МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ . Звіт про виконання лабораторної роботи з Захист інформації. Робота № 523046

Перехід до торгівельного партнера Binance

МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:

Національний університет Львівська політехніка

Інститут:

Не вказано

Факультет:

Не вказано

Кафедра:

Не вказано

Інформація про роботу

Рік:

2013

Тип роботи:

Звіт про виконання лабораторної роботи

Предмет:

Захист інформації

Завантажити

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / Звіт про виконання лабораторної роботи №4 з курсу: „ Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації, ч.1” на тему: „ МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНИМ ЕМІТЕРОМ ” Львів – 2012 Мета роботи: Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.1.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти вхідну ВАХ IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKЕ) якщо IБ=const. Для транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613. Визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опір транзистора включеного у схему зі спільним емітером рис.7.а). Синтезувати схему, рис.7.б), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ IK(Q1)+IК(Q2)=f(E1) якщо IБ1=const для транзисторів n-p-n типу Q1,2- 2N1613. Синтезувати схему, рис.7.в), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=10мА і джерело постійної напруги Е1=15В. Зняти ВАХ -I(Е1)=f(E1) якщо IБ1=const для транзисторів n-p-n типу Q1- 2N1613 і p-n-p типу Q2-2N1132. Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів. Порівняти вихідні струми транзисторів. а) б) в) Рисунок 1 - Схеми дослідження різних видів транзисторів: а) включення зі спільним емітером б) складений транзистор в) комплементарний транзистор. 1. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу Q1- 2N1613. / Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IБ=f(UБЕ) якщо UKЕ =const / Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IK=f(UKЕ) якщо IБ=const 2. Визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опіру 3. Вихідна ВАХ складеного транзистора. / Рисунок 4 - Вихідна ВАХ складеного транзистора 4. Вихідна ВАХ комплементарного транзистора. / Рисунок 5 - Вихідна ВАХ комплементарного транзистора Висновок: В даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювано вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, проведено порівняння характеристик різних транзисторів.

Звіт про виконання лабораторної роботи Захист інформації

NIOON

31.03.2013 18:15

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

поділитись