Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
Національний університет „Львівська політехніка”
Кафедра „Комп’ютеризовані системи автоматики”
Розрахункова робота
з навчальної дисципліни „Електроніка та мікросхемотехніка”
(частина ІІ) „Розрахунок типових вузлів електронних схем”
для студентів стаціонарної форми навчання освітнього напряму:„Комп’ютеризовані системи, автоматика і управління”
Варіант 1.1.3
1. Підсилювачі змінного струму
1.1. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером
Рис.1.1. Схема транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером
Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні
Задаємося значенням струму колектора транзистора в режимі спокою
Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора транзистора .
Знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора
де – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає Приймаємо 0,7B.
Тоді (2+0.7)B=2.7B
Отримуємо формулу для напруги живлення підсилювального каскаду
Приймаємо значення напруги живлення виходячи з нормалізованого ряду: 5В, 6В, 9В, 10В, 12В, 15В, 18В, 20В, 24В, 27В, 30В, 36В, 40 В, 50В, 60В, …, 100В.
Розраховуємо значення емітерного резистора
Номінальні значення розрахованих резисторів, переважно, вибираємо згідно з нормалізованого ряду Е24 з допуском .
Розраховуємо значення колекторного резистора
Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою
Задаємося струмом базового подільника напруги .і розраховуємо значення опорів резисторів і
де – значення відповідних параметрів транзистора при мінімальній температурі оточуючого середовища.
Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги
.
Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності