Дослідження підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології

Факультет:

Інститут комп’ютерних технологій, автоматики та метрології

Кафедра:

Захист інформації

Інформація про роботу

Рік:

2013

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Група:

ЗІ-32

Коротко про документ

Про що ця робота

Звіт присвячено дослідженню підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних схем включення. Виконано моделювання та визначено амплітудно-частотні характеристики і коефіцієнти підсилення.

У роботі розглядаються

Біполярні транзистори
Підсилювальні каскади
Спільна база
Амплітудно-частотна характеристика
Схемотехнічне моделювання

Зміст і розділи

Мета роботи
Хід роботи
Схема зі спільною базою
Схема зі спільним емітером
Схема зі спільним колектором
Висновок

Для кого:Студенти технічних спеціальностей вищих навчальних закладів

Викладачі:Кеньо Г.В.

Ключові поняття

підсилювальний каскадкоефіцієнт підсиленнясмуга пропусканняачхмоделюваннямікросхемотехнікаемітерний повторювачперехідні процесипасивні елементи

Схожі матеріали

ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРАХ Переглянути → МОДЕЛЮВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЧІВ ПОСТІЙНОГО СТРУМУ ТА ПОТУЖНОСТІ Переглянути → ДОСЛІДЖЕННЯ ЧАСОВИХ ДІАГРАМ ОПЕРАЦІЙНИХ СХЕМ Переглянути → МОДЕЛЮВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЧАСОВИХ ДІАГРАМ ВИПРЯМЛЯЮЧИХ СХЕМ. МОДЕЛЮВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЧАСОВИХ ДІАГРАМ СТАБІЛІЗАТОРІВ НАПРУГИ Переглянути → МОДЕЛЮВАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЧАСОВИХ ДІАГРАМ ГЕНЕРАТОРІВ Переглянути → Дослідження часових діаграм операційних схем Переглянути →

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА" ІНСТИТУТ КОМП’ЮТЕРНИХ ТЕХНОЛОГІЙ, АВТОМАТИКИ ТА МЕТРОЛОГІЇ КАФЕДРА”ЗАХИСТ ІНФОРМАЦІЇ” Звіт до лабораторної роботи № 1 з курсу: "Електроніка та мікросхемотехніка" на тему: “ ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ” МЕТА Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних включень: спільним емітером(СЕ), спільним колектором(СК), спільною базою(СБ). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення по напрузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів. Хід роботи Синтизувати схему підсилювального каскаду(СБ) , за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати p-n-p транзистор марки 2Т360А1, батарею V1=12В, джерело напруги V2, яке генерує синусоїдальний сигнал з амплітудою 0.01В і частотою 50Гц. Провести аналіз перехідних процесів: залежність амплітуди вхідного(v(6)) і вихідного(v(5)) сигналів див. рис.6а. По отриманих значеннях амплітуди розрахувати Ku. Зняти амплітудно-частотні та фазо-частотні характеристики підсилювального каскаду для включення з спільною базою. Визначити коефіцієнт підсилення по напрузі та смугу пропускання підсилювального каскаду(СБ) на основі отриманих АЧХ. Дослідити вплив пасивних елементів - С1, С2, Rn підсилювального каскаду (див. рис.6а) на АЧХ та смугу пропускання. Повторити пункти 1-5 для підсилювальних каскадів з СЕта СК Схема зі спільною базою Аналіз перехідних процесів АЧХ З покроковою зміною Rn З покроковою зміною C1 З покроковою зміною C2 Схема зі спільним емітером Аналіз перехідних процесів АЧХ З покроковою зміною Rn З покроковою зміною C1 З покроковою зміною C2 Схема зі спільним колектором(емітерний повторювач) Аналіз перехідних процесів АЧХ З покроковою зміною Rn З покроковою зміною C1 З покроковою зміною C2 ВИСНОВОК Я ознойомився з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних включень: спільним емітером(СЕ), спільним колектором(СК), спільною базою(СБ). З графіків очевидно, що схеми з СЕ і СК(емітер ний повторювач) дають краще підсилення за напругою (Ku) ніж схема з СБ. Також видно, що схема з СК має більший спектр робочих частот ніж схема з СЕ.

Звіт до лабораторної роботи Електроніка та мікросхемотехніка

Допоможи студентському архіву