Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2008
Тип роботи:
Контрольна робота
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка
Група:
КС-23
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерствао освіти та науки України
Національний університет «Львівська Політехніка»
Домашня контрольна робота
з електроніки та мікросхемотехніки
Завдання №1. Опишіть фізичні процеси або принцип роботи і побудови, основні параметри і характеристики, умовне позначення і область застосування вказаного електронного елемента.
46. Напівпровідникові резистори.
Напівпровідникові резистори, що мають нелінійні властивості, називаються варисторами. Вони ще називаються нелінійними напівпровідниковими опорами (ННО). Основним матеріалом для варисторів служить порошок карбіду кремнію SiC з якою-небудь зв'язуючою речовиною. Нелінійність опору пояснюється головним чином нагрівом мікроконтактів між зернами карбіду кремнію. Зовні варистори оформляються у вигляді стержнів або дисків. На рис.1 наведені вольт-амперна характеристика варистора і його умовне зображення на схемах. Варистори можна використати на постійному і на змінному струмі з частотою до декількох кілогерців. При більш високих частотах починає позначатися власна ємність варистора. Практичне застосування варисторів досить різноманітне. Вони використовуються для захисту від перенапруг, в стабілізаторах і обмежувачах напруга, в різних схемах автоматики.
Найважливіші параметри варисторів:
коефіцієнт нелінійності – це відношення опору постійному струму до опору змінному струму, звичайно він складає (3 ( 6);
максимальна допустима напруга (від десятків вольт до декількох кіловольт);
номінальна потужність розсіювання (1(3 ) Вт;
температурний коефіцієнт опору, переважно - (5·10-3 ( 10-1) 1/оС;
гранична максимальна робоча температура (60(70)°С.
Терморезистори – це напівпровідникові резистори, у яких опір сильно залежить від температури. Їх ще називають термоопорами або термісторами. Частіше за все терморезистори виготовляють з оксидів металів і мають від’ємний температурний коефіцієнт опору (ТКО). Вони оформлені в вигляді стержнів, пластин, дисків, шайб або намистинок. Випускаються також терморезистори, що мають в деякому, порівняно вузькому інтервалі температур додатний ТКО і які називають позисторами.
На рис.2 показані: крива залежності опору терморезистора з від’ємним ТКО від температури, вольт-амперна характеристика при різних умовах тепловідведення і умовне зображення терморезистора на схемах. Крива 1 відповідає найкращому тепловідведенню, а крива 2 - найгіршому.
Терморезистори застосовуються як давачі температури і нелінійні резистори в різних пристроях автоматики. Спеціальні малогабаритні здвоєні терморезистори, які називають болометрами, застосовуються для вимірювання енергії випромінювання. Деякі терморезистори випускаються з непрямим підігрівом, тобто мають підігрівач, через який пропускають струм.
Найважливіші параметри терморезисторів:
номінальний опір (від декількох Ом до декількох кілоом з допусками ±5, ±10 і ±20%);
температурний коефіцієнт опору, звичайно -(0,8±6,0)·10-2 1/оС.
Крім того, для деякої певної температури, наприклад 20 оС, вказується опір постійному і змінному струму.
При експлуатації треба враховувати максимальну допустиму температуру і максимальну допустиму розсіювану потужність.
Використовують у електропобутовій техніці, комп’ютерних мікросхемах, запобіжниках.
Завдання №2. За характеристиками вказаного елемента (положення робочої точки необхідно вибрати з довідника самостійно) визначити і розрахувати:
2.3.1. У – параметри біполярного транзимтора з провідністю n-p-n типу для схеми ввімкнення з спільною базою.
Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, оскільки їх робота основана на використанні носіїв заряду обох знаків. Транзистор побудований на основі напівпровідникової монокристалічної пластини, в якій створені три області з різними типами електропровідності.
Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. Таким чином транзистор має два n-p переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. Віддаль між цими переходами повинна бути дуже малою (одиниці мікрометра), окрім цього концентрація домішок у базі завжди на декілька порядків менша ніж в емітері і колекторі.
В залежності від полярності напруги на його переходах. транзистор може працювати в трьох режимах. В активному режимі на емітерному переході напруга пряма, а на колекторному – зворотна. В режимі відсічки або закривання на обидва переходи подається зворотна напруга. Якщо на обох переходах напруга пряма, то транзистор працює в режимі насичення. Різновидністю активного режиму є інверсне ввімкнення транзистора, коли емітерний перехід зміщений у зворотному, а колекторний в прямому напрямках. Активний режим є основним і використовується в підсилювачах і генераторах.
Для схеми з спільною базою:
,,,;
Ці параметри визначають при короткому замиканні для змінного струму. Вихідна провідність
Провідність зворотного зв’язку
Параметр вказує яка частина струму виникає за рахунок зворотного зв’язку при зміні вихідної напруги.
Провідність управління(крутизна)
Величина характеризує керуючу дію вхідної напруги на вихідний струм .
Вихідна провідність
За допомогою у-параметрів струми і напруження транзистора можна зв’язати рівняннями
Отже:
Використана література
Жеребцов І.П. Основи електроніки. – 1989.
Степаненко І.П. Основи теорії транзисторів і транзисторних схем – 1973.
Руденко В.С. Основи електроніки. – 1985.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора