МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ Звіт до лабораторної роботи № 5 з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка” Львів – 2009 Мета роботи: Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити hb-параметри транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.1., за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерелела постійної напруги Е1=10В і Е2=1В, транзистора n-p-n типу 2Т315А . Зняти вхідну ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const. Розрахувати hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. 1. Схеми. Синтезована схема зображена на рис. 1. Рисунок 1 – Схема включення транзистора зі спільною базою. 2. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу 2Т315А. Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const 3. Розрахунок hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. Вхідний опір транзистора при

Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при

Коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при

Вихідна провідність транзистора в схемі з спільною базою при

Висновок: в даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, змодельовані вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено h-параметри транзистора у схемі зі спільною базою.