МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ ТА ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ . Звіт про виконання лабораторної роботи з Захист інформації. Робота № 523045

Перехід до торгівельного партнера Binance

МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ ТА ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2011

Тип роботи:

Звіт про виконання лабораторної роботи

Предмет:

Захист інформації

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / Звіт про виконання лабораторної роботи №4,5 з курсу: „ Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації, ч.1” на тему: „ МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ ТА ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ ” Львів – 2011 Мета роботи: Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.1.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти вхідну ВАХ IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKЕ) якщо IБ=const. Для транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613. Визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опір транзистора включеного у схему зі спільним емітером рис.7.а). Синтезувати схему, рис.7.б), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ IK(Q1)+IК(Q2)=f(E1) якщо IБ1=const для транзисторів n-p-n типу Q1,2- 2N1613. Синтезувати схему, рис.7.в), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ -I(Е1)=f(E1) якщо IБ1=const для транзисторів n-p-n типу Q1- 2N1613 і p-n-p типу Q2-2N1132. Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів. Порівняти вихідні струми транзисторів. а) б) в) Рисунок 1 - Схеми дослідження різних видів транзисторів: а) включення зі спільним емітером б) складений транзистор в) комплементарний транзистор. Синтезувати схему, рис.1Г., за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерелела постійної напруги Е1=10В і Е2=1В, транзистора n-p-n типу 2Т315А . Зняти вхідну ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const. Розрахувати hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. / Рис.1Г. Схеми дослідження транзистора, включеного у схему зі спільною базою. 1. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613. Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const Рисунок 2 - Вихідна ВАХ IK=f(UKЕ) якщо IБ=const 2. Визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опіру 3. Вихідна ВАХ складеного транзистора. Рисунок 3 - Вихідна ВАХ складеного транзистора 4. Вихідна ВАХ комплементарного транзистора. Рисунок 4 - Вихідна ВАХ комплементарного транзистора 5. Порівняння вихідних характеристик для різних типів транзисторів. Та їх вихідних струмів. Можна побачити, що при однаковому вхідному струмові дані схеми по різному підсилюють його і відповідно вони матимуть різні вихідні струми на виході при подаванні на їх вхід одного й того ж вхідного. Як видно схема зі складеним транзистором має кофіціент підсилення за струмом понад 12 разів більший за схему з простим транзистором, а схема з комплементарним транзистором майже у 19 разів. Також видно у схемі з простим транзистором напруга, що призводить до різкого зростання струму колектора дуже невелика і практично однакова при різних струмах бази, у схемі зі складеним транзистором дана напруга збільшується, але є теж близькою при різних струмах бази, у комплементарного транзистора вона збільшується і є різною при різних струмах бази. 6. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу 2Т315А. Рисунок 5 - Вхідна ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const Рисунок 6 - Вихідна ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const 7. Розрахунок hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. Вхідний опір транзистора при Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при Коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при Вихідна провідність транзистора в схемі з спільною базою при Висновок: В даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювано вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, проведено порівняння характеристик різних транзисторів. Також було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, змодельовані вхідні та вихідні статичні характеристики,визначено hb-параметри транзистора у схемі зі спільною базою.

Звіт про виконання лабораторної роботи Захист інформації

NIOON

31.03.2013 18:03-

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Маєш корисні навчальні матеріали, які припадають пилом на твоєму комп'ютері? Розрахункові, лабораторні, практичні чи контрольні роботи — завантажуй їх прямо зараз і одразу отримуй бали на свій рахунок! Заархівуй всі файли в один .zip (до 100 МБ) або завантажуй кожен файл окремо. Внесок у спільноту – це легкий спосіб допомогти іншим та отримати додаткові можливості на сайті. Твої старі роботи можуть приносити тобі нові нагороди!

поділитись