Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Інструкція до лабораторної роботи № 4
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Управління інформацією
Кафедра:
Не вказано
Інформація про роботу
Рік:
2011
Тип роботи:
Інструкція до лабораторної роботи
Предмет:
Схемотехніка
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ
Інструкція до лабораторної роботи № 4
з навчальної дисципліни: “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації”, ч.1
для студентів базових напрямків
6.170102 “Системи технічного захисту інформації”,
6.170103 “Управління інформаційною безпекою”
Затверджено
на засіданні кафедри
(Захист інформації(
Протокол № від 2011 р.
Львів – 2011
Моделювання характеристик і визначення параметрів транзистора в схемі зі спільним емітером: Інструкція до лабораторної роботи №4 з дисципліни: “Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації”, ч.1 / Укл.: Кеньо Г.В. ( Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2011. ( 20 с.
Укладач Кеньо Г.В., к. т. н., доц.
Відповідальний за випуск Дудикевич В.Б., д.т. н., проф.
Рецензенти:
МЕТА РОБОТИ
Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора.
ТЕОРЕТИЧНИЙ ВСТУП
Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, оскільки їх робота основана на використанні носіїв заряду обох знаків. Структура і умовне позначення біполярного транзистора зображені на рис.1. Транзистор побудований на основі напівпровідникової монокристалічної пластини, в якій створені три області з різною електропровідністю. Для прикладу на рис.1.а зображений транзистор з електропровідністю типу n–p–n, середня область якого має діркову p, а дві крайні – електронну n електропровідність. Широко застосовуються також транзистори з електропровідністю типу p–n–p, в яких діркову p електропровідність мають дві крайні області, а середня область має електронну n електропровідність.
Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. Таким чином транзистор має два n –p переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. Віддаль між цими переходами повинна бути дуже малою (одиниці мікрометра), окрім цього концентрація домішок в базі завжди на декілька порядків менша ніж в емітері і колекторі.
У залежності від полярності напруги, яка прикладається до його переходів, транзистор може працювати в трьох режимах В активному режимі на емітерному переході напруга пряма, а на колекторному – зворотна. В режимі відсічки, або закривання, на обидва переходи подається зворотна напруга. Якщо на обох переходах напруга пряма, то транзистор працює в режимі насичення. Різновидністю активного режиму є інверсне ввімкнення транзистора, коли емітерний перехід зміщений у зворотному, а колекторний у прямому напрямках. Активний режим є основним і використовується в підсилювачах і генераторах.
Роботу біполярного транзистора розглянемо на прикладі n р n-транзистора, у режимі без навантаження, коли увімкнені тільки джерела постійного живлення, напругою Е1 і Е2 (рис.2).
а б
Рис.2. Рух електронів і дірок у транзисторах з електропровідністю
типу n-p-n ( а ) і p-n-p ( б )
Полярність джерел живлення така, що на емітерному переході напруга пряма, а на колекторному зворотна. Опір емітерного переходу малий, і для отримання струму в цьому переході достатньо напруги E1 в десяті частки вольта. Опір колекторного переходу великий, і напруга Е2 зазвичай складає одиниці або десятки вольтів. З рис.2 видно, що напруга між електродами транзистора пов’язана простою залежністю
UKЕ = UKБ + UБЕ. (1)
При роботі транзистора в активному режимі зазвичай UБЕ << UKБ, тому
UKЕ ( UKБ. (2)
Вольт-амперна характеристика емітерного переходу являє собою характеристику напівпровідникового р-n-переходу за прямого зміщення. А вольт-амперна характеристика колекторного переходу подібна до характеристики діода за зворотної напруги.
Принцип роботи транзистора полягає в тому, що пряма напруга емітерного переходу, тобто ділянки база емітер (UБЕ), істотно впливає на струми емітера і колектора: чим більша ця напруга, тим більший струми емітера і колектора. При цьому зміна струму колектора лише трохи менша за зміну струму емітера. Таким чином, напруга UБЕ, тобто вхідна напруга, керує струмом колектора. Підсилення електричних коливань за допомогою транзистора ґрунтується саме на цьому явищі.
Фізичні процеси у транзисторі відбуваються таким чином. При збільшенні прямої вхідної напруги UБЕ знижується потенціальний бар’єр на емітерному переході, і відповідно зростає струм ІЕ через цей перехід. Електрони інжектуються з емітера в базу і, завдяки дифузії, проникають через базу до колекторного переходу. Оскільки колекторний перехід працює за зворотної напруги, то в цьому переході виникають об’ємні заряди, які показані на рисунку кружками із знаками “+” і “–”, між якими виникає електричне поле. Воно сприяє просуванню (екстракції) через колекторний перехід електронів, що прийшли сюди з емітера, тобто втягує електрони в область колекторного переходу.
Якщо товщина бази достатньо мала і концентрація дірок в ній невелика, то більшість електронів, пройшовши через базу, не встигає рекомбінувати з дірками бази і досягає колекторного переходу. Лише невелика частина електронів рекомбінує в базі з дірками. Внаслідок рекомбінації виникає струм бази. Дійсно, у рівноважному режимі кількість дірок у базі повинна бути незмінною. Внаслідок рекомбінації кожну секунду певна кількість дірок зникає, але стільки ж нових дірок виникає за рахунок того, що з бази йде в напрямі до плюса джерела Е1 така ж кількість електронів. Інакше кажучи, у базі не може нагромаджуватися багато електронів. Якщо деяка кількість інжектованих у базу з емітера електронів не доходить до колектора, а залишається в базі, рекомбінуючи з дірками, то така ж сама кількість електронів повинна вийти з бази у вигляді струму IБ. Оскільки струм колектора виходить меншим за струм емітера, то, згідно з першим законом Кірхгофа, завжди існує таке співвідношення між струмами у транзисторі:
IЕ = IK + IБ. (3)
Струм бази є небажаним і навіть шкідливим явищем. Бажано, щоб він був якомога меншим. Зазвичай ІБ складає малу частку (відсотки) струму емітера, тобто IБ<<IЕ, а тому струм колектора лише трохи менший за струм емітера, і можна вважати, що ІK( IЕ. Саме для того, щоб струм IБ був якомога меншим, базу роблять дуже тонкою і зменшують у ній концентрацію домішок, яка визначає концентрацію дірок. Тоді менша кількість електронів буде рекомбінувати в базі з дірками.
Якби база мала значну товщину і концентрація дірок у ній була велика, то значна частина електронів емітерного струму, дифундуючи через базу, рекомбінувала б з дірками і не дійшла б до колекторного переходу. Струм колектора майже не збільшувався б за рахунок електронів емітера, а спостерігалося б лише збільшення струму бази.
Коли до емітерного переходу напруга не прикладена, то практично можна вважати, що в цьому переході немає струму. У цьому випадку область колекторного переходу має великий опір постійному струму, оскільки основні носії зарядів віддаляються від цього переходу, і по обидві сторони від межі створюються області, збіднені цими носіями. Через колекторний перехід протікає лише дуже невеликий зворотний струм, викликаний переміщенням назустріч один одному неосновних носіїв, тобто електронів з р-області і дірок з n-області.
Але якщо під дією вхідної напруги виник значний струм емітера, то в область бази зі сторони емітера інжектуються електрони, які для даної області є неосновними носіями. Не встигаючи рекомбінувати з дірками при дифузії через базу, вони доходять до колекторного переходу. Чим більший струм емітера, тим більше електронів приходить до колекторного переходу, тим меншим стає його опір і, відповідно, збільшується струм колектора. Інакше кажучи, зі збільшенням струму емітера в базі зростає концентрація неосновних носіїв, які інжектуються з емітера, а чим більше цих носіїв, тим більший струм колекторного переходу, тобто струм колектора.
За прийнятою термінологією, емітером називається область транзистора, призначенням якої є інжекція носіїв заряду в базу. Колектором називається область, призначенням якої є екстракція носіїв заряду з бази. А базою є область, в яку емітер інжектує неосновні для цієї області носії заряду.
Потрібно зазначити, що емітер і колектор можна поміняти місцями (так званий інверсний режим). Але в транзисторах, як правило, колекторний перехід виготовляють зі значно більшою площею, ніж емітерний, оскільки потужність, що розсіюється на колекторному переході, набагато більша, ніж потужність, яка розсіюється на емітерному переході. Тому, якщо використати емітер як колектор, то транзистор буде працювати, але його можна застосовувати тільки за значно меншої потужності, що є недоцільним. Якщо площі переходів зроблені однаковими (транзистори в цьому випадку називають симетричними), то будь-яка з крайніх областей може з однаковим успіхом працювати як емітер або колектор.
Оскільки в транзисторі струм емітера завжди рівний сумі струмів колектора і бази, то приріст струму емітера також завжди дорівнює сумі приростів колекторного і базового струму:
. (4)
Важливою властивістю транзистора є приблизно лінійна залежність між його струмами, тобто всі три струми транзистора змінюються майже пропорційно один одному.
Подібні процеси відбуваються в транзисторі типу р-n-р, але в ньому міняються ролями електрони і дірки, а також змінюється полярність напруг і напрямки струмів (рис.2,б). У транзисторі типу р-n-р з емітера в базу відбувається інжекція не електронів, а дірок, які є для бази неосновними носіями. Зі збільшенням струму емітера більше таких дірок проникає через базу до колекторному переходу. Це спричиняє зменшення його опору і зростання струму колектора.
Роботу транзистора можна наочно подати за допомогою енергетичної зонної діаграми, яка наведена на рис.3 для транзистора з електропровідністю типу n-р-n.
Рис.3. Енергетична зонна діаграма n-p-n транзистора
В емітерному переході є невеликий енергетичний бар’єр. Чим більша напруга UБЕ, тим нижчий цей бар’єр. Зміщений у зворотному напрямку колекторний перехід має значну різницю потенціалів, і електричне поле, створене нею витягує електрони з базової області в колекторну, створюючи колекторний струм.
Повний струм колектора транзистора складає
, (5) де ( – коефіцієнт передачі струму емітера, значення якого переважно складає (0,95 ( 0,99);
– тепловий (некерований) зворотний струм колектора.
Підставляючи значення іе з (3) в (5) отримуємо
. (6)
Розв’язавши це рівняння відносно ік, отримуємо
(7)
і (8) де ( – коефіцієнт передачі струму бази;
ікн ( початковий наскрізний струм, який протікає через весь транзистор, коли іб=0.
З врахуванням прийнятих позначень отримуємо остаточний вираз для ік
(9)
Коефіцієнт ( , так само як і ( відноситься до важливих параметрів транзистора. Якщо відомий ( , то ( можна визначити за формулою
(10)
При значному підвищенні напруги на колекторі струм ікн різко зростає і відбувається електричний пробій. Необхідно знати, що при роз’єднанні кола бази в транзисторі може відбуватися лавиноподібне збільшення струму колектора, що приводить до його перегріву і виходу транзистора з ладу. Тому при експлуатації транзисторів заборонено роз’єднувати коло бази при ввімкненному колекторному живленні.
До власних параметрів транзистора, які характеризують властивості транзистора незалежно від схеми його ввімкнення, відносять:
при Uк = const ( диференціальний коефіцієнт передачі емітерного струму;
при Uк=const ( диференціальний опір емітерного переходу , де (Т ( температурний потенціал, який залежить від температури і при температурі оточуючого середовища Тос=20оС складає (Т =25 мВ;
при Ie = const ( диференціальний опір колекторного переходу, для малопотужних транзисторів rк ( 1 МОм;
при Ie = const ( коефіцієнт внутрішнього зворотного зв’язку за напругою, який характеризує вплив Uк на Uе у зв’язку з явищем модуляції товщини бази, ;
rб ( об’ємний опір бази, який залежить від конфігурації бази (її активної і пасивної частин) і матеріалу, переважно rб ( (100 ( 200) Ом;
( ємність (бар’єрна) колекторного переходу;
ік0 ( тепловий (некерований) струм колектора.
