Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
КН
Кафедра:
Кафедра фізики
Інформація про роботу
Рік:
2005
Тип роботи:
Звіт про виконання лабораторної роботи
Предмет:
Інші
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
Національний університет „ Львівська політехніка “
Кафедра фізики
ЗВІТ
Про виконання лабораторної роботи №30
Визначенн ширини забороненої зони напівпровідників
за температурним ходом провідності
Мета роботи – визначити ширину забороненої зони напівпровідників за температурним ходом провідності.
Прилади і обладнання: досліджуваний напівпровідниковий опір (резистор); мілівольтметр; міст постійного струму; автотрансформатор.
Теоретичні відомості:
Кристалічні матеріали характеризуються різною величиною питомої провідності.
Речовини з провідністю (=(107-106) Ом-1 м-1 прийнято називати металами або провідниками. До ізоляторів або діелектриків відносяться речовини з провідністю (=(10-8-10-16) Ом-1 м-1. речовини, провідність яких має значення, проміжні між провідністю металів і провідністю діелектриків, називаються напівпровідниками. Їхня питома провідність знаходиться в межах від 10-8 Ом-1 м-1 до 106 Ом-1 м-1, тобто маже змінюватися в 1014 разів.
Отже, наведена класифікація речовин за абсолютної величині їх питомої провідності не передає специфічних особливостей їх провідності. Для порівняння спів ставимо температурну залежність провідності металів і напівпровідників.
Для всіх металів з ростом температури опір зростає по дійному закону:
де R(t) – опір при температурі t 0C; R0 – опір металу при t=0 0C; ( - температурний коефіцієнт опору металів.
Для напівпровідників з ростом температури опір зменшується. Залежність опору провідника від його абсолютної температури T,K:
де R0 та B – деякі сталі величини в заданому інтервалі температур, характерні для кожної напівпровідникової речовини.
Утворення кристалічної решітки твердого тіла відбувається зближенням атомів на деяку визначену відстань, яка називається періодом решітки.
Існує три зони переходу електронів. Найвища, повністю заповнена валентними електронами зона називається валентною. На деякий відстані від верху валентної зони існує незаповнена зона, відокремлена від валентної зони забороненою зоною . Якщо електронові, який знаходиться у валентній зоні надати певну енергію, не меншу ширини забороненої зони , то він перейде у верхню незаповнену зону, яка має велику кількість вільних рівнів. У цій зоні електрон має змогу змінювати енергію під дією сил електронного поля, тобто він стає в цій енергетичній зоні вільним носієм заряду. Така зона називається зоною провідності. Заборонена зона – це зона в який не може перебувати електрон, цю зону він перескакує і переходить у незаповнену зону.
Власним називається провідник, який не містить домішок та інших порушень періодичного поля кристалічної решітки.
Вираз для визначення ширини забороненої зони:
де - провідність напівпровідника при температурі; - провідність напівпровідника при температурі ; k – стала Больцмана.
k =1,380662*10-23 Дж/К
Провідність зразка:
U, mv
0
0.4
0.8
1.6
2
2.6
3
3.6
R, Ом
3000
2520
1860
1140
810
370
220
100
T, 0C
20
24
32
42
48
55
63
71
T, 0K
293
297
305
315
321
328
336
344
Висновок: на цій лабораторній роботі я визначав ширину забороненої зони напівпровідників за температурним ходом провідності.
09.02.2013 01:02-
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора