Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2008
Тип роботи:
Інші
Предмет:
Інші
Група:
КС-23
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
№4
ЗНЯТТЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ
ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ З
СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ
Львів 2008
Мета роботи – вивчення особливостей роботи транзистора в схемі з спільним емітером, зняття вхідних і вихідних статичних характеристик, визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опору.
Теоретичні відомості
Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. Таким чином транзистор має два n –p переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. У залежності від полярності напруги, яка прикладається до його переходів, транзистор може працювати в трьох режимах В активному режимі на емітерному переході напруга пряма, а на колекторному – зворотна. В режимі відсічки, або закривання, на обидва переходи подається зворотна напруга. Якщо на обох переходах напруга пряма, то транзистор працює в режимі насичення. Різновидністю активного режиму є інверсне ввімкнення транзистора, коли емітерний перехід зміщений у зворотному, а колекторний у прямому напрямках. Активний режим є основним і використовується в підсилювачах і генераторах.
Схема для дослідження, необхідні прилади і деталі
Схема для зняття характеристик транзистора в схемі з спільним емітером наведена на рис.3. Для підбору елементів схеми необхідно знати параметри досліджуваного транзистора.
Виконання роботи
План роботи:
1. Складання і випробування схеми.
2. Зняття вхідних статичних характеристик транзистора Іб = f (Uбе) при Uке = const.
3. Зняття вихідних статичних характеристик транзистора Ік = f1 (Uке) при Іб = const.
4. Побудова статичних характеристик транзистора.
5. Визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опору транзистора.
Зняття вхідних статичних характеристик транзистора
Іб=f (Uбе) при Uке=const
Таблиця 1
Іб=f (Uбе) при Uке=const
Транзистор типу __________
Uke=0 B
Uke=1 B
Uбе, В
Iб,мкА
Uke=1 B
Iб,мкА
0
0
0
0
0,2
0
0,1
0
0,4
4
0,2
0,2
0,6
12
0,3
0,8
0,8
28
0,4
2,4
1
44
0,5
5,4
1,2
70
0,6
10
1,4
100
0,7
14,8
1,6
126
0,8
14,8
Зняття вихідних статичних характеристик транзистора
Ік=f1 (Uке) при Іб=const
Ік=f ( Uке ) при Іб=const.
Транзистор типу ________
Іб=20 мкА
Іб=40 мкА
Іб=60 мкА
Іб=80 мкА
Іб=100 мкА
Іб=120 мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
0,5
10
0,5
24
0,5
38,5
0,5
54
0,5
66
0,5
78
1
12
1
26
1
42
1
54
1
68
1
80
1,5
12
1,5
27
1,5
42
1,5
56
1,5
70
1,5
82
2
12
2
28
2
44
2
56
2
72
2
84
2,5
13
2,5
28
2,5
45
2,5
58
2,5
74
2,5
84
3
13
3
30
3
46
3
58
3
74
3
84
3,5
14
3,5
30
3,5
47
3,5
60
3,5
76
3,5
88
4
14
4
31
4
48
4
60
4
76
4
_-----_
4,5
15
4,5
32
4,5
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
5
16
5
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
_-----_
Іб=5мкА
Іб=10 мкА
Іб=15 мкА
Іб=20 мкА
Іб=25 мкА
Іб=30 мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
Uке, В
Iк,мкА
0,2
0,16
0,2
0,28
0,2
0,48
0,2
0,64
0,2
0,76
0,2
0,925
0,4
0,17
0,4
0,32
0,4
0,48
0,4
0,66
0,4
0,8
0,4
0,96
0,6
0,18
0,6
0,32
0,6
0,49
0,6
0,67
0,6
0,82
0,6
0,97
0,8
0,19
0,8
0,32
0,8
0,5
0,8
0,67
0,8
0,84
0,8
0,98
1
0,2
1
0,32
1
0,5
1
0,68
1
0,84
1
1
1,2
0,22
1,2
0,33
1,2
0,5
1,2
0,68
1,2
0,84
1,2
1,01
1,4
0,22
1,4
0,33
1,4
0,51
1,4
0,69
1,4
0,84
1,4
1,02
1,6
0,23
1,6
0,34
1,6
0,51
1,6
0,7
1,6
0,84
1,6
1,2
1,8
0,23
1,8
0,34
1,8
0,52
1,8
0,71
1,8
0,84
1,8
1,2
2
0,24
2
0,35
2
0,52
2
0,71
2
0,85
2
1,2
2,2
0,24
2,2
0,36
2,2
0,52
2,2
0,71
2,2
0,85
2,2
1,4
Визначення коефіцієнта підсилення
Нехай Uке=2 В, Іб=40 мкА;
Взявши ΔІб=40 мкА, ΔІк=32 мА
Визначення вхідного опору
За графіком визначимо ΔІб=60 мкА, ΔUб=0,4 В
Ом.
Висновок: в даній лаб. роботі ми вивчили особливості роботи транзистора в схемі зі спільним емітером; ознайомились з вхідними та вихідними статичними характеристиками транзистора.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора