Розрахункова робота Завдання №1. Розрахункова робота з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 516695

Розрахункова робота Завдання №1

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2012

Тип роботи:

Розрахункова робота

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти та науки України Національний університет “Львівська політехніка” / Розрахункова робота Завдання №1 з навчальної дисципліни "Електроніка та мікросхемотехніка" Львів 20111. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення в схемі зі спільним емітером 1.1. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером за постійним струмом Завдання:1 Таблиця 1 № вар. PН (Вт) RН (кОм) Uвих.m (В) МН (дб) fН (Гц) fВ (кГц) RГ (кОм) TОС (оС) 34 - 5 20 1,5 20 50 0,5 +10 ( + 40 Рис.1. Схема транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні Вибираємо значення струму колектора транзистора в режимі спокою Приймаємо значення струму спокою колектора і знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора в режимі спокою де – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає Розраховуємо напруги живлення підсилювального каскаду Приймаємо значення напруги живлення (див. додаток 1). При виборі типу транзистора керуємося такими вимогами: ; кГц Вибираємо тип транзистора Параметри транзистора: Таблиця 2 Тип транзистора fα, МГц h21e,(β) Ск, пФ τкб, пс Ік.0, мкА Uке.макс, В Ік.доп, А Pк.доп, Вт Rt.пк, оС/Вт КТ630Б 50 80-240 15 1 80 1,0 1,0 156 Вибираємо резистори: Резистори загального застосування з металодіелектричним провідним шаром типу С2-33, які призначені для роботи в колах постійного, змінного та імпульсного струму. Параметри резисторів: Таблиця 3 Тип резистора Номінальна потужність, Вт Діапазон номінальних опорів, Ом Розміри, мм D L l d C2-33 0,125 1 - 3,01·106 2,2 6,0 20 0,6 0,25 1 - 5,11·106 3,0 7,0 0,5 1 - 5,11·106 4,2 10,2 25 0,8 1,0 1 - 10·106 6,7 13,0 2,0 1 - 10·106 8,8 18,5 1,0 Примітка. Проміжні значення номінальних значень опорів відповідають ряду ряду Е24 з допусками ±5 ; ±10%. Задаємося спадом напруги на емітерному резисторі в режимі спокою Розраховуємо значення опору резистора в колі емітера Номінальні значення розрахованих резисторів вибираємо з стандартного ряду Е24 (див. додаток1). Re=2,4кОм; тип резистора C2-33-0,125-2,4кОм±5% Розраховуємо значення опору резистора в колі колектора Номінальні значення резистора Rк=5,6 кОм; тип резистора C2-33-0,25-5,6кОм±5% Визначаємо значення струму бази транзистора в режимі спокою Задаємося струмом базового подільника напруги і розраховуємо значення опорів резисторів і Приймаємо: ; Згідно стандартного ряду Е24 приймаємо: 130кОм =51кОм; тип резисторів R1: C2-33-0,125-130кОм±5%; R2: C2-33-0,125-51кОм±5% Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги . Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності Розраховуємо значення приросту зворотного струму колектора при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні . Для кремнієвих транзисторів де – значення зворотного струму колектора транзистора при відомій температурі Т0 (переважно ця температура складає 20о С або 25оС). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні де – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 мВ / oC. Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі зі спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на де – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі зі спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC). Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації Реальний приріст колекторного струму в режимі спокою при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів для заданої схеми термостабілізації Цей приріст струму не повинен перевищувати (10(20) % від значення струму в стані спокою , що дозволяє забезпечити задовільний діапазон зміни вихідної напруги і струму в навантаженні при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером за змінним струмом Визначаємо вхідний опір каскаду для змінного струму в схемі зі спільним емітером Еквівалентний опір навантаження каскаду для змінного струму Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою Визначаємо еквівалентний вхідний опір каскаду з урахуванням впливу базового подільника напруги Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за струмом де – опір колекторного переходу транзистора для схеми зі спільним емітером. Визначаємо вихідний опір каскаду для змінного струму. . Значення ємностей розділювальних конденсаторів визначаємо з умови забезпечення необхідного рівня частотних спотворень на нижніх частотах. Розрахуємо вихідний опір каскаду для схеми зі спільним колектором де – еквівалентний опір зовнішнього кола на вході підсилювального каскаду . Розподіляємо частотні спотворення на нижній частоті між усіма конденсаторами схеми дб, переводимо частотні спотворення на нижній частоті у відносні одиниці (Мн=100,05·Мн[дб] ) і розраховуємо значення ємностей конденсаторів. Мн1=100,05*0,2=1,023; Мн2=100,05·0,1=1,011; Мн3=100,05·1,2=1,148 де – коефіцієнт частотних спотворень на нижній частоті у відносних одиницях за рахунок ємності конденсатора С1. Вибираємо тип конденсатора С1: Конденсатор плівковий К73-17 Номінальна ємність, мкФ Розміри, мм L B H A d 1 18 6,3 13 15 0,8 де – коефіцієнт частотних спотворень на нижній частоті у відносних одиницях за рахунок ємності конденсатора С2. Вибираємо тип конденсатора С2: Тип конденсатора Номінальна ємність, мкФ Номінальна напруга, В Допустиме відхилення, % Розміри, мм D L d l К53-7 6,8 30 +20…-15 7,5 27,5 0,9 32,5 де – коефіцієнт частотних спотворень на нижній частоті за рахунок ємності конденсатора Се. Вибираємо тип конденсатора Се: Тип конденсатора Номінальна ємність, мкФ Номінальна напруга, В Допустиме відхилення, % Розміри, мм D H d l К50-16 2000 16 +80…-20 19,0 46,0 0,6 10,0 Висновок: під час виконання даної розрахункової роботи я визначав параметри електричних компонентів принципової схеми, які забезпечать її ефективну оптимізацію в подальшому. Таким чином, електричний розрахунок дає початкові значення параметрів радіоелектронних пристроїв, які на наступних етапах проектування будуть уточнені. Під час розрахунку були визначені параметри всіх активних і пасивних елементів, а також вибрані їх типи при значеннях вихідних параметрів, які гарантують працездатність електронної апаратури в реальних умовах її експлуатації. Список літератури Схемотехніка електронних систем: У3 кн.1 Аналогова схемотехніка та імпульсні пристрої. Підручник / В.І. Бойко, А.М. Гуржій, В.Я. Жуйков та ін. – 2-ге вид., допов. і переробл. – К.: Вища школа, 2004. ( 366с. Електроніка та мікросхемотехніка / В.І. Сенько, М.В. Панасенко, Є.В. Сенько та ін. ( К.: Обереги.2000. – Т1. ( 299с. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2005. — 528 с. Додик С.Д. Полупроводниковые стабилизаторы постоянного напряжения и тока. ( М.: Советское радио, 1980. Китаев В.Е.,Бокуряев А.А. Расчет источников электропитания устройств сязи. ( М.: Связь, 1979. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. Киев: Вища школа, 1983. Цыкина А.В. Электронные усилители. ( М.: Радио и связь, 1982. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот. Под ред. Н.Л. Безладнова. ( М.: Связь, 1978. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств: Учебное пособие для вузов по специальности “Автоматика и управление в технических системах.” ( М.: Высш. школа, 1989. Проектирование усилительных устройств. Под ред. Н.В. Терпугова. ( М.: Высшая школа, 1982. Воейков Д.Д. Конструирование низкочастотных генераторов. ( М.: Энергия, 1964. Бондаренко В.Г. RC-генераторы синусоидальных колебаний на транзисторах. ( М.: Связь, 1976. Герасимов С.М. Расчет полупроводниковых усилителей и генераторов. ( Киев: Вища школа, 1961. Вавилов А.А., Солодовников А.И., Шнайдер В.В. Низкочастотные измерительные генераторы. ( Л.: Энергоатомиздат, 1985.

Розрахункова робота Електроніка та мікросхемотехніка

dert5555

02.04.2012 16:10

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись