МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА кафедра ЗІ
З В І Т до лабораторної роботи №1 з навчальної дисципліни: «Електроніка та мікросхемотехніка» на тему: «Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах» [ім’я автора приховано] Прийняв: Собчук І.С.  Львів – 2010 Мета роботи: ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних включень: спільним емітером(СЕ), спільним колектором(СК), спільною базою(СБ). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення по напрузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі СБ
Графік залежності вхідного та вихідного сигналів
Амплітудно-частотні та фазо-частотні характеристики контура
K u =78.5 Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі СЕ
Графік залежності вхідного та вихідного сигналів
Амплітудно-частотні та фазо-частотні характеристики контура
K u =87.5 Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі СК
Графік залежності вхідного та вихідного сигналів
Амплітудно-частотні та фазо-частотні характеристики контура
K u =0.95 Висновок: при виконанні лабораторної роботи було проведено аналіз перехідних процесів. По отриманих значеннях амплітуди розраховано коефіцієнт підсилення підсилювача K u, який для підсилювального каскаду з СБ становить 78.5, з СЕ – 87.5, з СК – 0.95.