Розрахунок типових вузлів електронних схем

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Комп'ютеризовані системи автоматики

Інформація про роботу

Рік:
2007
Тип роботи:
Розрахункова робота
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Група:
КС

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська політехніка” Кафедра „Комп’ютеризовані системи автоматики” Розрахункова робота №2 з дисципліни „Електроніка та мікросхемотехніка” на тему: „Розрахунок типових вузлів електронних схем” Виконав: студент групи КС-3 Львів-2007 Завдання до розрахункової роботи Для заданої схеми підсилювального каскаду вибрати тип операційного підсилювача і розрахувати значення всіх елементів схеми і вибрати їх номінальні значення і типи згідно з ДЕСТ- ом. Розрахувати основні параметри схеми (вхідний і вихідний опори, коефіцієнт підсилення за напругою, похибку коефіцієнта підсилення за напругою, значення дрейфу вихідної напруги) і визначити смугу пропускання. Номер варіанту: Схема неінвертуючого каскаду на операційному підсилювачі  EMBED Visio.Drawing.11  Розрахунок неінвертуючого каскаду на операційному підсилювачі Розрахунок починаємо з вибору типу інтегрального операційного підсилювача. Визначаємо максимальну швидкість наростання вихідної напруги, яку повинен забезпечити операційний підсилювач:  EMBED Equation.2  Отже можна обрати операційний підсилювач K140УД6 з наступними параметрами:  EMBED Equation.2 ,  EMBED Equation.3 ,  EMBED Equation.3 , Uзм /ΔT =20(мкВ/оС), Rвх.д =1MOм, Rвих.оп =200Oм, Івх=50нА, Rн.min=1кОм, Ек=15B. Визначаємо необхідне значення коефіцієнта підсилення каскаду за напругою:  EMBED Equation.2 ; Задаємося допустимим дрейфом вихідної напруги підсилювального каскаду Едр =(20 – 100 )мВ і визначаємо значення резистора зворотного зв'язку :  EMBED Equation.2 , де (Івх/T) - температурний дрейф вхідних струмів операційного підсилювача (приймаємо (Івх/T)  Iвх/100). Тос - максимальна різниця температур оточуючого середовища:  EMBED Equation.2 ; Приймаємо R3= 510кОм, резистор типу С2-23-0,125-510кОм 5%. Знаходимо значення резистора R1 з умови забезпечення необхідного коефіцієнта підсилення за напругою для неінвертуючого ввімкнення операційного підсилювача:  EMBED Equation.2 ; Розраховуємо значення вхідного опору для неінвертуючого ввімкнення операційного підсилювача:  EMBED Equation.2 ; Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні, яке повинен забезпечити підсилювальний каскад:  EMBED Equation.2 ; Максимальний струм, який може забезпечити безпосередньо сам операційний підсилювач не буде перевищувати значення:  EMBED Equation.2 , де  EMBED Equation.3 ; Транзистори VT1d і VT2d забезпечують підсилення за струмом і потужністю і складають схему комплементарний повторювач напруги. Тому вибираємо транзистори, які повинні відповідати таким вимогам:  EMBED Equation.2 ; Отже обираємо транзистори КТ-502А, які мають наступні електричні параметри:  EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 ,  EMBED Equation.3  Визначаємо вихідний опір повторювача напруги на транзисторах VT1 і VT2 :  EMBED Equation.2 , де Т - температурний потенціал (Т25 мВ). Визначаємо вихідний опір підсилювача з врахуванням загального від'ємного зворотного зв'язку:  EMBED Equation.2 ; Вибираємо резистор R2 з умови забезпечення необхідного значення вхідного опору підсилювального каскаду на операційному підсилювачі і усунення впливу опору джерела вхідного сигналу:  EMBED Equation.2 ; Розподіляємо заданий коефіцієнт частотних спотворень на низьких частотах Мн[дб]=3Дб між двома конденсаторами С1 і С2 відповідно: Мн1[дб]=0.4Дб і Мн2[дб]=2.6Дб, і розраховуємо значення ємностей цих конденсаторів.  EMBED Equation.2 ;  EMBED Equation.2   EMBED Equation.2 ;  EMBED Equation.2  де fн – нижня частота робочого діапазону частот. Висновок Виконуючи дану розрахункову роботу я для заданої схеми неінвертуючого каскаду на операційному підсилювачі вибрав тип операційного підсилювача (в данному випадку це операційний підсилювач K140УД6), а також транзистори VT1 і VT1, які складають схему комплементарний повторювач напруги (в данному випадку це кремнієві транзистори КТ-503А), і розрахував значення всіх елементів схеми, вибраd їх номінальні значення і типи згідно з ДЕСТ- ом, обрахував значення коефіцієнтів частотних спотворень на низьких і високих частотах. Використана література: Фолкенбери Л. Применения операционных усилителей и линейных ИС.  М.: Мир, 1985. Рутковски Дж. Интегральные операционные усилители.  М.: Мир, 1978. Алексенко А.Г., Коломбет Е.А., Стародуб Г.Н. Применение прецизионных аналоговых ИС.  М.: Радио и связь, 1981. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах.  Л.: Энергоатомиздат, 1988. Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / Б.П. Кудряшов, Ю.В. Назаров, Б.В. Тарабрин, В.А. Ушибышев.  М.: Радио и связь, 1981.
Антиботан аватар за замовчуванням

01.01.1970 03:01-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!
Нічого не вибрано
0%

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!