DevioLab CRYPTO TRADING AUTOMATION
LIVE
AUTOMATED CRYPTO TRADING • BINANCE
Автоматизуйте свій криптопортфель
Торгові боти DevioLab аналізують крипторинок, автоматично відкривають і закривають позиції та керують вашим портфелем на Binance 24/7.
CRYPTO 80 Bots
BINANCE Spot Trading
TRADING 24 / 7
Спробувати DevioLab
deviolab.com

Звіт до лабораторної роботи № 5

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано

Інформація про роботу

Рік:
2013
Тип роботи:
Звіт до лабораторної роботи
Предмет:
Електроніка та мікросхемотехніка

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»  МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ Звіт до лабораторної роботи № 5 з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка” Львів – 2009 Мета роботи: Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити hb-параметри транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.1., за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерелела постійної напруги Е1=10В і Е2=1В, транзистора n-p-n типу 2Т315А . Зняти вхідну ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const. Розрахувати hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. 1. Схеми. Синтезована схема зображена на рис. 1. Рисунок 1 – Схема включення транзистора зі спільною базою. 2. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу 2Т315А. Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const 3. Розрахунок hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. Вхідний опір транзистора при   Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при   Коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при   Вихідна провідність транзистора в схемі з спільною базою при   Висновок: в даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, змодельовані вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено h-параметри транзистора у схемі зі спільною базою.
Антиботан аватар за замовчуванням

28.01.2013 17:49

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Нічого не вибрано
0%

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!