Для малопотужних транзисторів у залежності від матеріалу, на основі якого він виготовлений, напруга між базою і емітером складає (0,3 ( 0,7) В; при цьому в колі бази проходить струм у декілька десятків мікроампер. Напруга, що прикладається між емітером і колектором, може становити (5 ( 30) В; при цьому струм колектора може досягнути декількох десятків міліампер.
Рис.4. Схеми увімкнення біполярного n-p-n транзистора зі спільним емітером
У схемі зі спільним емітером (рис.4.) джерело вхідного сигналу Uвх також увімкнене між базою та емітером послідовно з джерелом живлення Е1, а джерело живлення колектора Е2 ввімкнене між колектором та емітером. Таким чином, емітер є спільним електродом для вхідного та вихідного кіл.
Основною особливістю схеми зі спільним емітером є те, що вхідним струмом у ній є не струм емітера, а малий за величиною струм бази Івх= IБ. Вихідним струмом у цій схемі є також струм колектора IK. Отже, коефіцієнт передачі для схеми зі СЕ
. (11)
Таким чином, у схемі зі спільним емітером можна отримати підсилення за струмом порядку декількох десятків.
Вхідний опір транзистора у схемі зі СЕ
, (12)
і є значно більшим (сотні Ом – одиниці кОм), ніж у схемі зі СБ, оскільки IБ<<IЕ.
Перевагою цієї схеми є можливість живлення від одного джерела напруги, оскільки на базу і на колектор подають напругу живлення одного знаку.
Статичні характеристики транзистора відображають залежність між струмами і напругами на його вході та виході, знятими за постійного струму і відсутності навантаження у вихідному колі.
Однією сім’єю характеристик цю залежність показати не можна. Тому необхідно користуватись двома видами сімей статичних характеристик транзистора.
Для схеми зі спільним емітером статичною вхідною характеристикою є графік залежності струму бази IБ від напруги UБЕ за постійного значення UKЕ.
IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const. (13)
Вихідні характеристики транзистора для схеми зі СЕ являють собою залежність струму колектора IK від напруги між колектором та емітером UKЕ за постійного струму бази ІБ.
IK=f(UKЕ) якщо IБ=const. (14)
Типові вхідні та вихідні статичні характеристики транзистора для схеми зі СЕ подані на рис.5.
Вхідні характеристики подібні до звичайних характеристик для прямого струму р-n-переходу. З рис.5,а видно, що зі зростанням напруги UKЕ струм ІБ зменшується. Це пояснюється тим, що зі збільшенням UKЕ зростає напруга, яка прикладається до колекторного переходу у зворотному напрямку, зменшується ймовірність рекомбінації носіїв заряду в базі, оскільки майже всі носії швидко втягуються в колектор.
Вихідні характеристики (рис.5,б) зазвичай наводяться за різних сталих значень струму бази.
а б
Рис.5. Статичні характеристики транзистора для схеми зі спільним емітером: вхідні (а), вихідні (б)
Перша характеристика, за IБ=0, виходить з початку координат і дуже нагадує звичайну характеристику для зворотного струму напівпровідникового діода. Умова IБ=0 відповідає розімкненому колу бази. При цьому через весь транзистор від емітера до колектора проходить відомий нам наскрізний струм IKЕ0.
Якщо IБ > 0, то вихідна характеристика розташована вище, ніж якщо IБ = 0, і тим вище, чим більший струм IБ. Завдяки лінійній залежності між струмами пологі ділянки сусідніх вихідних характеристик розташовані приблизно на однакових відстанях одна від одної. Однак, у деяких транзисторах ця лінійність дещо порушується.
Вихідні характеристики показують, що при збільшенні UKЕ від нуля до невеликих значень (десяті частки вольта) струм колектора різко зростає, а при подальшому збільшенні UKЕ характеристики йдуть з невеликим підйомом, що означає порівняно малий вплив напруги UKЕ на струм колектора.
