Звіт до лабораторної роботи № 5. Звіт з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 485606

Перехід до торгівельного партнера Binance

Звіт до лабораторної роботи № 5

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2009

Тип роботи:

Звіт

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ Звіт до лабораторної роботи № 5 з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка” Львів – 2009 Мета роботи: Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити hb-параметри транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.1., за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерелела постійної напруги Е1=10В і Е2=1В, транзистора n-p-n типу 2Т315А . Зняти вхідну ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const. Розрахувати hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. 1. Схеми. Синтезована схема зображена на рис. 1. Рисунок 1 – Схема включення транзистора зі спільною базою. 2. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу 2Т315А. Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const 3. Розрахунок hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. Вхідний опір транзистора при Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при Коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при Вихідна провідність транзистора в схемі з спільною базою при Висновок: в даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, змодельовані вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено h-параметри транзистора у схемі зі спільною базою.

Звіт Електроніка та мікросхемотехніка

24.11.2011 14:11-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись