Аналіз процесів перемикання імпульсних напівпровідникових структур.

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Програмного забезпечення (ПЗ)

Інформація про роботу

Рік:
2003
Тип роботи:
Лабораторна робота
Предмет:
Методи i засоби комп'ютерних інформаційних технологій
Група:
КН

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет "Львівська політехніка" Кафедра ПЗ Звіт про виконання лабораторної роботи № 6 з курсу: "Методи i засоби комп'ютерних інформаційних технологій" на тему: Аналіз процесів перемикання імпульсних напівпровідникових структур виконала: студентка гр. КН 3 Львів 2003 Міністерство освіти і науки України Національний університет "Львівська політехніка" Кафедра ПЗ Звіт про виконання лабораторної роботи № 6 з курсу: "Методи i засоби комп'ютерних інформаційних технологій" на тему: Аналіз процесів перемикання імпульсних напівпровідникових структур виконав: студент гр. КН 37 Данчук Є.С. перевірив: викладач Заяць В.М Львів 2003 Тема: Аналіз процесів перемикання імпульсних напівпровідникових структур. Мета: Набути навиків роботи з моделями напівпровідникових структур програми PSpise та провести дослідження роботи транзистора при його переході від закритого стану до відкритого та в зворотньому напрямку. Теоретичні вiдомостi: Напiвпровiдниковi прилади, математичнi моделi яких вбудованi в програму PSpise описуються великою кiлькiстю параметрiв, якi визначаються за допомогою оператора . MODEL . Цей оператор може бути помiщений як в описi завдання так i в файл бiблiотеки, доступ до якого здiйснюється за допомогою оператора . LIB . Опис конкретного напiвпровiдникового приладу мiстить його iм'я, номер вузлiв пiдключення, iм'я моделi. В якостi моделi бiполярного транзистора в програмi PSpise використовується модель Еберса-Молла або Гумела-Пуна, яка має розширений список параметрiв. Приведемо список основних параметрiв математичної моделi Еберса-Молла: ________________________________________________________________ │Iм'я │ Параметр │Значен-│Одини-│ │пара- │ │по за- │цi ви-│ │метра │ │мовчу- │мiру- │ │ │ │ванню │вання │ │ │ │ │ │ │ IS │ Струм насичення при t=27C │10Е-16 │ А │ │ BF │ Максимальний коефiцiєнт пiдсилення │ 100 │ - │ │ │ му в схемi зi спiльним емiтером нор- │ │ │ │ │ мальному режимi │ │ │ │ BR │Максимальний коефiцiєнт пiдсилення стру-│ 1 │ - │ │ │ му в схемi зi спiльним емiтером в iн- │ │ │ │ │ версному режимi │ │ │ │ NF │ Коефiцiєнт неiдеальностi в нормальному │ 1 │ - │ │ │ режимi │ │ │ │ NR │ Коефiцiєнт неiдеальностi в iнверсному │ 0 │ - │ │ │ режимi │ │ │ │ ISS │ Зворотнiй струм p-n переходу пiдкладки │ 0 │ А │ │ NS │ Коефiцiєнт неiдеальностi переходу пiд- │ │ │ │ │ кладки │ 1 │ - │ │ RC │ Об'ємний опiр колектора │ 0 │ дм │ │ RE │ Об'ємний опiр емiтера │ 0 │ Ом │ │ RB │ Об'ємний опiр бази │ 0 │ Ом │ │ CJE │ Ємнiсть емiтерного переходу при нульо- │ 0 │ Ф │ │ │ вому │ │ │ │ VJE │ Контактна рiзниця потенцiалiв емiтер - │ 0.75 │ В │ │ │ ного переходу │ │ │ │ MJE │ Коефiцiєнт врахування плавностi │ 0.33 │ - │ │ │ емiтерного переходу │ │ │ │ CJC │ Ємнiсть колекторного переходу при │ 0 │ Ф │ │ │ нульовому змiщеннi │ │ │ │ VJC │ Контактна рiзниця потенцiалiв колектор-│ 0.75 │ В │ │ │ ного переходу │ │ │ │ MJC │ Коефiцiєнт врахування плавностi │ 0.33 │ - │ │ │ колекторного переходу │ │ │ │ CJS │ Ємнiсть колектора-пiдкладки при нульо- │ 0 │ Ф │ │ │ вому змiщеннi │ │ │ │ VGS │ Контактна рiзниця переходу колектор- │ 0.75 │ В │ │ │ пiдкладка │ │ │ │ MGS │ Коефiцiєнт врахування плавностi пере- │ 0.33 │ - │ │ │ ходу колектор-пiдкладка │ │ │ │ FC │ Коефiцiєнт нелiнiйностi бар'єрних єм- │ 0.5 │ - │ │ │ ностей прямозмiшених переходiв │ │ │ │ EG │ Ширина забороненої зони │ 1.11 │ ЕВ │ │ XTB │ Температурний коефiцiєнт BF i BQ │ 0 │ - │ │ XT1 │ Температурний коефiцiєнт IS │ 3 │ - │ │ KF │ Коефiцiєнт, що визначає спектральну │ 0 │ - │ │ │ густину флiкер-шуму │ │ │ │ AF │ Показник степенi, що визначає залеж │ 1 │ - │ │ │ нiсть спектральної густини флiкер- │ │ │ │ │ шуму вiд струму через перехiд │ │ │ │_______│________________________________________│_______│______│ В програмi PSpisе прийнято наступне правило визначення додатного напрямку струмiв: в p-n-p структурi струми Ic,Ib,Ie, якi втiкають в транзистор вважаються додатнiми, для структур p-n-p всi напруги i струми мають протилежний напрямок. Динамiчнi властивостi p-n переходiв врахованi шляхом включення в модель ємностей колектора ,емiтера i пiдкладки i мають як дифузiйнi так i бар'єрнi складовi. В якостi прикладу приведемо список параметрiв моделi Гумеля-Пуна бiполярного транзистора КТ 3616 D. .MODEL KT 316 D NPN (IS= 2.75f XT1=3 EG=1.11 VAF=96 BF 136.5 +NE 2.496 ISE=12.8pA IKT=97.23m XTB==1.5 VDR=55 BR=0.66 NC=2 +ISC=15.5p IKR=.12 RB=70.6 RC=8.4 CJC=4.1pF MIE=0.33 TR=27.8n +tf=79.P itf=.151 VTF=25 XTF=2) Режим роботи транзистора в якостi ключа використовують в генераторних схемах отримання iнформацiйних iмпульсних сигналiв. З метою забезпечення заданих характеристик таких iмпульсiв (симетричностi заднього i переднього фронтiв iмпульсу , заданої їх крутизни) необхiдно мати достатньо точну модель транзистора. Параметри моделi транзистора повиннi бути пiдiбранi таким чином, щоб забезпечувати однакову потужнiсть розсiяння як при переходi транзистора з закритого стану у вiдкритий так i в зворотньому напрямку. Метою даної роботи є дослідження цих процесiв як для моделi транзистора Q2N2222A типу p-n-p взятої з бiблiотеки програми PSpice, так i при змiнi його динамiчних властивостей шляхом пiдключення ємностей в контур бази та мiж базою i колектором. При цьому для вимірювання струму в колi колектора необхiдно задатися величиною додаткового опору 1 ОМ. При визначенні часу відкриття транзистора , вважати його початком момент ,коли напруга на колекторному переходi стає меншою напруги живлення ,а кінцем - момент, коли напруга живлення стане меншою 1В. Величину напруги живлення задати 10 В.Попередньо необхідно закрити транзистор шляхом подачi на його базу напруги - 10 В, а відкриття здійснювати напругою 10 В. При зворотньому процесi закриття транзистора його необхідно попередньо відкрити шляхом подачі на базу напруги +10В i процес закриття здiйснювати напругою -10 В. За початок закриття вважати момент, коли напруга на базi стає вiд'ємною i вважати транзистор повнiстю закритим, коли напруга на колекторному переходi досягне 0.9 величини напруги живлення. Завдання на моделювання перехiдного процесу в транзисторi при його вiдкриттi визначається наступним чином: RB 1 2 1000 Q1 4 2 0 Q2 N 2222 A VB 3 0 10. .IC V(2)=10. V(4)=10 .LIB NOM.LIB .TRAN 0.000001 ms 0,0005 ms oms 0.000001 .PROBE V(2),V(4),I(RB),I(RK) .END{RIGHT} Знаючи величини струмів та напруг на напівпровідникових структурах можна провести розрахунок середньої потужності, яка розсіюються за час перемикання транзистора. Миттєва потужність в момент часу ti визначається за формулою P(ti)=Uke(ti)*Ik(ti)+Uбе(ti)*Iб(ti); а тодi середня потужнiсть, яка розсiяна в транзисторi за час перемикання tп може бути визначена наступним чином Pсер=(SUM(i=1,n)(p(ti))*^ti)/tп, де n - к-сть вiдлiкiв перехiдного процесу; ti - прирiст кроку мiж вiдлiками; tп - час перемикання транзистора (вiдкриття або закриття). Хiд роботи Текст програми відкриття: Lab6 .Lib NOM.LIB RB 1, 2 = 10 RK 4, 0 = 1 Q1 4, 2, 0 = Q2N2222A VB 1, 0 = 10 .IC V(2) = 10, V(4) = 10 .Tran 1p, 20p .Probe V(2), V(4), I(RB), I(RK) .Plot Tran V(2, 0), V(0, 4), I(RB), I(RK) .End Результат виконання програми відкриття: ****** 12/15/103 ****** Evaluation PSpice (January 1990) ****** Lab6 **** CIRCUIT DESCRIPTION **************************************************************************** .Lib NOM.LIB RB 1, 2 = 10 RK 4, 0 = 1 Q1 4, 2, 0 = Q2N2222A VB 1, 0 = 10 .IC V(2) = 10, V(4) = 10 .Tran 1p, 20p .Probe V(2), V(4), I(RB), I(RK) .Plot Tran V(2, 0), V(0, 4), I(RB), I(RK) .End ****** 12/15/103 ****** Evaluation PSpice (January 1990) ****** Lab6 **** BJT MODEL PARAMETERS **************************************************************************** Q2N2222A NPN IS 14.340000E-15 BF 25.9 NF 1 VAF 74.03 IKF .2847 ISE 14.340000E-15 NE 1.307 BR 6.092 NR 1 RB 10 RBM 10 RC 1 CJE 22.010000E-12 MJE .377 CJC 7.306000E-12 MJC .3416 TF 411.100000E-12 XTF 3 VTF 1.7 ITF .6 TR 46.910000E-09 XTB 1.5 ****** 12/15/103 ****** Evaluation PSpice (January 1990) ****** Lab6 **** INITIAL TRANSIENT SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C **************************************************************************** NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE ( 1) 10.0000 ( 2) 9.9982 ( 4) 9.9747 VOLTAGE SOURCE CURRENTS NAME CURRENT VB -1.818E-04 TOTAL POWER DISSIPATION 1.82E-03 WATTS ****** 12/15/103 ****** Evaluation PSpice (January 1990) ****** Lab6 **** TRANSIENT ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C **************************************************************************** LEGEND: *: V(2,0) +: V(0,4) =: I(RB) $: I(RK) TIME V(2,0) (*)---------- 4.0000E+00 6.0000E+00 8.0000E+00 1.0000E+01 1.2000E+01 (+)---------- -1.5000E+01 -1.0000E+01 -5.0000E+00 0.0000E+00 5.0000E+00 (=)---------- 0.0000E+00 2.0000E-01 4.0000E-01 6.0000E-01 8.0000E-01 ($)---------- -5.0000E+00 0.0000E+00 5.0000E+00 1.0000E+01 1.5000E+01 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 0.000E+00 9.998E+00 = + . X . 1.000E-12 5.450E+00 . * . $ . = + . . 2.000E-12 5.446E+00 . * . $ . = + . . 3.000E-12 5.443E+00 . * . $ . = + . . 4.000E-12 5.440E+00 . * . $ . = + . . 5.000E-12 5.437E+00 . * . $ . = + . . 6.000E-12 5.435E+00 . * . $ . = + . . 7.000E-12 5.434E+00 . * . $ . = + . . 8.000E-12 5.432E+00 . * . $ . = + . . 9.000E-12 5.431E+00 . * .$ . = +. . 1.000E-11 5.430E+00 . * .$ . = +. . 1.100E-11 5.430E+00 . * .$ . = +. . 1.200E-11 5.429E+00 . * .$ . = +. . 1.300E-11 5.428E+00 . * .$ . = +. . 1.400E-11 5.428E+00 . * $ . = + . 1.500E-11 5.428E+00 . * $ . = + . 1.600E-11 5.428E+00 . * $ . = + . 1.700E-11 5.428E+00 . * $ . = + . 1.800E-11 5.428E+00 . * $ . = + . 1.900E-11 5.428E+00 . * $ . = + . 2.000E-11 5.428E+00 . * $ . = + . - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - JOB CONCLUDED TOTAL JOB TIME 1.38 Текст програми закриття: Lab6.2 .Lib NOM.LIB RB 1, 2 = 10 RK 4, 0 = 1 Q1 4, 2, 0 = Q2N2222A VB 0, 1 = 10 .IC V(2) = 10, V(4) = 10 .Tran 1p, 20p .Probe V(2), V(4), I(RB), I(RK) .Plot Tran V(2, 0), V(0, 4), I(RB), I(RK) .End Результат виконання програми закриття: ****** 12/15/103 ****** Evaluation PSpice (January 1990) ****** Lab6.2 **** CIRCUIT DESCRIPTION **************************************************************************** .Lib NOM.LIB RB 1, 2 = 10 RK 4, 0 = 1 Q1 4, 2, 0 = Q2N2222A VB 0, 1 = 10 .IC V(2) = 10, V(4) = 10 .Tran 1p, 20p .Probe V(2), V(4), I(RB), I(RK) .Plot Tran V(2, 0), V(0, 4), I(RB), I(RK) .End ****** 12/15/103 ****** Evaluation PSpice (January 1990) ****** Lab6.2 **** BJT MODEL PARAMETERS **************************************************************************** Q2N2222A NPN IS 14.340000E-15 BF 25.9 NF 1 VAF 74.03 IKF .2847 ISE 14.340000E-15 NE 1.307 BR 6.092 NR 1 RB 10 RBM 10 RC 1 CJE 22.010000E-12 MJE .377 CJC 7.306000E-12 MJC .3416 TF 411.100000E-12 XTF 3 VTF 1.7 ITF .6 TR 46.910000E-09 XTB 1.5 ****** 12/15/103 ****** Evaluation PSpice (January 1990) ****** Lab6.2 **** INITIAL TRANSIENT SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C **************************************************************************** NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE ( 1) -10.0000 ( 2) 9.9942 ( 4) 9.9747 VOLTAGE SOURCE CURRENTS NAME CURRENT VB -1.999E+00 TOTAL POWER DISSIPATION 2.00E+01 WATTS ****** 12/15/103 ****** Evaluation PSpice (January 1990) ****** Lab6.2 **** TRANSIENT ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C **************************************************************************** LEGEND: *: V(2,0) +: V(0,4) =: I(RB) $: I(RK) TIME V(2,0) (*$)--------- -5.0000E+00 0.0000E+00 5.0000E+00 1.0000E+01 1.5000E+01 (+)---------- -1.5000E+01 -1.0000E+01 -5.0000E+00 0.0000E+00 5.0000E+00 (=)---------- -2.0000E+00 -1.5000E+00 -1.0000E+00 -5.0000E-01 0.0000E+00 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 0.000E+00 9.994E+00 = + . X . 1.000E-12 -4.550E+00 .* . $ . + =. . 2.000E-12 -4.554E+00 .* . $ . + =. . 3.000E-12 -4.557E+00 .* . $ . + =. . 4.000E-12 -4.560E+00 .* . $ . + =. . 5.000E-12 -4.563E+00 .* . $ . + =. . 6.000E-12 -4.565E+00 .* . $ . +=. . 7.000E-12 -4.566E+00 .* . $ . +=. . 8.000E-12 -4.568E+00 .* . $ . +=. . 9.000E-12 -4.569E+00 .* .$ . X. . 1.000E-11 -4.570E+00 .* .$ . X. . 1.100E-11 -4.571E+00 .* .$ . X. . 1.200E-11 -4.571E+00 .* .$ . X. . 1.300E-11 -4.572E+00 .* .$ . X. . 1.400E-11 -4.572E+00 .* $ . =+ . 1.500E-11 -4.572E+00 .* $ . =+ . 1.600E-11 -4.572E+00 .* $ . =+ . 1.700E-11 -4.572E+00 .* $ . =+ . 1.800E-11 -4.572E+00 .* $ . =+ . 1.900E-11 -4.572E+00 .* $ . =+ . 2.000E-11 -4.572E+00 .* $ . =+ . - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - JOB CONCLUDED TOTAL JOB TIME 1.31 Висновок: В межах даної лабораторної роботи нами було проаналізовано процеси перемикання імпульсних напівпровідникових структур; а також було набуто практичних навичок роботи з моделями напівпровідникових структур програми PSpise та проведено дослідження роботи транзистора при його переході від закритого стану до відкритого та в зворотньому напрямку.
Антиботан аватар за замовчуванням

01.01.1970 03:01-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!
Нічого не вибрано
0%

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!