При ввімкненні транзистора в схемі з спільним емітером підсилювальний каскад забезпечує підсилення за струмом і за напругою, а коефіцієнт підсилення за потужністю має максимальне значення. Вихідна напруга знаходиться у протифазі з вхідною, отже, між вихідною і вхідною напругами існує фазовий зсув, який складає . Вхідний опір транзистора при такому ввімкненні транзистора є відносно низький і знаходиться в межах від сотень Ом до одиниць кілоом. До недоліків такої схеми ввімкнення відносять гірші частотні властивості і низьку температурну стабільність у порівнянні з схемою ввімкнення з спільною базою.
Складений транзистор являє собою поєднання двох або декількох активних і пасивних елементів, з’єднаних таким чином, що утворюється активний триполюсник з новими параметрами і характеристиками.
Використовуючи відомі схеми увімкнення транзисторів можна отримати різні складені транзистори, однак великий коефіцієнт передачі струму забезпечується спеціальним з’єднанням декількох транзисторів за так званою схемою Дарлінгтона.
Складений транзистор (рис.6,а) складається з транзисторів VT1 і VT2. Перший з них, менш потужний, вмикається за схемою зі СК, а його навантаженням є коло бази другого транзистора. Резистори R1 та R2 монтуються в єдиному корпусі із транзисторами, і вирівнюють розподіл напруги вхідного сигналу між входами транзисторів VT1 та VT2.
а б в
Рис.6. Складений транзистор: схема вмикання (а); умовне графічне позначення (б); вхідна характеристика (в)
Транзистори VT1 і VT2 сформовані на одному кремнієвому кристалі, функціонують як один потужний транзистор з великим коефіцієнтом передачі струму (750(10 000), що дорівнює добутку коефіцієнтів передачі струму обох транзисторів ((((1((2). Умовне графічне позначення складеного транзистора за схемою Дарлінгтона подано на рис.6,б.
Вхідна характеристика складеного транзистора зображена на рис.6.,в. Струм у колі бази VT1 (вхідний струм) передусім визначається шунтувальними резисторами R1 та R2, тому обидві ділянки характеристики лінійні. Злам характеристики відбувається, коли вмикається перший транзистор, при цьому його відкритий перехід база – емітер шунтує резистор R1, і вхідний опір істотно зменшується.
Вихідні характеристики складеного транзистора за малих значень колекторного струму визначаються першим транзистором, оскільки у цьому режимі напруга база – емітер VT2 ще не досягає значення, необхідного для його вмикання.
За достатньо високого рівня вхідного інформаційного сигналу відбувається підсилення струму другим транзистором, результуючий коефіцієнт передачі струму значно збільшується. Особливістю вихідних характеристик складених транзисторів є їх суттєва нелінійність.
Потужні складені транзистори ефективно використовують у підсилювачах низької частоти, стабілізованих вторинних джерелах живлення, імпульсних підсилювачах, ключових схемах. Їх граничні режими визначають так само, як і звичайних біполярних транзисторів.
ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ
Синтезувати схему, рис.7.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти вхідну ВАХ IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKЕ) якщо IБ=const. Для транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613.
Визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опір транзистора включеного у схему зі спільним емітером рис.7.а).
Синтезувати схему, рис.7.б), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ IK(Q1)+IК(Q2)=f(E1) якщо IБ1=const для транзисторів n-p-n типу Q1,2- 2N1613.
Синтезувати схему, рис.7.в), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ -I(Е1)=f(E1) якщо IБ1=const для транзисторів n-p-n типу Q1- 2N1613 і p-n-p типу Q2-2N1132.
Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів. Порівняти вихідні струми транзисторів.
а) б)
в)
Рис.7. Схеми дослідження різних видів транзисторів: а) включення зі спільним емітером, б) складений транзистор, в) комплементарний транзистор.
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ
Транзистори можна вибирати таким способом - вибрати у рядку інструментів Компоненты рис.8., відриється вікно у якому вибирають елементи, наприклад p-n-p транзистор, і розміщають у будь-якому місці робочого вікна.
Вибрати джерело живлення можна, наприклад, таким шляхом – зайти в Компоненты і вибрати Analog Primitives. Після того як відкриється вікно вибрати джерела живлення різного призначення, наприклад Waveform Sources. В цьому розділі вибираємо джерело живлення необхідне для реалізації схеми, наприклад використовуємо джерела типу ISource і Voltage Source див рис.9,10.
Рис.8. Вікно вибору Компоненты .
Рис.9. Вибір параметрів джерела струму.
Рис.10. Вибір параметрів джерела постійної напруги.
Для побудови ВАХ вибираємо в основному меню Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току і встановлює опції і параметри . Для побудови вхідної характеристики транзистора, включеного у схему рис.7.а), IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const необхідно встановити параметри див.рис. 12. Вихідну характеристику IK=f(UKЕ) якщо IБ=const можна отримати подібним способом див.рис.13.
Користуючись сімейством вихідних характеристик транзистора (див. рис.11.а), можна визначити значення коефіцієнта підсилення за струмом. Припустимо, що транзистор працює при напрузі між колектором і емітером Uке=5 В, а струм бази складає Іб=40 мкА. Цьому режиму в сімействі вихідних характеристик транзистора відповідає точка А. Взявши прирости (Іб=40 мкА і (Ік =1 мА між точками В і С при сталій напрузі Uке=5 В, визначаємо
Визначення необхідно проводити для напруги Uке,, яка становить
приблизно 50% від максимального значення цієї напруги для даного типу транзистора.
Рис.12. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови вхідної характеристики.
Вхідний опір транзистора Rвх можна знайти з вхідних характеристик (див. рис.11.б). Точка А відповідає тому ж режиму, що і на вихідній характеристиці. За приростами (Іб = 30 мкА і (Uбе = 60 мВ між точками В і С при сталій напрузі Uке =5 В, знаходимо
Ом.
Рис.13. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови вихідної характеристики.
Отримати ВАХ для складеного і комплементарного транзисторів можна використовуючи опцію Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току див.рис. 14 і рис.15.
Рис.14. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови ВАХ складеного транзистора.
Рис.15. Вікно аналіз/передаточные характ. по постоянному току, для побудови ВАХ комплементарного транзистора.
Використавши з панелі інструментів можемо отримаємати значення напруги у будь-якій точці графіка , в даному випадку напруга = 1.4В.
Звіт повинен містити:
Точну назву і мету роботи.
Схему для зняття характеристик транзистора з коротким описом параметрів елементів, що входять у цю схему.
Вхідні статичні характеристики Іб=f (Uбе) при Uке=const.
Вихідні статичні характеристики Ік=f (Uке) при Іб=const.
Розрахунок коефіцієнта підсилення за струмом ( і вхідного опору транзистора Rвх.
Короткі висновки по роботі.
Контрольні запитання та завдання
Вкажіть на основні особливості схеми ввімкнення транзистора в схемі з спільним емітером.
Яку залежність відображає вхідна характеристика транзистopa в схемі з спільним емітером?
Яку залежність відображає вихідна характеристика транзистора в схемі з спільним емітером?
Поясніть процес підсилення за струмом при ввімкненні транзистора в схемі з спільним емітером.
Чим пояснити збільшення вхідного опору транзистора при ввімкненні його в схемі з спільним емітером?
Як впливає значення напруги між колектором і емітером на положення вхідної статичної характеристики транзистора?
Як впливає значення струму бази на положення вихідної статичної характеристики транзистора?
Наведіть співвідношення між коефіцієнтами підсилення за струмом у схемі з спільним емітером та з спільною базою.
Як визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опір транзистора за статичними характеристиками?
Розкажіть про використання транзистора в схемі з спільним емітером.
Назвіть власні параметри транзистора.
21.03.2013 18:03-
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора