Зняття характеристики і визначення параметрів транзистора в схемі з спільною базою. Лабораторна робота з Інші. Робота № 520095

Перехід до торгівельного партнера Binance

Зняття характеристики і визначення параметрів транзистора в схемі з спільною базою

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

КН

Кафедра:

Кафедра автоматики та телемеханіки

Інформація про роботу

Рік:

2013

Тип роботи:

Лабораторна робота

Предмет:

Інші

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

Міністерство освіти і науки України ІКТАМ при Національному університеті "Львівська політехніка" Кафедра : автоматики та телемеханіки Лабораторна робота 5 Зняття характеристики і визначення параметрів транзистора в схемі з спільною базою Львів 2007 Мета роботи: зняття вхідної і вихідної характеристик транзистора в схемі з спільною базою і визначення його h – параметрів за статичними характеристиками Теоретичні відомості: Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, оскільки їх робота основана на використанні носіїв заряду обох знаків. Транзистор може прачювати в трьох режимах в залежності від полярності напруги на його переходах. В активному режимі на емітерному переході напруга пряма, а на колекторному зворотня. В режимі відключки, або запирання , на обидва переходи подається напруга. Якщо на обох переходах напруга пряма, то транзистор працює в режимі насичення. Різновидністю активного режиму є інверсне включення транзистора, коли емітерний перехід зміщен Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. а) б) а) б) Рух електронів і дірокв транзисторах з повідністю n-p-n і p-n-p типу Струм бази – це явище небажане і навіть у багатьох випадках шкідливе. Переважно він складає незначну частину струму емітера.коли до емітера напруга не прикладена, то можна вважати, що через цей перехід струм не проходить. Схема дослідження Гранично – допустимі електричні параметри деяких типів транзисторів Тип транзистора Максимально допустимий струм колектора Максимально допустима напруга між колектором і емітером Максимально допустима напруга між колектором і базою Максимально допустима зворотня напруга між емітером і базою МП40 МП41 П202 П403 ГТ109А ГТ403А ГТ701А 20 20 2000 19 20 1250 12000 15 15 55 10 6 30 55 15 15 45 10 15 45 55 15 15 *5 1 - 20 15 ЗНЯТТЯ СТАТИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА Ік=f(Uбе) при Uкб=соnst Транзистор типу _________ Uкб=…….,В U’кб=…….,В U’’кб=…….,В Uеб,В Іе,мА Uеб,В Іе,мА Uеб,В Іе,мА Зняття вихідних статичних характеристик транзистора Ік=f(Uкб) при Іе=соnst Транзистор типу___________ Іе=……..,мА І’е=……..,мА І’’е=……..,мА І’’’е=……..,мА Uкб,В Ік,мА Uкб,В Ік,мА Uкб,В Ік,мА Uкб,В Ік,мА Висновок: на цій лаболаторній роботі я навчився знімати вхідну і вихідну характеристику транзистора в схемі з спільною базою і визначення його h – параметрів за статичними характеристиками

Лабораторна робота Інші

qwerty

12.02.2013 21:16

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись