НУ "Львівська політехніка" Базовий напрям "Інформаційна безпека" Білет N 2 1. Чи може логічна функція мати декілька досконалих диз'юнктивних нормальних форм? (так,ні) 2. Чи залежить тривалість звертання до пам’яті при зчитуванні від часу доступу до інформації? (так,ні) 3. Які пристрої використовують для компандування сигналу? а) скремблер - дискремблер; б) компресор - експандер. 4. Вкажіть помилковий запис мовою Паскаль: а) 1+4 б) 1.5+3 в) (x>5) and (x<7) г) 1 and 0 Непряма адресація - адресація при якій в другому і третьому байтах команди вказані дані (так,ні) 6. Назвіть основні вимоги, яким повинні відповідати системи безпеки. 7. Секретні матеріальні носії інформації зберігаються В робочих столах працівників В дерев’яних шафах працівників В сейфах або металевих шафах режимно-секретного органу 8. Коли алгоритм Евкліда працює найдовше? 9. Привести схему коливного мультивібратора на операційному підсилювачі, часові діаграми, що ілюструють його роботу, вираз для тривалості вихідних імпульсів та періоду їх повторення; показати як можна змінювати шпаруватість вихідних імпульсів. 10. Максимальна частота частотно-модульованого сигналу дорівнює 20,1 МГц, несуча частота - 20 МГц, а частота модуляції 10 кГц. Визначити девіацію частоти та індекс модуляції. 11. Вказати з яких машинних циклів складається команда МП Intel 8080 JС 809АH і підрахувати кількість тактів у команді. 12. Що таке допуск і доступ до державної таємниці? 13. На вході насичиного транзисторного ключа з спільним емітером діє керуюча напруга Е1=2В. Потім на вхід подано закриваючу напругу, яка викликає протікання в базовому колі зворотнього струму Іо=1мА. Коефіцієнт передачі струму =50; гранична частота підсилення транзистора f=10МГц; напруга живлення Еk =5В; опори резисторів в колекторному і базовому колах транзистора Rk=2кОм; R =10кОм. Визначити трива-лість процесу розсмоктування заряду неосновних носіїв в базі транзистора tp. 14. Скласти схему генератора гармонічних коливань на ОП з симетричною триелементною фазоповертаючою RC-ланкою та розрахувати параметри елементів схеми, якщо fг =3кГц, Uвих=5В, Rн =100 Ом. Схвалено Методичною радою ІКТА Протокол № 35 від 06.06.2007 р. Заст. директора ІКТА П. Столярчук