Вивчення роботи програми оцінки параметрів активних елементів. . Лабораторна робота з Комп`ютерне проектування та моделювання РЕЗ. Робота № 201172

Перехід до торгівельного партнера Binance

Вивчення роботи програми оцінки параметрів активних елементів.

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Кафедра радіоелектронних пристроїв та систем (РЕПС)

Інформація про роботу

Рік:

2010

Тип роботи:

Лабораторна робота

Предмет:

Комп`ютерне проектування та моделювання РЕЗ

Група:

РТ-21

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет “Львівська політехніка” Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Кафедра РЕПС ЗВІТ про виконання Лабораторної роботи №5 з дисципліни “Комп`ютерне проектування та моделювання РЕЗ” Виконав: студент групи РТ-21 Львів 2010 Тема роботи: вивчення роботи програми оцінки параметрів активних елементів. Мета роботи: навчитись користуватись утилітою обслуговування бібліотек РЕР.ЕХЕ. Перед виконанням даної лабораторної роботи рекомендується ознайомитись з розділами "13, Бібліотеки елементів", "3.1, Утиліта обслуговування бібліотек". "3.2. Моделі активних елементів" описання ППП "МІСКОСАР-2"та з вмістом файла РЕР.ООС. Завдання до лабораторної роботи: 1. Вибрати транзистор у вихідному колі підсилювача потужності з курсової роботи, для проведення аналізу його характеристик. З файлу опису MicroCap на ст.81-89 ознайомитись з моделлю біполярного та польового транзисторів та її параметрів. 2. Теоретичну інформацію виложену у довідці з параметрами занести у звіт. 3. Записати таблицю параметрів Гуммеля-Пуна з вибраного транзистора. 4. За прикладами файлів ПП MicroCap “ khariv5.cir ” та“ khariv 5-2.cir” отримати статичні характеристики вибранго транзистора, а саме вхідні, прохідні та вихідні, а також залежності струмів колектора і бази від напруги бази емітера, та статичний коефіціент передачі по струму в режимі часового аналізу. Вибираємо транзистор у вихідному колі підсилювача потужності з курсової роботи, для проведення аналізу його характеристик: Транзистор NPN BD139 80 V 1.5 A Рис.1 Транзистор NPN BD139 80 V 1.5 A Теоретичну інформацію виложену у довідці з параметрами заносимо у звіт. Біполярний транзистор В програмі МС8 використовується схема заміщення біполярного транзистора в виді моделі Гуммепя-Пуна, яка автоматично спрощується до моделі Эберса-Молла, якщо відкинути деякі параметри. Список параметрів повної математичної моделі біполярного транзистора показаний в табл: Назва параметра Параметр Значення по замовчуванню Одиниці вимірювання IS Струм насичення при температурі 27°С А BF Максимальний коєфіціент підсилення струму в нормальному режимі в схемі з ОЭ 100 BR Максимальний коефіціент підсилення струму в інверсному режимі в схемі з ОЭ 1 NF Коефіціент емісії для нормального режиму 1 NR Коефіціент емісії для інверсного режиму 1 ISE Струм насичення витоку переходу база-емітер 0 А ISC Струм насичення витоку переходу база-колектор 0 А ISS Струм насичення p-n-переходу підложки 0 А NS Коефіціент емісії струму p-n-переходу підложки IKF Струм початку спаду залежності BF від струму колектора в нормальному режимі ∞ А IKR* Струм початку спаду залежності BR від струму емітера в інверсному режимі ∞ А NE* Коефіціент емісії струму витоку емітерного переходу 1,5 NC* Коефіціент емісії струму витоку колекторного переходу 2 NK Коефіціент перегиба при великих струмах 0.5 VAF Напруга Эрлі в нормальному режимі ∞ В VAR* Напруга Эрлі в інверсному режимі ∞ В RC Обємний опір колектора 0 Ом RE Обємний опір емітера. 0 Ом RB Обємний опір бази при нульовому зміщенні переходу база-емітер 0 Ом RBM* Мінімальний опір бази при великих струмах RB Ом IRB* Струм бази, при якому опір зменшується на 50% повного перепаду між RB і RBM ∞ А TF Час переносу заряду через базу в нормальному режимі 0 с TR Час переносу заряду через базу в інверсному режимі 0 с XTF Коефіціент, який визначає залежністьTF від зміщення база-колектор 0 VTF Напруга яка характеризує залежність TF від зміщення база-колектор ∞ В ITF Струм, який характеризує залежність TF від струму колектора привеликих струмах 0 А PTF Додатковий фазовий зсув на граничній частоті транзистора 0 град. CJE Ємність емітерного переходу при нульовому зміщенні 0 пф VJE (РЕ) Різниця потенціалів переходу база-емітер 0,75 В MJE (ME) Коефіціент, який враховує плавність емітерного переходу 0,33 CJC Ємність колекторного переходу при нульовому зміщенні 0 Ф VJC (PC) Різниця потенціалів переходу база-коллектор 0,75 В MJC(MC) Коефіціент, який враховує плавність колекторного переходу 0,33 CJS (CCS) Ємність переходу колектор-підложка при нульовому зміщення 0 ф VJS (PS) Різниця потенціалів переходу колектор-підложка 0,75 в MJS (MS) Коефіціент, який враховує плавність переходу колектор-підложка 0 XCJC Коефіціент розщеплення барєрної ємності база-коллектор по відношенню до внутрішньої бази 1 - FC Коефіціент нелінійності барєрної ємності прямо зміщених переходів 0,5 EG Ширина забороненої зони 1,11 эВ XTB Температурний коефіціент BF и BR 0 — XTI(PT) Температурний экспоненціальний коефіціент для струму IS 3 — TRE1 Лінійний температурний коефіціент RE 0 °С TRE2 Температурний коефіціент RE 0 °С TRB1 Лінійний температурний коефіціент RB 0 °С TRB2 Квадратичний температурний коефіціент RB 0 °С TRM1 Лінійний температурний коефіціент RBM 0 °С TRM2 Квадратичний температурний коефіціент RBМ 0 °С TRC1 Лінійний температурний коефіціент RС 0 °С TRC2 Квадратичний температурний коефіціент RС 0 °С KF Коефіціент, який визначає спектральну товщину фліккер-шуму 0 AF Показник степеня,який визначає залежність спектральної товщини фліккер-шуму від струму через перехід 1 T_ MEASURED Температура вимірів — °С T_ABS Абсолютна температура — °С T_REL_ GLOBAL Відносна температура — °С T_REL_LOCAL Різниця між температурою транзистора і моделі-прототипа °С Рис.2 Модель біполярного транзистора Записуємо таблицю параметрів Гуммеля-Пуна з вибраного транзистора: 4. За прикладами файлів ПП MicroCap а)“ khariv5.cir ” та б)“ khariv 5-2.cir.cir” ,отримати статичні характеристики вибранго транзистора, а саме вхідні, прохідні та вихідні, а також залежності струмів колектора і бази від напруги бази емітера, та статичний коефіціент передачі по струму в режимі часового аналізу. а)“ khariv 5.cir” Вхідна, вихідна та прохідна характеристики: Залежності струмів колектора і бази від напруги бази емітера: Коефіціент передачі по струму в режимі часового аналізу: б)“khariv5-2.cir” Вхідна, вихідна та прохідна характеристики: Залежності струмів колектора і бази від напруги бази емітера: Коефіціент передачі по струму в режимі часового аналізу: Висновок: Отже, на цій лабораторній роботі ми вивчили програми оцінки параметрів активних елементів, та за прикладами файлів ПП MicroCap а)“khariv5.cir” та б)“khariv5-2.cir” ,отримали статичні характеристики вибранго транзистора, а саме вхідні, прохідні та вихідні, а також залежності струмів колектора і бази від напруги бази емітера, та статичний коефіціент передачі по струму в режимі часового аналізу.

Лабораторна робота Комп`ютерне проектування та моделювання РЕЗ

01.01.1970 03:01-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись