Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Комп’ютеризовані системи
Кафедра:
Комп'ютеризовані системи автоматики
Інформація про роботу
Рік:
2024
Тип роботи:
Розрахункова робота
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
Національний університет „Львівська політехніка”
Кафедра „Комп’ютеризовані системи автоматики”
Розрахункова робота
з навчальної дисципліни „Електроніка та мікросхемотехніка”
(частина ІІ) „Розрахунок типових вузлів електронних схем”
для студентів стаціонарної форми навчання освітнього напряму: „Комп’ютеризовані системи, автоматика і управління”
Варіант 1.1.3
1. Підсилювачі змінного струму
1.1. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером
Рис.1.1. Схема транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером
№
вар.
PН
(Вт)
RН
(кОм)
Uвих.m
(В)
МН
(дб)
fН
(Гц)
fВ
(кГц)
RГ
(кОм)
TОС
(оС)
3
-
0,5
2
1,5
100
50
5
+ 5 ( + 40
Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні
Задаємося значенням струму колектора транзистора в режимі спокою
Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора транзистора .
Знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора
де – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає Приймаємо 0,7B.
Тоді (2+0.7)B=2.7B
Задаємося спадом напруги на емітерному резисторі і записуємо вираз для значення напруги живлення підсилювального каскаду:
Отримуємо формулу для напруги живлення підсилювального каскаду
(приймаємо значення напруги живлення виходячи з нормалізованого ряду: 5В, 6В, 9В, 10В, 12В, 15В, 18В, 20В, 24В, 27В, 30В, 36В, 40 В, 50В, 60В, …, 100В.)
Розраховуємо значення емітерного резистора
Om=0.2kOm
Номінальні значення розрахованих резисторів, переважно, вибираємо згідно з нормалізованого ряду Е24 з допуском .
Розраховуємо значення колекторного резистора
Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою
Задаємося струмом базового подільника напруги .і розраховуємо значення опорів резисторів і
де – значення відповідних параметрів транзистора при мінімальній температурі оточуючого середовища.
Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги
.
Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності
Розраховуємо значення приросту некерованого струму колектора при зміні температури в заданому діапазоні .
Для кремнієвих транзисторів
де – значення некерованого струму колектора транзистора при певній температурі Т0 (переважно ця температура складає 20о С або 25оС).
Для германієвих транзисторів
Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні
де – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 (мВ/ oC).
Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на
де – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC).
Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації
Реальний приріст колекторного струму в режимі спокою при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів для заданої схеми термостабілізації
Цей приріст струму не повинен перевищувати допустимого значення, що дозволяє забезпечити необхідний діапазон вихідної напруги і струму каскаду на навантажені при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні.
Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером за змінним струмом
Визначаємо дифузійний опір емітерного переходу транзистора для змінного струму
де – температурний потенціал (при Тос=20оС ).
Дифузійний опір бази
Визначаємо загальний опір бази транзистора ,
де – об’ємний опір бази.
Визначаємо вхідний опір каскаду для змінного струму в схемі з спільним емітером
Еквівалентний опір навантаження каскаду для змінного струму
Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою
де Rг – опір джерела вхідного сигналу.
Визначаємо еквівалентний вхідний опір каскаду з врахуванням впливу базового подільника напруги
Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за струмом
де – опір колекторного переходу транзистора для схеми з спільним емітером, .
Визначаємо вихідний опір каскаду для змінного струму.
.
Значення ємностей розділювальних конденсаторів визначаємо з умови забезпечення необхідного рівня частотних спотворень на низьких частотах.
Сумарний рівень частотних спотворень на низьких частотах Мн, які вносяться підсилювальним каскадом буде складати
де fн – нижня частота робочого діапазону частот,
– коефіцієнт частотних спотворень, які вносяться ємністю конденсатора С1.
– коефіцієнт частотних спотворень, які вносяться ємністю конденсатора С2.
– коефіцієнт частотних спотворень, які вносяться ємністю конденсатора Се,
– вихідний опір какаду для схеми з спільним колектором
де – еквівалентний опір зовнішнього кола на вході підсилювального каскаду
.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора