Національний університет “Львівська політехніка”
Інститут комп’ютерних наук та інформаційних технологій
Звіт
Лабораторна робота №1
“ ЕКСПЕРЕМИНТАЛЬНЕ ВИЗНАЧЕННЯ ВАХ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ДІОДА ”
Львів – 2004
Мета роботи: Експереминтальне визначення ВАХ напівпровідникового діода.
Теоретичні відомості
Напівпровідниковим діодом називається напівпровідниковий прилад з одним p-n-переходом і двома зовнішніми виводами-електродами. На рис.1 наведено позначення напівпровідникового діода на електричних схемах.
P-n-перехід визначає властивості, технічні характеристики та параметри діода. Одна з областей p-n-переходу, яка має більшу концентрацію основних носіїв заряду ніж інша, називається емітером. Область, яка має меншу концентрацію основних носіїв, називається базою.
Вольт-амперна характеристика (ВАХ) напівпровідникового діода (НП-діода) близька по формі до узагальненої ВАХ р-п-переходу. На рис. 2 наведено типову ВАХ НП-діода.
На ВАХ НП-діода можна виділити такі характерні точки:
т.1 - при прикладенні прямої напруги, більшої від напруги потенціального бар'єру, , опір діода визначається лише об'ємним опором напівпровідникових областей (опором базової області і опором приконтактних ділянок);
т.2 - т.3 - між точками 2 і 3 збільшується зворотній струм. Ця ділянка відповідає передпробійному стану діода;
т.3 - в точці 3 відбувається електричний пробій р-п-переходу, що супроводжується різким збільшенням зворотнього струму;
т.4 - в точці 4 електричний пробій переходить в тепловий пробій. По ВАХ НП-діода можна визначити основні параметри діода:
постійний зворотній струм діода де - тепловий струм (струм насичення неосновних носіїв заряду), - струм термогенерації, - струм "утічки" при заданій зворотній напрузі;
постійну зворотну напругу - значення постійної напруги, прикладеної до діода у зворотньому напрямі;
постійний прямий струм діода - значення постійного струму через діод у прямому вмиканні;
постійну пряму напругу - значення постійної напруги на діоді при заданому значенні постійного прямого струму .
диференціальний опір в робочій точці:
Із зміною температури Т положення ВАХ -НП-діода змінюється (див. рис. 2). Граничними параметрами НП-діода є:
допустима зворотня напруга , де - пробивна напруга р-п-переходу;
максимально допустимий прямий струм .
Із збільшенням температури граничні параметри НП-діода знижуються.
НП-діоди дуже поширені в електронних пристроях. Одним із прикладів застосування НП-діодів є випростувачі змінного струму.
Хід роботи
Для експериментального визначення прямої ділянки ВАХ збирають електричне коло, наведене на рис. 3.
Рис. 3 Електричне коло для визначення прямої ділянки.
Позначення на рисунку:
mА - міліамперметр постійного струму;
mV - мілівольтметр постійного струму;
VD - досліджуваний НП-діод.
Потенціометром R2 змінюють значення прямої напруги , яке вимірюють мілівольтметром mV. Значення прямого струму при цьому вимірюють міліамперметром mА. Результати експерименту заносять у таблицю 1. Для експериментального визначення оберненої ділянки ВАХ збирають електричне коло, наведене на рис. 4.
Рис. 4 Електричне коло для визначення оберненої ділянки ВАХ.
Позначення на рисунку:
mА - мікроамперметр постійного струму;
V - вольтметр постійного струму;
VD - досліджуваний НП-діод.
Потенціометром R2 змінюють значення зворотної напруги U3B, яке вимірюють вольтметром V. Значення зворотнього струму вимірюють мікроамперметром mА. Результати експерименту заносять у таблицю 2.
За результатами таблиць 1 і 2 рисують ВАХ НП-діода, по якій визначають основні його параметри: .
Результати
, В
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,35
0,4
0,45
0,5
, mA
0
0,1
0,3
0,7
1,4
2,4
4,1
6,5
10
, В
1
2
4
6
8
10
, μA
2,49
2,76
3,19
3,59
3,90
4,14
Висновок: У даній лабораторній роботі я експереминтально визначив вольт-амперну характеристику (ВАХ) напівпровідниковго діода.