Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Розрахунок технології гібридної тонко плівкової ІМС на основі без корпусного операційного підсилювача
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Кафедра техногенно - екологічної безпеки (ТЕБ)
Інформація про роботу
Рік:
2007
Тип роботи:
Розрахункова робота
Предмет:
Елементної бази радіоелектроніки
Група:
РТ-21
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
НУ «Львівська політехніка»
Кафедра ТЕБ
Розрахункова робота
«Розрахунок технології гібридної тонко плівкової ІМС на основі без корпусного операційного підсилювача»
Виконав
Ст. гр. РТ-21
Перевірила
Львів 2007
Завдання 1
Останні числа залікової 08
Вхідні дані:
1. Схема №2
2. Метод виготовлення катодне напилення.
Рис. 1 (Схема 8)
Виконуємо перетворення схеми таким чином, щоб всі зовнішні виводи знаходилися на краю довгих сторін підкладки i виключені перетинання плівкових провідників.
Рис.2( перетворена схема 8)
мммм
Розрахунок розмірів пасивних елементів
Розмір та конфігурацію плівкових резисторів знаходять по заданих номінальних опорах Ri та удільному опорі ρs вибраного з таблиці 1.
Табл.1
Матеріал резисторів
Удільний опір, Ом/квадрат
Спосіб нанесення плівок
Ніхром
300
Термічне напилення
МЛТ – ЗМ
500
РС – 3001
1000 – 2000
Кермет
3000 – 10000
Тантал
20 – 100
Катодне напилення
Нітрид танталу
1000
Знаходимо коефіцієнт форми всіх резисторів. Удільний опір вибираю 1000 Ом/квадрат (нітрит танталу).
Кф = Ri/ ρs Кф = 25000/1000 = 25 Кф = 30000/1000 =30
Кф = 12000/1000 =12
Вибраний матеріал виконує умову Кф. < 50, а також виконує умову Кф ≥ 10 (резистор зигзагоподібний(меандр) або кілька послідовних).
Розрахунок довжини l плівкового резистора. Так як допуск та розсіювана потужність не задані, то можна прийняти b = b min = 200 мкм (при масочному методі виготовлення)
Визначивши значення b, обчислюємо l:
l = Кф* b min l = 200*25 =5000 мкм l = 200*30 = 6000 мкм
l = 200*12 = 2400 мкм
Визначаємо загальну площу всіх резисторів:
Sr1 = 2*0.2*6 = 2,4 мм2: Sr2 = 1*0,2*5 =1 мм2
Sr2 = 1*0,2*2,4 =0,48 мм2 : Sr=2,4+0,48+1=3,88 мм2
При розрахунку плівкових конденсаторів з початку вибираємо матеріал діелектрика з таблиці 2 у відповідності з заданим способом нанесення плівкита удільному опорі ρs вибраного з таблиці 1.
Табл.2
Матеріал діелектрика
Удільний ємність Со, пф/мм2
Спосіб нанесення
плівок
Моноокис кремнію
50 - 100
Термічне напилення
Моноокис германію
50 - 100
Двоокису кремнію
200
Катодне напилення
Окису танталу
500
Після вибору матеріалу (Окису танталу Со = 500 пф/мм2 ) обчислюємо площу конденсатора: S = Ci/Co = A*B S = 10000/500 = 20мм2
А та В – довжина та ширина площадки, що займають перекриваючі області нижньої та верхньої об кладок.
Визначаємо загальну площу, яка займається всіма елементами:
Sr =3,88 мм2 : Sс = 20 мм2: Sопер. = 2.25мм2:
Sзагал. = 2.25 +20 +3,88 = 26,13 мм2
Враховуючи площу з’єднань, проміжки між елементами ІМС і відстань від краю підкладки, потрібно збільшити сумарну площу в 4 – 5 раз.
Отже сумарна площа:
Sсум. = 26,13*5 = 130,65 мм2
Вибираємо по таблиці 3 підкладку розміром 10*16 мм2
Табл. 3
Довжина,мм
48
30
24
60
30
20
48
30
16
12
Ширина, мм
30
24
20
16
16
16
12
12
10
10
Завдання 2
За даним варіантом принципової схеми скласти та накреслити фрагмент структури кристалу напівпровідникової інтегральної мікросхеми (в перерізі), яка виготовляється за пленарно-епітаксальною технологією з ізоляцією елементів pn – переходами.
Креслення виконано на міліметрівці згідно заданої схеми.
Фотошаблон 1 використовується в процесі формування областей захованого п-шару, тому вікна (прозорі ділянки) у цьому фотошаблоні мають таке ж розташування і ті ж розміри, як і область п-шару.
Фотошаблон 2 призначений для проведення роздільної дифузії акцепторних домішок в епітаксіальний п шар для утворення ізольованих областей (кишень), тому вікна цього фотошаблону відповідають проміжкам між кишенями.
Фотошаблон 3 необхідний для проведення дифузії р-областей(без прп-транзисторів), тому вікна цього фотошаблону відповідають розмірам базових областей.
Фотошаблон 4 використовується при формуванні емітерних областей і приконтактних п- областей колекторів. Вікна цього фотошаблону відповідають розмірам цих областей.
Фотошаблон 5 використовується для формування вікон в шарі двоокису кремнію (SiO2) під контакти, які потім заповнюються металом при металізації всіє поверхні кристалу для створення з’єднань між елементами.
Фотошаблон 6 використовується в процесі травлення проміжків в суцільному шарі металу для отримання рисунку з’єднань між елементами на поверхні кристалу. Вікна фотошаблону 6 відповідають проміжкам, які необхідно створити в шарі металу між смужками з’єднань елементів.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора