Проектування на фізичному рівні.

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Електронні обчислювальні машини

Інформація про роботу

Рік:
2006
Тип роботи:
Лабораторна робота
Предмет:
Проектування комп’ютерних засобів обробки сигналів та зображень
Група:
СКС-5

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська політехніка” Кафедра ЕОМ Звіт з лабораторної роботи №3 на тему: „Проектування на фізичному рівні” Підготував: ст. гр. СКС-5 Львів 2006 Тема: Проектування на фізичному рівні. Мета: Створення готової топології кристалу. Хід роботи: На цьому етапі створюється готова топологія кристалу. Спочатку на основі функціонального VHDL-опису кристалу та структурного VHDL-опису безпосередньо схеми кристалу core, автоматизований компанувальник та трасувальник SCR створює відтрасований шар елементів на підкладинці кристалу. Далі, маючи структурний опис зовнішніх корпусних контактних майданчиків pads, за допомогою трасувальника зовнішніх зв’язків RING отримують файл з готовою топологією кристалу. Hа цьому етапі за допомогою автоматизованого компанувальника SCR створюємо відтрасований шар елементів на підкладинці кристалу (core.vst --> core.ap). Далі за допомогою трасувальника зовнішніх зв’язків RING пов’язуємо відтрасований шар елементів із зовнішніми корпусними контактними майданчиками і отримуємо файл з готовою топологією кристалу (core.ap+addaccu.vst --> addaccu.ap). # ###---------------------------------------------------------### # place and route the circuit's core # # ###---------------------------------------------------------### MBK_IN_LO=vst ;\ MBK_IN_PH=ap ;\ MBK_OUT_PH=ap ;\ MBK_CATA_LIB=$TOP/cells/scr:$TOP/cells/ring ;\ export MBK_IN_LO MBK_IN_PH MBK_OUT_PH MBK_CATA_LIB ;\ scr -p -r core [5] core.vst --> core.ap aвтоматичне трасування (routing) автоматичне компанування (placement) Для трасувальника зовнішніх зв’язків RING можна створити допоміжний файл addaccu.rin, в якому вказується товщина провідників живлення та розміщення контактів по сторонам підкладинки кристалу: width (vdd 100 vss 100) товщина провідників живлення west (p0 p1 p2 p3) контакти по правій стороні north (р4 p5 p6 p7) контакти по верхній стороні east (р8 р9 p10 p11) контакти по лівій стороні south (р12 р13 р16 p15 p14) контакти по нижній стороні # ###------------------------------------------------------------------### # place and route the circuit (core and pads) # # this can be done only if the extracted netlist is correct # # ###------------------------------------------------------------------### MBK_IN_LO=vst ;\ MBK_IN_PH=ap ;\ MBK_OUT_PH=ap ;\ MBK_CATA_LIB=$TOP/cells/scr:$TOP/cells/ring ;\ export MBK_IN_PH MBK_OUT_PH MBK_IN_LO MBK_CATA_LIB ;\ ring addaccu addaccu [6] addaccu.rin core.ap + addaccu.vst --> addaccu.ap Висновок: на даній лабораторній роботі я створив готову топологію кристалу.
Антиботан аватар за замовчуванням

01.01.1970 03:01-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!
Нічого не вибрано
0%

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!