Розрахунок типових вузлів електронних схем.. Розрахункова робота з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 203294

Розрахунок типових вузлів електронних схем.

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2015

Тип роботи:

Розрахункова робота

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Група:

КС-33

Варіант:

1, 4, 52

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська політехніка” Кафедра „Комп’ютеризовані системи автоматики” Розрахункова робота з навчальної дисципліни „Електроніка та мікросхемотехніка” на тему: „Розрахунок типових вузлів електронних схем” Варіант : 1, 4, 52 Виконав: студент групи КС-33 Перевірив: доцент кафедри Вітер О.С. Львів-2007 Завдання до розрахункової роботи Для заданої схеми підсилювального каскаду вибрати тип транзистора і побудувати динамічні характеристики для постійного і змінного струмів. Вибрати положення робочої точки в режимі спокою і здійснити розрахунок каскаду за постійним струмом. Розрахувати значення всіх елементів схеми і вибрати їх номінальні значення і типи згідно з ДЕСТ-ом. Розрахувати основні параметри схеми (вхідний і вихідний опори, коефіцієнти підсилення за напругою і за струмом). Розрахувати значення коефіцієнтів частотних спотворень на низьких і високих частотах. Номер варіанту: № вар. PН (Вт) RН (кОм) Uвих.m (В) МН (дб) fН (Гц) fВ (кГц) RГ (кОм) TОС (оС) 52 - 4 5 3 20 200 0,002 0 ( + 55 Схема транзисторного каскаду в схемі з спільною базою Динамічні навантажувальні характеристики каскаду для постійного ( dc ) і змінного ( ab ) струмів кремнієвого транзистора КТ-503А Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні Приймаємо струм колектора транзистора в режимі спокою Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора Задаємося мінімальним значенням напруги між колектором і емітером транзистора де – напруга насичення транзистора при максимальному значенні струму колектора транзистора . Для малопотужних транзисторів переважно Приймаємо спад напруги на резисторі .Для каскадів попереднього підсилення Спад напруги на опорі колекторного резистора повинен задовольняти вимогу Враховуючи вирази для і можемо отримати остаточний вирах для визначення напруги колекторного живлення Приймаємо значення напруги живлення з нормалізованого ряду: ,100В. Приймаємо значення напруги живлення Записуємо вираз для напруги колекторного живлення При виборі типу транзистора повинні виконуватися наступні вимоги: Виходячи з умов забезпечення необхідного режиму за постійним струмом розраховуємо значення опорів резисторів у колі емітера і колектора Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою (для КТ-503 : ) Задаємося струмом базового подільника напруги – Розраховуємо значення опорів резисторів базового подільника напруги Вибираєм Вибираєм де – некерований струм колекторного переходу транзистора при мінімальній температурі оточуючого середовища Тmin Еквівалентний опір базового подільника напруги Визначаємо вхідний опір каскаду для змінного струму Вибираєм – об’ємний опір бази транзистора (). Еквівалентний опір навантаження каскаду для змінного струму Вибираєм Розраховуємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою де – коефіцієнт підсилення транзистора для схеми з спільною базою Коефіцієнт підсилення каскаду за струмом Розподіляємо частотні спотворення на низьких частотах між усіма конденсаторами , переводимо частотні спотворення на низьких частотах у відносні одиниці і розраховуємо значення ємностей конденсаторів Приймаємо значення ємностей конденсаторів Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності Розраховуємо значення приросту некерованого струму колектора при зміні температури в заданому діапазоні . Для кремнієвих транзисторів де – значення некерованого струму колектора транзистора при відомій температурі Т0 (переважно ця температура складає 20о С або 25оС). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні де – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 (мВ / oC). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на де – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC). Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації Реальний приріст колекторного струму в режимі спокою при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів для заданої схеми термостабілізації Цей приріст струму перевищує допустимого значення, що дозволяє забезпечити необхідний діапазон вихідної напруги і струму каскаду на навантажені при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні. Висновок Виконуючи дану розрахункову роботу я для заданої схеми підсилювального каскаду вибрав тип транзистора (в данному випадку це кремнієвий транзистор КТ-503) і побудував динамічні характеристики для постійного і змінного струмів; вибрав положення робочої точки в режимі спокою і здійснив розрахунок каскаду за постійним струмом (розрахував основні параметри схеми (вхідний і вихідний опори, коефіцієнти підсилення за напругою і за струмом) і вибрав їх номінальні значення і типи згідно з ДЕСТ-ом, а також значення коефіцієнтів частотних спотворень на низьких і високих частотах.

Розрахункова робота Електроніка та мікросхемотехніка

2015

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись