Розрахункова робота№1. Розрахункова робота з Електроніка та мікросхемотехніка. Робота № 519195

Розрахункова робота№1

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2013

Тип роботи:

Розрахункова робота

Предмет:

Електроніка та мікросхемотехніка

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти та науки України Національний університет “Львівська політехніка” Розрахункова робота№1 з навчальної дисципліни "Електроніка та мікросхемотехніка" Варіант:1, 1, 37 Львів 20111. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення в схемі зі спільним емітером 1.1. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером за постійним струмом Завдання:1 Таблиця 1 № вар. PН (Вт) RН (кОм) Uвих.m (В) МН (дб) fН (Гц) fВ (кГц) RГ (кОм) TОС (оС) 37 - 4 12 3,5 80 40 2 + 5 ( + 55 Рис.1. Схема транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні: ; Задаємося значенням струму колектора транзистора в режимі спокою: ; Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора транзистора . Знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора: де – напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає ,отже приймаємо, що , а . Задаємося спадом напруги на емітерному резисторі і записуємо вираз для значення напруги живлення підсилювального каскаду: Звідси отримуємо формулу для напруги живлення підсилювального каскаду: ; (значення напруги живлення приймаємо виходячи з нормалізованого ряду: 5В, 6В, 9В, 10В, 12В, 15В, 18В, 20В, 24В, 27В, 30В, 36В, 40 В, 50В, 60В, …, 100В). Розраховуємо значення емітерного резистора: ; (так, як номінальні значення розрахованих резисторів, переважно, вибираємо згідно з нормалізованого ряду Е24 з допуском ). Розраховуємо значення колекторного резистора: ; Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою: , (так, як ми обрали кремнієвий транзистор КТ-503, то ). Задаємося струмом базового подільника напруги і розраховуємо значення опорів резисторів і : , , , ( - значення відповідних параметрів кремнієвого транзистора КТ-503 при мінімальній температурі оточуючого середовища). Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги: Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності: ; Розраховуємо значення приросту некерованого струму колектора при зміні температури в заданому діапазоні . Для кремнієвих транзисторів: , де – значення некерованого струму колектора транзистора при певній температурі Т0 (переважно ця температура складає 20о С або 25оС). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні: ; де – температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 (мВ/ oC). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на : , де – температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC). Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації: ; Реальний приріст колекторного струму в режимі спокою при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів для заданої схеми термостабілізації: ; Цей приріст струму не повинен перевищувати допустимого значення, що дозволяє забезпечити необхідний діапазон вихідної напруги і струму каскаду на навантажені при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером за змінним струмом Визначаємо дифузійний опір емітерного переходу транзистора для змінного струму: де – температурний потенціал (при Тос=20оС ). Дифузійний опір бази : Визначаємо загальний опір бази транзистора: , де – об’ємний опір бази. Визначаємо вхідний опір каскаду для змінного струму в схемі з спільним емітером: Еквівалентний опір навантаження каскаду для змінного струму: ; Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за напругою: де Rг – опір джерела вхідного сигналу. Визначаємо еквівалентний вхідний опір каскаду з врахуванням впливу базового подільника напруги: Визначаємо коефіцієнт підсилення каскаду за струмом,попередньо обчисливши: – опір колекторного переходу транзистора для схеми з спільним емітером, , , Визначаємо вихідний опір каскаду для змінного струму: . Значення ємностей розділювальних конденсаторів визначаємо з умови забезпечення необхідного рівня частотних спотворень на низьких частотах. Сумарний рівень частотних спотворень на низьких частотах Мн, які вносяться підсилювальним каскадом буде складати: , де – коефіцієнт частотних спотворень, які вносяться ємністю конденсатора С1. – коефіцієнт частотних спотворень, які вносяться ємністю конденсатора С2. – коефіцієнт частотних спотворень, які вносяться ємністю конденсатора Се . Отже коефіцієнти частотних спотворень, які вносяться ємностями конденсаторів розподілимо наступним чином: , , . Обчислимо ємність конденсаторів, попередньо обчисливши: – еквівалентний опір зовнішнього кола на вході підсилювального каскаду; – вихідний опір какаду для схеми з спільним колектором; де fн – нижня частота робочого діапазону частот. Висновок: під час виконання даної розрахункової роботи я визначав параметри електричних компонентів принципової схеми, які забезпечать її ефективну оптимізацію в подальшому. Таким чином, електричний розрахунок дає початкові значення параметрів радіоелектронних пристроїв, які на наступних етапах проектування будуть уточнені. Під час розрахунку були визначені параметри всіх активних і пасивних елементів, а також вибрані їх типи при значеннях вихідних параметрів, які гарантують працездатність електронної апаратури в реальних умовах її експлуатації. Список літератури Схемотехніка електронних систем: У3 кн.1 Аналогова схемотехніка та імпульсні пристрої. Підручник / В.І. Бойко, А.М. Гуржій, В.Я. Жуйков та ін. – 2-ге вид., допов. і переробл. – К.: Вища школа, 2004. ( 366с. Електроніка та мікросхемотехніка / В.І. Сенько, М.В. Панасенко, Є.В. Сенько та ін. ( К.: Обереги.2000. – Т1. ( 299с. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2005. — 528 с. Додик С.Д. Полупроводниковые стабилизаторы постоянного напряжения и тока. ( М.: Советское радио, 1980. Китаев В.Е.,Бокуряев А.А. Расчет источников электропитания устройств сязи. ( М.: Связь, 1979. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. Киев: Вища школа, 1983. Цыкина А.В. Электронные усилители. ( М.: Радио и связь, 1982. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот. Под ред. Н.Л. Безладнова. ( М.: Связь, 1978. Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств: Учебное пособие для вузов по специальности “Автоматика и управление в технических системах.” ( М.: Высш. школа, 1989. Проектирование усилительных устройств. Под ред. Н.В. Терпугова. ( М.: Высшая школа, 1982. Воейков Д.Д. Конструирование низкочастотных генераторов. ( М.: Энергия, 1964. Бондаренко В.Г. RC-генераторы синусоидальных колебаний на транзисторах. ( М.: Связь, 1976. Герасимов С.М. Расчет полупроводниковых усилителей и генераторов. ( Киев: Вища школа, 1961. Вавилов А.А., Солодовников А.И., Шнайдер В.В. Низкочастотные измерительные генераторы. ( Л.: Энергоатомиздат,

Розрахункова робота Електроніка та мікросхемотехніка

sergiwez

30.01.2013 20:00

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись