Розрахунок топології гібридної тонко плівкової ІМС на основі без корпусного операційного підсилювача.. Розрахункова робота з Елементна база радіоелектроніки. Робота № 203285

Розрахунок топології гібридної тонко плівкової ІМС на основі без корпусного операційного підсилювача.

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2015

Тип роботи:

Розрахункова робота

Предмет:

Елементна база радіоелектроніки

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство науки та освіти України НУ „Львівська політехніка” Курсова робота „Розрахунок топології гібридної тонко плівкової ІМС на основі без корпусного операційного підсилювача” Виконав: студент гр.23. Перевірила: Львів 2007р. Завдання 1 Останні числа залікової 036 Вхідні дані: 1. Схема №6 2. Метод виготовлення термічне напилення тонких плівок EMBED AutoCAD.Drawing.16 Рис.1(Схема 6) Виконуємо перетворення схеми таким чином, щоб всі зовнішні виводи знаходилися на краю довгих сторін підкладки і виключені перетинання плівкових провідників. EMBED AutoCAD.Drawing.16 Рис.2( перетворена схема 6) Розрахунок розмірів пасивних елементів Розмір та конфігурацію плівкових резисторів знаходять по заданих номінальних опорах Ri та удільному опорі ρs вибраного з таблиці 1. Табл.1 Знаходимо коефіцієнт форми всіх резисторів. Так як в моїй роботі всі резистори з однаковим опором 10КОм, то і коефіцієнт форми та габарити будуть одні і ті ж. Удільний опір вибираю 2000 Ом/квадрат (РС – 3001). Кф = Ri/ ρs Кф = 10000/2000 = 5 Вибраний матеріал виконує умову Кф. < 50, а також виконує умову Кф ≤ 10 (резистор прямокутний і складається з одної полоски). Розрахунок довжини l плівкового резистора. Так як допуск та розсіювана потужність не задані, то можна прийняти b = b min = 200 мкм (при масочному методі виготовлення) Визначивши значення b, обчислюємо l: l = Кф* b min l = 200*5 = 1000 мкм Визначаємо загальну площу всіх резисторів: Sr = 4*0.2*1 = 0.8 мм2 При розрахунку плівкових конденсаторів з початку вибираємо матеріал діелектрика з таблиці 2 у відповідності з заданим способом нанесення плівкита удільному опорі ρs вибраного з таблиці 1. Табл.2 Після вибору матеріала (Моноокись германію Со = 100 пф/мм2 ) обчислюєм площу конденсатора: S = Ci/Co = A*B S = 100/100 = 1мм2 А та В – довжина та ширина площадки, що займають перекриваючі області нижньої та верхньої об кладок. Визначаємо загальну площу, яка займається всіма елементами: Sr = 0.8 мм2 Sс = 1 мм2 Sопер. = 2.25мм2 Sзагал. = 2.25 +1 + 0.8 = 4.05 мм2 Враховуючи площу з’єднань, проміжки між елементами ІМС і відстань від краю підложки, потрібно збільшити сумарну площу в 4 – 5 раз. Отже сумарна площа: Sсум. = 4.05*5 = 20.25 мм2 Вибираємо по таблиці 3 підложку розміром 10*12 мм2 Табл. 3 Завдання 2 За даним варіантом принципової схеми скласти та накреслити фрагмент структури кристалу напівпровідникової інтегральної мікросхеми (в перерізі), яка виготовляється за пленарно-епітаксальною технологією з ізоляцією елементів pn – переходами. Креслення виконано на міліметровці згідно заданої схеми.

Розрахункова робота Елементна база радіоелектроніки

2015

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись