Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
/
Звіт про виконання
лабораторної роботи №5
з курсу:
„ Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації, ч.1”
на тему:
„ МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ”
Мета роботи:
Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора.
Порядок виконання роботи:
Синтезувати схему, рис.6., за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерелела постійної напруги Е1=10В і Е2=1В, транзистора n-p-n типу 2Т315А .
Зняти вхідну ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const.
Розрахувати hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою.
/
.
1. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу 2Т315А.
Рисунок 1 - Вхідна ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const
Рисунок 2 - Вихідна ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const
2. Розрахунок hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою.
Вхідний опір транзистора при
Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при
Коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при
Вихідна провідність транзистора в схемі з спільною базою при
Висновок:
В даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, промоделювано вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, проведено порівняння характеристик різних транзисторів.