Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Репрограмовані ПЗП.
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Захист інформації
Інформація про роботу
Рік:
2024
Тип роботи:
Державний іспит
Предмет:
Комп’ютерні системи
Варіант:
12
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Репрограмовані ПЗП.
РПЗП – це такі, в яких МПС виконується лише операція читання, але дозволяється стирання інформації, що в ній зберігається і запис нової. РПЗП виконує лише на МОН транзисторах. Наявність або відсутність заряду визначається лише включенням або виключенням транзистора, оскільки існують різні порогові напруги для включення і виключення. РПЗП випускається у вигляді матриць. NМОН – транзистори, в яких мож. вентилазація затвору, та ізолюючий діелектрик – тонкий шар нітро-кремнію.
При програмуванні на високих потенціалах електрони скупчуються на NSi і створюють не пропускний шар і транзистор встановлюється відкритий стан, а якщо цих електронів нема – транзистора закритий.
Uз – напруга на затворі
Іс – струм
NSi має властивість захоплювати та тривалий час зберігати електричні заряди. Коли З подає високовольтний імпульс, що перевіряє критичний рівень В захоплює заряд в залежності від амплітуди і тривалості програмуючого імпульсу. Для стирання інформації достатньо додати імпульс протилежної полярності. В залежності від наявності заряду NMOH має більшу або меншу порогову напругу, тому для читання інформації достатньо подати сигнал амплітуда якого знаходиться між 2 пороговими рівнями. Перевага:
Програмні імпульси, що подаються на З ізольовані від кола С-В, що дозволяє програмувати РПЗП без зняття МС з плати. В даних РПЗП допускається ре програмування окремих слів
РПЗП з УФС
Основним елементами таких РПЗП є МОН-транзистори з лавинною інжекцією і ізольованим затвором. Затвор у колі з SiO2 розташовані у колі діелектрика і немає зовнішнього виводу. При відсутності заряду на транзисторі він є виключеним. При подачі на С – 30В р-п-р перехід зміщується у режим лавинного пробою і електронного пробою з великою плаваючою енергією.
Величина заряду залежить від амплітуди і часу програмного імпульса. Після зняття зовнішього кола поволить себе так, ніби на його коло подається зовнішня напруга – включений стан. Оскільки З немає зовнішнього виводу, то зняти заряд електричного імпульсу неможливо, а лише за допомогою УФС або рентгенівських променів. При цьому викликається фотострум від З до підложки і МС повертається у незалежний стан, при якому всі транзистори виключені.
К155РУ5 (256слів Х 1розряд)
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора