Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Розрахунок топології гібридної тонко плівкової ІМС на основі без корпусного операційного підсилювача
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Кафедра техногенно - екологічної безпеки (ТЕБ)
Інформація про роботу
Рік:
2007
Тип роботи:
Курсова робота
Предмет:
Елементної бази радіоелектроніки
Група:
РТ-21
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство науки та освіти України
НУ „Львівська політехніка”
Курсова робота
„Розрахунок топології гібридної тонко плівкової ІМС на основі без корпусного операційного підсилювача”
Виконав: студент гр.23-рт
Перевірила:
Львів 2007р.
Завдання 1
Останні числа залікової 036
Вхідні дані:
1. Схема №6
2. Метод виготовлення термічне напилення тонких плівок
Рис.1(Схема 6)
Виконуємо перетворення схеми таким чином, щоб всі зовнішні виводи знаходилися на краю довгих сторін підкладки і виключені перетинання плівкових провідників.
Рис.2( перетворена схема 6)
Розрахунок розмірів пасивних елементів
Розмір та конфігурацію плівкових резисторів знаходять по заданих номінальних опорах Ri та удільному опорі ρs вибраного з таблиці 1.
Табл.1
Матеріал резисторів
Удільний опір, Ом/квадрат
Спосіб нанесення
плівок
Ніхром
300
Термічне напиленя
МЛТ - ЗМ
500
РС - 3001
1000 – 2000
Кермет
3000 – 10000
Тантал
20 – 100
Катодне напилення
Нітрид танталу
1000
Знаходимо коефіцієнт форми всіх резисторів. Так як в моїй роботі всі резистори з однаковим опором 10КОм, то і коефіцієнт форми та габарити будуть одні і ті ж.
Удільний опір вибираю 2000 Ом/квадрат (РС – 3001).
Кф = Ri/ ρs Кф = 10000/2000 = 5
Вибраний матеріал виконує умову Кф. < 50, а також виконує умову Кф ≤ 10 (резистор прямокутний і складається з одної полоски).
Розрахунок довжини l плівкового резистора. Так як допуск та розсіювана потужність не задані, то можна прийняти b = b min = 200 мкм (при масочному методі виготовлення)
Визначивши значення b, обчислюємо l:
l = Кф* b min l = 200*5 = 1000 мкм
Визначаємо загальну площу всіх резисторів:
Sr = 4*0.2*1 = 0.8 мм2
При розрахунку плівкових конденсаторів з початку вибираємо матеріал діелектрика з таблиці 2 у відповідності з заданим способом нанесення плівкита удільному опорі ρs вибраного з таблиці 1.
Табл.2
Матеріал діелектрика
Удільний ємність Со, пф/мм2
Спосіб нанесення
плівок
Моноокись кремнію
50 - 100
Термічне напиленя
Моноокись германію
50 - 100
Двоокись кремнію
200
Катодне напилення
Окись танталу
500
Після вибору матеріала (Моноокись германію Со = 100 пф/мм2 ) обчислюєм площу конденсатора:
S = Ci/Co = A*B S = 100/100 = 1мм2
А та В – довжина та ширина площадки, що займають перекриваючі області нижньої та верхньої об кладок.
Визначаємо загальну площу, яка займається всіма елементами:
Sr = 0.8 мм2
Sс = 1 мм2
Sопер. = 2.25мм2
Sзагал. = 2.25 +1 + 0.8 = 4.05 мм2
Враховуючи площу з’єднань, проміжки між елементами ІМС і відстань від краю підложки, потрібно збільшити сумарну площу в 4 – 5 раз.
Отже сумарна площа:
Sсум. = 4.05*5 = 20.25 мм2
Вибираємо по таблиці 3 підложку розміром 10*12 мм2
Табл. 3
Довжина,мм
48
30
24
60
30
20
48
30
16
12
Ширина, мм
30
24
20
16
16
16
12
12
10
10
Завдання 2
За даним варіантом принципової схеми скласти та накреслити фрагмент структури кристалу напівпровідникової інтегральної мікросхеми (в перерізі), яка виготовляється за пленарно-епітаксальною технологією з ізоляцією елементів pn – переходами.
Креслення виконано на міліметровці згідно заданої схеми.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора