Міністерство освіти і науки України
ІКТАМ
при Національному університеті "Львівська політехніка"
Кафедра : автоматики та телемеханіки
Лабораторна робота 5
Зняття характеристики і визначення параметрів транзистора в схемі з спільною базою
Львів 2007
Мета роботи: зняття вхідної і вихідної характеристик транзистора в схемі з спільною базою і визначення його h – параметрів за статичними характеристиками
Теоретичні відомості:
Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, оскільки їх робота основана на використанні носіїв заряду обох знаків.
Транзистор може прачювати в трьох режимах в залежності від полярності напруги на його переходах. В активному режимі на емітерному переході напруга пряма, а на колекторному зворотня. В режимі відключки, або запирання , на обидва переходи подається напруга. Якщо на обох переходах напруга пряма, то транзистор працює в режимі насичення. Різновидністю активного режиму є інверсне включення транзистора, коли емітерний перехід зміщен
Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором.
а) б)
а) б)
Рух електронів і дірокв транзисторах з повідністю n-p-n і p-n-p типу
Струм бази – це явище небажане і навіть у багатьох випадках шкідливе. Переважно він складає незначну частину струму емітера.коли до емітера напруга не прикладена, то можна вважати, що через цей перехід струм не проходить.
Схема дослідження
Гранично – допустимі електричні параметри деяких типів транзисторів
Тип транзистора
Максимально допустимий струм колектора
Максимально допустима напруга між колектором і емітером
Максимально допустима напруга між колектором і базою
Максимально допустима зворотня напруга між емітером і базою
МП40
МП41
П202
П403
ГТ109А
ГТ403А
ГТ701А
20
20
2000
19
20
1250
12000
15
15
55
10
6
30
55
15
15
45
10
15
45
55
15
15
*5
1
-
20
15
ЗНЯТТЯ СТАТИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА
Ік=f(Uбе) при Uкб=соnst
Транзистор типу _________
Uкб=…….,В
U’кб=…….,В
U’’кб=…….,В
Uеб,В
Іе,мА
Uеб,В
Іе,мА
Uеб,В
Іе,мА
Зняття вихідних статичних характеристик транзистора
Ік=f(Uкб) при Іе=соnst
Транзистор типу___________
Іе=……..,мА
І’е=……..,мА
І’’е=……..,мА
І’’’е=……..,мА
Uкб,В
Ік,мА
Uкб,В
Ік,мА
Uкб,В
Ік,мА
Uкб,В
Ік,мА
Висновок: на цій лаболаторній роботі я навчився знімати вхідну і вихідну характеристику транзистора в схемі з спільною базою і визначення його h – параметрів за статичними характеристиками