МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Не вказано
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Не вказано

Інформація про роботу

Рік:
2013
Тип роботи:
Звіт про виконання лабораторної роботи
Предмет:
Захист інформації

Частина тексту файла (без зображень, графіків і формул):

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / Звіт про виконання лабораторної роботи №5 з курсу: „ Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації, ч.1” на тему: „ МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА В СХЕМІ ЗІ СПІЛЬНОЮ БАЗОЮ” Мета роботи: Ознайомитися з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільним емітером, промоделювати вхідні та вихідні статичні характеристики, визначити коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, порівняти характеристики транзистора і складеного транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.6., за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерелела постійної напруги Е1=10В і Е2=1В, транзистора n-p-n типу 2Т315А . Зняти вхідну ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const, вихідну ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const. Розрахувати hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. / . 1. Вхідна та вихідна ВАХ для транзистора n-p-n типу 2Т315А. Рисунок 1 - Вхідна ВАХ IЕ=f(UБЕ) якщо UKБ =const Рисунок 2 - Вихідна ВАХ IK=f(UKБ) якщо IЕ=const 2. Розрахунок hб-параметрів транзистора включеного у схему зі спільною базою. Вхідний опір транзистора при   Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою транзистора в схемі з спільною базою при   Коефіцієнт підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при   Вихідна провідність транзистора в схемі з спільною базою при   Висновок: В даній лабораторній роботі було проведено ознайомлення з особливостями роботи транзистора в схемі зі спільною базою, промоделювано вхідні та вихідні статичні характеристики, визначено коефіцієнт підсилення за струмом і вхідний опор, проведено порівняння характеристик різних транзисторів.
Антиботан аватар за замовчуванням

31.03.2013 18:16

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Ділись своїми роботами та отримуй миттєві бонуси!

Нічого не вибрано
0%

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

Подякувати Студентському архіву довільною сумою

Admin

26.02.2023 12:38

Дякуємо, що користуєтесь нашим архівом!