Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Статичні та динамічні оперативні запам’ятовувальні пристрої.
Запам’ятовуючі пристрої довільної вибірки
По принципу дії вони поділяються на 2 класи:
Статичні, що можуть виконуватися на будь-якій технології
Динамічні, виконуються лише по МОН-технології
По принципу побудови пам’ять поділяється на:
із словарною організацією
із матричною організацією
Пам’ять із словарною організацією:
М=2n*m
Де m – розрядність даних
N – кількість млів, що формується на вихідному дешифраторі
РА – регістр адрес
D – дешифратор
ЗЕ – запам’ятовуючий елемент
ПЧТ – підсилювач читання
ВхРД – вхідний регістр даних
Вихід – вихідний регістр даних
Після дешифрації збуджується один з виходів цього дешифратора, який потрапляє на вхід ЗЕ цілого рядка. При читанні спрацьовує ПЧТ та інформація, що зберігається в цьому рядку фіксується у вих РД. В операції запису на вибраній словарній лінії ЗЕ по бітовим лініям подають сигнали від формувачів, зв’язаних з вхідним регістром даних. Слова з Вхід записуються у ЗЕ вибраного рядка. Як правило в ІМС вхідні і вихідні РД об’єднуються і через 2-напрямлені буферні елементи під’єднуються до ШД системи.
Пам’ять з матричною організацією
Якщо довжина слова більша 1 біту, то на кристалі розташовують кілька матриць із загальними колами від дешифратора адрес.
Елементи мікросхем оперативної пам’яті
Елемент на біполярних транзисторах
Ічит – струм читання
Аі – адрес і-го елемента
Uа – напруга, що подається на адресну шину.
На розрядну шину Рі подають опорну напругу, яка є загальною для всіх ЗЕ. Співвідношення між Uоп і Uр при наявності Ua визначає режим роботи запам’ятовуючого елементу: режим зберігання, запису та читання.
Режим зберігання Ua < (Uоп = Uр)
Схема знаходиться з однаковою стійкістю станів: VT2 відкритий і струм протікає по емітеру 1 відритого транзистора, а по емітеру 2 обох транзисторів струм не протікає.
Режим читання VT2 відкритий і струм протікає в його емітер. Щоб транслювалась інформація в розрядну шину Рі необхідно перемкнути струм емітеру, тобто закрити схему по емітеру VT1 і відкрити VT2, залишивши поперелній стна транзистора.
Напругу на адресній шині треба зробити рівною: Ua > (Uоп = Uр), тоді струм через емітер 2 перейде в Рі. Наявність струму в шині відповідає читанню „1”, а відсутність „0”. Умови режиму запису залежать від стану. В якій по Рі необхідно подати Uр>Uоп, зберігаючи Uа>Uр. При цьому тригер переходить в швидкий стан (VT2 закрито, а VT1 відкритий). Для запису в ЗЕ „1” на виході Рі необхідно подати Uр<Uоп і забезпечити Uа>Uоп. Усі елементи мають високу швидкодію (tсер = 10..70нс), та досить мале споживання потужності.
Динамічні ЗЕ
ЗЕ на МОН-транзисторах
ЗЕ на КМОН транзисторах
БЛ – бітові лінії, СЛ – словарні лінії
Якщо на VT „1” – запис інформації в СЛ, якщо ні VT „0” – читання інформації з СЛ. Головний недолік динамічного ЗЕ – конденсатор має особливість, його розряд з часом зменшується, і тому потрібно виконувати його регенерацію. Переваги – динамічні ЗЕ – прості і дозволяють будувати на їх основі ВІС
Елементи ПЗП
на діоді на МОН-транзисторі
К155РЕ5
Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть
або зареєструйтесь.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!