Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
Національний університет “Львівська політехніка”
кафедра ТРР
Звіт
про виконання лабораторної роботи №2
з предмету “Основи автоматизації проектування
радіоелектронних пристроїв” на тему:
“Моделювання статичних характеристик
біполярного транзистора”.
виконав студент групи РТ-31
прийняв доц.
Крук О. Г.
Львів 2001
Мета роботи: моделювання біполярного транзистора в режимі постійного струму у середовищі програмно-методичного комплексу MicroCAP III.
Хід роботи:
Виводимо схему, за якою визначаємо вихідні статичні характеристики біполярного транзистора, в MicroCAP III і зберігаємо їх в бібліотеці. (Iб=0, R=0.001 Ом).
Вводимо в бібліотеку параметри заступної схеми транзистора.
Для номінальних значень Re, Rb, Rc розраховуємо вихідні статичні характеристики для Iб=0, 20, 40, 60 (А, ЕК=0...18 В при Т=27(С. Отримуємо графік:
Задаєм варіацію Rb=0...0.5 кОм, (=0.25 кОм.
Задаєм варіацію Rc=0...0.5 кОм, (=0.25 кОм.
Задаєм варіацію Re=0...100 Ом, (=50 Ом.
Для номінальних значень Re, Rb, Rc визначаємо характеристики при 77(С:
та 127(С:
Вводимо схему, за якою визначаються вхідні статичні характеристики біполярного транзистора, в MicroCAP III і зберігаємо її в бібліотеці. (R=0.001 Ом, ЕК=5 В).
Для номінальних значень Re, Rb, Rc розраховутємо вхідні статичні характеристики для ЕК=5, 10, 15 В, Ueb=0...1 B при Т=27(С.
Задаєм варіацію Rc.
Задаєм варіацію Rb.
Задаєм варіацію Re.
Для номінальних значень Rc,Re,Rb знімаємо характеристики при 77(.
та 127(:
Висновки: під час виконання лабораторної роботи закріпив раніше набуті знання по біполярним транзисторам, одержав необхідні характеристики та по ним дослідив принцип дії транзистора при зміні певних параметрів.