Подякувати Студентському архіву довільною сумою
Admin
26.02.2023 12:38
Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!
Проектування на фізичному рівні
Інформація про навчальний заклад
ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
ІКТА
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Кафедра ЕОМ
Інформація про роботу
Рік:
2004
Тип роботи:
Лабораторна робота
Предмет:
Проектуванння периферійних комп’ютерних мікросистем
Група:
СКС-52
Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
Міністерство освіти і науки України
НУ „Львівська політехніка”
ІКТА
Кафедра ЕОМ
Лабораторна робота №3
з курсу „Проектуванння периферійних комп’ютерних мікросистем”
на тему:
„Проектування на фізичному рівні”
Мета роботи. Створення готової топології кристалу.
Виконання.
Проектування на фізичному рівні 8-розрядного перемножувача
Hа цьому етапі за допомогою автоматизованого компанувальника SCR створюю відтрасова ний шар елементів на підкладинці кристалу (core.vst --> core.ap). Далі за допомогою трасувальника зовнішніх зв’язків RING пов’язую відтрасований шар елементів із зовнішніми корпусними контактними майданчиками і отримую файл з готовою топологією кристалу (core.ap+multiplier.vst --> multiplier.ap).
# ###---------------------------------------------------------###
# place and route the circuit's core #
# ###---------------------------------------------------------###
MBK_IN_LO=vst ;\
MBK_IN_PH=ap ;\
MBK_OUT_PH=ap ;\
MBK_CATA_LIB=$TOP/cells/scr:$TOP/cells/ring ;\
export MBK_IN_LO MBK_IN_PH MBK_OUT_PH MBK_CATA_LIB ;\
scr -p -r core [5]
core.vst --> core.ap
aвтоматичне трасування (routing)
автоматичне компанування (placement)
Повідомлення системи при виконанні програми SCR показано на рис.1.
Для трасувальника зовнішніх зв’язків RING можна створити допоміжний файл multiplier.rin, в якому вказується товщина провідників живлення та розміщення контактів по сторонам підкладинки кристалу:
width (vdd 20 vss 20) товщина провідників живлення
west (p0 p1 p2 p3 p4) контакти по правій стороні
north (p5 p6 p7 p8 p9) контакти по верхній стороні
east (p10 p11 p12 p13) контакти по лівій стороні
south (p15 p16 p18 p19 p17) контакти по нижній стороні
Рис. 4.1. Повідомлення системи при виконанні програми SCR
# ###------------------------------------------------------------------###
# place and route the circuit (core and pads) #
# this can be done only if the extracted netlist is correct #
# ###------------------------------------------------------------------###
MBK_IN_LO=vst ;\
MBK_IN_PH=ap ;\
MBK_OUT_PH=ap ;\
MBK_CATA_LIB=$TOP/cells/scr:$TOP/cells/ring ;\
export MBK_IN_PH MBK_OUT_PH MBK_IN_LO MBK_CATA_LIB ;\
ring multiplier multiplier [6]
multiplier.rin
core.ap + multiplier.vst --> multiplier.ap
Повідомлення системи при виконанні програми RING показано на рис.2.
Рис..2. Повідомлення системи при виконанні програми RING
Висновок.
На лабораторній роботі я виконала третій етап розробки кристалу паралельно-послідовного перемножувача – симуляцію на фізичному рівні, для чого створила готову топологія кристалу. Спочатку на основі функціонального VHDL-опису кристалу та структурного VHDL-опису безпосередньо схеми кристалу core, автоматизований компанувальник та трасувальник SCR створив відтрасований шар елементів на підкладинці кристалу.
Далі, маючи структурний опис зовнішніх корпусних контактних майданчиків pads, за допомогою трасувальника зовнішніх зв’язків RING отримала файл з готовою топологією кристалу.
Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!
0%
Оголошення від адміністратора