЯ РОБОТИ ПЛАН РОБОТИ 1. Складання і випробовування схеми. 2. Зняття амплітудної характеристики підсилювача EMBED Equation.3 . 3. Зняття частотної характеристики EMBED Equation.3 . 4. Побудова графіків амплітудної і частотної характеристик. 5. Визначення впливу значень елементів схеми та технічні параметри підсилювача. СКЛАДАННЯ І ВИПРОБУВАННЯ СХЕМИ Схему дослідження попереднього каскаду транзисторного підсилювача складають у відповідності до рис.1. Перевіряють складену схему, приступають до її випробування. За допомогою перемикачів SA1-SA4 в схему вмикають елементи Rн, R1, Се, Ср2. Потім на вхід підсилювача подають напругу Uвх від звукового генератора. При цьому треба бути обережним, тому що при занадто великому рівні сигналу транзистор може вийти з ладу. Необхідно переконатися (за допомогою вихідного вольтметра чи осцилографа) у наявності підсиленої напруги на виході схеми. При зміні значення вхідного сигналу і його частоти вихідна напруга повинна змінюватися в межах, достатніх для зняття амплітудної і частотної характеристик. Під’єднуючи в схему додаткові елементи, треба впевнитись в їхньому впливі на значення вихідної напруги. Якщо цей вплив незначний, варто змінити значення EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 , Ср2. ЗНЯТТЯ АМПЛІТУДНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ Частоту звукового генератора встановлюють незмінно. (fг=1000 Гц). Змінюючи значення вхідного сигналу від 0 до 50 мВ, вимірюють напругу на виході схеми. За допомогою осцилографа визначають те значення вхідної напруги, при якому починають з'являтися нелінійні спотворення. Спостереження повторюють при ввімкненні в схему резисторів EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 , а також резистора R1. Результати вимірювань заносять у табл.2. Таблиця 2 EMBED Equation.3 3. ЗНЯТТЯ ЧАСТОТНОЇ ХАРАКТЕРИСТИКИ На вхід підсилювача подають максимальна напруга Uвх, при якому ще відсутні нелінійні спотворення сигналу. Підтримуючи цю напругу незмінним, змінюють частоту генератора від 20 Гц до 20 кГц і вимірюють напругу на виході (звичайно досить зняти показання для 12-15 значень частоти). Частотну характеристику знімають для чотирьох випадків, що відповідають під’єднанню в схему RнСр2, EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 Ср2 і від’єднанню конденсатора Сe. Дані спостережень заносять у табл. 3. Таблиця 3 4. ПОБУДОВА ГРАФІКІВ АМПЛІТУДНОЇ І ЧАСТОТНОЇ ХАРАКТЕРИСТИК За даними табл.2 і табл.3 у прямокутній системі координат будують амплітудні і частотні характеристики підсилювача. Для зручності порівняння характеристики, зняті для різних елементів схеми, будують на одному графіку. Частотні характеристики, переважно, будують у логарифмічному масштабі. EMBED Origin50.Graph ВИЗНАЧЕННЯ ВПЛИВУ ЗНАЧЕНЬ ЕЛЕМЕНТІВ СХЕМИ НА ТЕХНІЧНІ ПАРАМЕТРІВ ПІДСИЛЮВАЧА На основі табл.2 і табл.3 і графіків амплітудної і частотної характеристик визначають вплив значень Rн, R1, Се, Ср2 на параметри підсилювального каскаду. Результати дослідження записують в висновках про роботу.

Лабораторна робота Електроніка

01.01.1970 03:01-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись