Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
ЗВІТ
до лабораторної роботи № 1
з курсу “Електроніка та мікросхемотехніка”
ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВ НА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ
Львів 2008
Мета роботи – ознайомитись з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних включень: спільним емітером (СЕ), спільним колектором (СК), спільною базою (СБ). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення по на прузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів.
Підсилювальний каскад (СБ).
Аналіз вхідних і вихідних характеристик.
Амплітудно-частотна характеристика.
Підсилювальний каскад (СЕ).
Аналіз вхідних і вихідних характеристик.
Амплітудно-частотна характеристика.
Підсилювальний каскад (СК).
Аналіз вхідних і вихідних характеристик.
Амплітудно-частотна характеристика.
Висновки: