Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська політехніка” Кафедра «Захисту інформації» Звіт Про виконання лабораторної роботи №1 На тему: «ДОСЛІДЖЕННЯ ПІДСИЛЮВАЛЬНИХ КАСКАДІВНА БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ» Львів-2008 Мета роботи: Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах для різних включень: спільним емітером (СЕ), спільним колектором (СК), спільною базою (СБ). Отримати амплітудно-частотні характеристики, визначити коефіцієнти підсилення по напрузі і смугу пропускання підсилювальних каскадів для різного включення транзистора. Виявити вплив зміни параметрів пасивних елементів на коефіцієнт підсилення та смугу пропускання підсилювальних каскадів.
Рис.1. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільною базою
Рис.2. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільним емітером
Рис.3. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільним колектором Коротка характеристика елементів, що входять до кожної зі схем: Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільною базою (рис.1) містить у собі такі елементи: V1 – батарея 12В, V2 – джерело напруги, яке генерує синусоїдальний сигнал з амплітудою 0,01В і частотою 50Гц, R1=27кОм, R2=3,6кОм, R3=7,5кОм, Rn=5,1кОм, C1=5,1мкФ, C2=4,7мкФ, C3=33мкФ, Q1 – p-n-p транзистор марки 2T360A1. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільним емітером (рис.2) містить у собі такі елементи:V1 – батарея 12В, V2 – джерело напруги, яке генерує синусоїдальний сигнал з амплітудою 0,01В і частотою 50Гц, R1=30кОм, R2=10кОм, Rе=1,5кОм, Rк=4,7кОм, Rn=5,1кОм, C1=4,7мкФ, C2=4,7мкФ, Cе=15мкФ, Q1 – p-n-p транзистор марки 2T360A1. Схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі зі спільним колектором (рис.3)містить у собі такі елементи:V1 – джерело напруги, яке генерує синусоїдальний сигнал з амплітудою 0,01В і частотою 50Гц, V2 – батарея 12В, R1=30кОм, R2=7,5кОм, Rе=1,3кОм, Rn=1кОм, C1=6,8мкФ, C2=47мкФ, Q1 – p-n-p транзистор марки 2T360A1.
Рис.1 .Графік залежності вхідного і вихідного сигналів транзисторного каскаду із СБ
Рис.2 .Графік залежності вхідного і вихідного сигналів транзисторного каскаду із СЕ
Рис.3 .Графік залежності вхідного і вихідного сигналів транзисторного каскаду із СК
Рис.4 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СБ при зміні Rn
Рис.5 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СБ при зміні C1
Рис.6 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СБ при зміні C2
Рис.7 . Фазочастотна характеристика транзисторного каскаду із СБ
Рис. 8. Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СБ
Рис.9 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СЕ при зміні Rn
Рис.10 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СЕ при зміні C1
Рис. 11. Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СЕ при зміні C2
Рис.12 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СЕ
Рис.13 . Фазочастотна характеристика транзисторного каскаду із СЕ
Рис.14 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СК при зміні Rn
Рис.15 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СК при зміні C1
Рис.16 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СК при зміні C2
Рис.17 . Фазочастотна характеристика транзисторного каскаду із СК
Рис.18 . Амплітудно-частотна характеристика транзисторного каскаду із СК Висновок: