Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська Політехніка” Кафедра електронних обчислювальних машин Звіт про виконання лабораторної роботи № 4 з курсу „Комп’ютерна електроніка” Тема: Дослідження включенння біполярного транзистора по схемі зі спільною базою. Львів – 2003 Мета: Реалізувати та дослідити включенння біполярного транзистора по схемі із спільною базою. Теоретичний вступ Основні властивості схеми СБ
Рис. 10. Транзисторний каскад із спільною базою. Каскад СБ не підсилює струм. Це зумовлене тим, що не всі носії з емітера доходять до колектора. Тому коефіцієнт передачі струму рівний:  EMBED Equation.3 
  EMBED Equation.3 
 Звідси зрозуміло, що послідовне включення каскадів із СБ недоцільне, внаслідок того, що два каскади послаблюють струм більше, ніж один. Коефіцієнт передачі струму залежить від частоти сигналу f : , де 0 – коефіцієнт передачі для частоти f = 0; f – гранична частота, на якій модуль  зменшується в два рази. Каскад СБ може підсилювати напругу за рахунок малого вхідного опору і великого опору навантаження. Коефіцієнт передачі напруги:  EMBED Equation.3 
 Якщо прийняти RH > RBX , то kU > 1 , тобто каскад підсилює напругу. В цьому випадку він також буде підсилювати потужність сигналу:  EMBED Equation.3 
 Полярність сигналу на виході така ж, як на вході. Нехай в деякий момент часу напруга сигналу UC на вході має додатнє миттєве значення. Воно передається на емітер транзистора і зменшує миттєве значення струму iE в порівнянні із середнім. Тим самим зменшиться і колекторний струм, який при переході через опір Rk створить на ньому падіння напруги менше середнього відносно напруги. Відносно спільної точки () миттєве значення сигналу виявиться додатнім. Режим спокою СБ відзначається стабільністю, бо мало залежить власне від параметрів транзистора. Вхідній опір становить:  EMBED Equation.3 
, де rE – опір емітера, причому  EMBED Equation.3 
 Oм; rБ – опір бази, який приблизно становить  EMBED Equation.3 
Ом. Виконання роботи Відповідно до власного варіанта вибраємо початкові дані з табл. 1. Послідовність спрощенного розрахунку транзисторного каскаду СБ із термостабілізацією
Рис.11. Підсилювальний транзисторний каскад із термостабілізацією на основі npn-транзистора, який включений із спільною базою. Вихідна напруга Uвих0 при відсутності вхідної напруги:  EMBED Equation.3 
 Вихідний струм Івих0 в режимі спокою:  EMBED Equation.3 
 Початковий струм бази Іб0 :  EMBED Equation.3 
 Величини опорів резисторів подільника напруги R1 та R2:  EMBED Equation.3 
 та  EMBED Equation.3 
, прийняти IR = 10IБ0 . Вхідний опір схеми СБ із термостабілізацією RВХ :  EMBED Equation.3 
 Величина ємності вхідного конденсатора СВХ :  EMBED Equation.3 
 Величина ємності вихідного конденсатора Свих : EMBED Equation.3 
, де Rвих=Rн Внутрішній опір джерела вхідного сигналу RBH :  EMBED Equation.3 
, де  EMBED Equation.3 
 Коефіцієнт підсилення струму kI :  EMBED Equation.3 
, де  EMBED Equation.3 
,  EMBED Equation.3 
 Коефіцієнт підсилення напруги kU :  EMBED Equation.3 
, де  EMBED Equation.3 
,  EMBED Equation.3 
 Коефіцієнт підсилення потужності kP :  EMBED Equation.3 
 Реалізовуємо підсилювальний каскад CБ із термостабілізацією в ELECTRONICS WORKBENCH.
Рис. 3. Підсилювальний транзисторний каскад із термостабілізацією на основі npn-транзистора, який включений по схемі зі спільною базою.
Рис. 4. Осцилограми сигналів на вході і виході підсилювача. Розрахунковий коефіцієнт підсилення напруги  EMBED Equation.3 
 Виміряний коефіцієнт підсилення напруги  EMBED Equation.3 
 відрізняється від розрахункового оскільки реальні номінали елементів схеми відрізняються від розрахункових. Висновок: Виконуючи цю роботу, я реалізував та досліджував підсилювальний транзисторний каскад із термостабілізацією на основі npn-транзистора, який включений по схемі зі спільною базою за допомогою симулятора цифрових і аналогових схем Electronics WorkBench.