Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
DevioLab
CRYPTO TRADING AUTOMATION
LIVE
AUTOMATED CRYPTO TRADING • BINANCE
Автоматизуйте свій
криптопортфель
Торгові боти DevioLab аналізують крипторинок,
автоматично відкривають і закривають позиції
та керують вашим портфелем на Binance 24/7.
CRYPTO
80 Bots
BINANCE
Spot Trading
TRADING
24 / 7
deviolab.com
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2015
Тип роботи:
Інші
Предмет:
Інші
Група:
КС-23
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
№5
ЗНЯТТЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ З СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ
Мета роботи – зняття вхідної і вихідної характеристик транзистора в схемі з спільною базою і визначення його h-параметрів за статичними характеристиками.
Теоретичні відомості
Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, оскільки їх робота основана на використанні носіїв заряду обох знаків. Структура і умовне позначення біполярного транзистора зображені на рис.1. Транзистор побудований на основі напівпровідникової монокристалічної пластини, в якій створені три області з різними типами електропровідності. Для прикладу на рис.1.а зображений транзистор з електропровідністю типу n-p-n, середня область якого має діркову p, а дві крайні – електронну n електропровідність. Широко застосовуються також транзистори з електропровідністю типу p-n-p, в яких діркову p електропровідність мають дві крайні області, а середня область має електронну n електропровідність.
Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. Таким чином транзистор має два n-p переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. Віддаль між цими переходами повинна бути дуже малою (одиниці мікрометра), окрім цього концентрація домішок у базі завжди на декілька порядків менша ніж в емітері і колекторі.
В залежності від полярності напруги на його переходах. транзистор може працювати в трьох режимах. В активному режимі на емітерному переході напруга пряма, а на колекторному – зворотна. В режимі відсічки або закривання на обидва переходи подається зворотна напруга. Якщо на обох переходах напруга пряма, то транзистор працює в режимі насичення. Різновидністю активного режиму є інверсне ввімкнення транзистора, коли емітерний перехід зміщений у зворотному, а колекторний в прямому напрямках. Активний режим є основним і використовується в підсилювачах і генераторах.
Схема для дослідження, необхідні прилади
Електричні параметри деяких типів транзисторів
Тип транзистора
Максимально допустимий постійний
Струм колектора
Ік макс, мА
Максимально допустима напруга між колектором і емітером
Uке макс, В
Максимально допустима напруга між колектором і базою
Uкб. макс, В
Максимально допустима зворотна напруга між емітером і базою
Uеб. макс зв, В
Максимально допустима потужність, яка
розсіюється на колекторі
Рк макс, Вт
П27
6
5
5
5
30
КТ203А
10
60
60
30
150
ГТ109А
20
6
10
5
30
МП41
20
15
15
15
150
КТ361А
50
25
25
4
150
КТ3107А
100
25
30
5
300
КТ503А
150
25
40
5
350
ВИКОНАННЯ РОБОТИ
План роботи:
1.Складання і випробування схеми.
2.Зняття вхідних статичних характеристик транзистора Іе=f (Uеб) при Uкб=сonst.
3. Зняття вихідних статичних характеристик транзистора Ік=f (Uкб )при Іе=сonst.
4. Побудова статичних характеристик транзистора.
5. Визначення h11б-, h12б-, h21б-, h22б-параметрів за статичними характеристиками транзистора.
Зняття вхідних статичних характеристик транзистора
Іе=f ( Uеб ) при Uкб=сonst
Uкб=0 В
U'кб=1 В
Uбе, В
Іе, мА
Uбе, В
Іе, мА
0,1
1
0,1
1
0,3
1,5
0,4
1,9
0,5
4
0,6
5
0,7
7
0,7
7,5
0,8
8,5
0,8
9
0,9
8,8
0,95
9,4
Зняття вихідних статичних характеристик транзистора
Ік= f ( Uкб ) при Іе=сonst
Іе=1 мА
Uкб, В
2
12
21
Іе=1 мА
Uкб, В
0,8
7
11
Ік, мА
1
1
1
Ік, мА
1
1
1
Іе2
Uкб, В
4
12
21
Іе2
Uкб, В
1,5
7
11,5
Ік, мА
1,5
1,6
1,7
Ік, мА
1,4
1,5
1,6
Іе3
Uкб, В
3
8
21
Іе3
Uкб, В
2
6
11,5
Ік, мА
3
3,1
3,2
Ік, мА
2
2,1
2,2
Іе4
Uкб, В
4
10
21
Іе4
Uкб, В
2
7
11,5
Ік, мА
5
5,1
5,3
Ік, мА
3
3,1
3,2
Іе5
Uкб, В
3
12
21
Іе5
Uкб, В
1,5
8
11,5
Ік, мА
6,6
7
7,3
Ік, мА
4
4,2
4,3
Іе6
Uкб, В
4,3
13
21
Іе6
Uкб, В
1,5
7
11,5
Ік, мА
7,9
8
8,2
Ік, мА
5
5,1
5,2
Побудова статичних характеристик транзистора
Визначення hб-параметрів
за статичними характеристиками транзистора
при
де , а
Отже,
З цього ж трикутника визначаємо h12б ( коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при
,
де , а
Підставляємо значеня і у вираз для h12б і отримуємо
Параметри h21б і h22б визначають за вихідними характеристиками. Побудувавши характеристичний трикутник fnk знаходимо h21б ( коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою.
при
де ; а
З цього ж характеристичного трикутника fnk на вихідній характеристиці визначаємо h22б ( вихідну провідність транзистора в схемі з спільною базою
при
де а
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора