2. Розрахунок вхідного емітерного повторювача Вихідні дані для розрахунку емітерного повторювача: - амплітуда напруги джерела сигналу UДЖ = 15 мВ; - амплітуда вихідної напруги UН = 10 мВ; - опір джерела RДЖ = 10 кОм; - нижня робоча частота FH = 10 Гц; - верхня робоча частота FB = 100 кГц; - опір навантаження RH = 1 кОм; - ємність навантаження СН = 100 пФ; - допустимі частотні спотворення на нижній граничній частоті МНДБ = 3 дБ; - допустимі частотні спотворення на верхній граничній частоті МВДБ = 3 дБ; Принципова схема вхідного емітерного повторювача наведена на рис. 2.1.  EMBED Visio.Drawing.11 
 Рис.2.1. Схема емітерного повторювача Методика розрахунку каскаду 1. Розраховують амплітуду струму, яку повинен забезпечити каскад в навантаженні:  EMBED Equation.3 
, (2.1) або  EMBED Equation.3 
. (2.2) 2. Вибирають струм спокою транзистора ІК0 з умови: ІK0 = (2...3)  EMBED Equation.3 
. (2.3) Якщо внаслідок розрахунку ІK0<1 мА, то слід вибирати ІK0=1 мА, щоб транзистор не працював у мікрорежимі, коли значно зменшується коефіцієнт підсилення транзистора за струмом. Якщо вибрано мікрорежим, то необхідно враховувати зменшення коефіцієнта підсилення за струмом h21E у відповідності з довідковими даними на транзистор. При відсутності таких даних зменшення h21E становить 2,5...4 рази при зменшенні струму колектора транзистора по відношенню до струму колектора транзистора, рівного 1 мА, 10 разів. Аналітично розрахувати значення коефіцієнту підсилення транзистора за струмом в мікрорежимі h21ЕМ можна за допомогою виразу:  EMBED Equation.3 
, (2.4) де ІK0 = 1 мА, ІK0М – вибране значення струму колектора в мікрорежимі. Розраховують напругу живлення підсилювача:  EMBED Equation.3 
 і вибирають її зі стандартного ряду 6 В, 9 В, 12 В, 15 В, 18 В, 24 В, 27 В, 36 В, 45 В. 3. Розраховують номінальне значення опору резистора RЕ з умови, що спад напруги на транзисторі і резисторі в статичному режимі є рівними:  EMBED Equation.3 
. (2.5) Значення опору резистора вибирають із стандартного ряду Е24 (див. Додаток 6), Типи використовуваних постійних резисторів С2-23, С2-33, змінних – СП3-29. Потужність, яка розсіюється резистором PR, розраховують у відповідності з виразом: PR = IR2  R (2.6) або PR = UR2 / R. (2.7) де IR – струм, який протікає через резистор, UR – спад напруги на резисторі, R - опір резистора. З метою усунення перегріву елементів схеми номінальну потужність розсіювання резистора вибирають не менше, ніж з двократним запасом. 4. Розраховують струм бази транзистора, який забезпечує режим роботи каскаду:  EMBED Equation.3 
. (2.8) Розрахунок каскаду можна проводити з використанням транзистора з мінімальним коефіцієнтом підсилення за струмом або з середньостатистичним. У першому випадку  EMBED Equation.3 
, (2.9) у другому випадку  EMBED Equation.3 
. (2.10) 5. Визначають струм дільника базового зміщення:  EMBED Equation.3 
. (2.11) 6. Розраховують номінальне значення опорів резисторів дільника базового зміщення:  EMBED Equation.3 
, (62.12)  EMBED Equation.3 
, (2.13)  EMBED Equation.3 
. (2.14) 7. Розраховують вхідний опір транзистора емітерного повторювача та вхідний опір каскаду:  EMBED Equation.3 
, де  EMBED Equation.3 
,  EMBED Equation.3 
.  EMBED Equation.3 
. 8. Перевіряють, чи виконується умова:  EMBED Equation.3 
. (2.15) Якщо умова не виконується, то необхідно вибрати транзистор з більшим коефіцієнтом підсилення за струмом h21E. Якщо загальний коефіцієнт підсилення наступних каскадів є таким, що сумарний коефіцієнт підсилення значно перевищує необхідний, то можна залишити вибраний транзистор, врахувавши втрати підсилення в першому каскаді. 9. Розраховують коефіцієнт підсилення каскаду за напругою:  EMBED Equation.3 
. (2.16) 10. Визначають вихідний опір каскаду:  EMBED Equation.3 
. (2.17) 11. Розраховують верхню граничну частоту підсилення каскаду: ...