МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА . Звіт до лабораторної роботи з Захист інформації. Робота № 521724

Перехід до торгівельного партнера Binance

МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

ІКТА

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2012

Тип роботи:

Звіт до лабораторної роботи

Предмет:

Захист інформації

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра ЗІ З В І Т До лабораторної роботи №6 з курсу: „ Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації, ч.1” на тему: „ МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА ” Львів – 2012 Мета роботи - ознайомитися з особливостями роботи польового транзистора, промоделювати стокові та стоково-затворні характеристики, визначити параметри польового транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.1.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=20В і Е2=4В. Зняти вхідну ВАХ IС=f(UЗВ) якщо UСВ=const, вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора J1- 2N3972. Визначити вихідний диференціальний опір, напругу відсікання та крутизну характеристики транзистора включеного у схему рис.1.а). Синтезувати схему, рис.1.б,), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=15В і Е2=5В. Зняти вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора M1- IRF024. Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів. / / а) б) Рисунок 4 - Схеми дослідження різних видів польових транзисторів: а) включення транзистора з керувальним р-n–переходом і каналом n-типу зі спільним витоком, б) включення транзистора з ізольованим затвором та індукованим каналом п-типу зі спільним витоком. 1. Дослідження характеристик транзистора 2N3972. Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IС=f(UЗВ), якщо UСВ=const Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IС=f(UСВ), якщо UЗВ =const 2. Розрахунок параметрів транзистора 2N3972. Диференціальний опір: Крутизна характеристики: Напруга відсіку: 3. Дослідження характеристик транзистора IRF024. Рисунок 4 - Вихідна ВАХ IС=f(UСВ), якщо UЗВ =const 4. Порівняння вихідних характеристик для різних типів транзисторів. Висновок Як бачимо вихідні характеристики даних транзисторів на перший погляд однакові, спочатку струм стоку стрімко та майже лінійно збільшується, потім, при досягненні певної напруги стік-витік струм залишається майже сталим до досягнення такого значення при якому настає пробій. Різниця полягає у тому, що для польового транзистора з керувальним p-n переходом при зменшенні напруги затвор-стік буде збільшуватися струм стоку, а в польовому транзисторі з індукованим каналом струм стоку буде збільшуватися при збільшенні даної напруги.

Звіт до лабораторної роботи Захист інформації

NIOON

21.03.2013 18:03-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись