МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» / Звіт про виконання лабораторної роботи №3 з курсу: „ Схемотехніка пристроїв технічного захисту інфориації, ч.1” на тему: „ ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ P-N ПЕРЕХОДІВ ” МЕТА РОБОТИ Ознайомитися з основними параметрами і характеристиками напівпровідникових діодів і дослідити їх вольт-амперні характеристики. ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ Синтезувати схему, рис.1, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА і джерело постійної напруги Е1=10В. Зняти вольт-амперну характеристику діода D1- 1N4001 . Рисунок 1. Схема ввімкнення діода для дослідження ВАХ. / Рисунок 2. Пряма ділянка ВАХ діода D1- 1N4001. / Рисунок 3. Зворотна ділянка ВАХ діода D1- 1N4001. / Рисунок 4.Температурна залежність на прямій ділянці ВАХ діода D1- 1N4001. Синтезувати схему, рис.3, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА і джерело постійної напруги Е1=10В. Зняти вольт-амперну характеристику транзистора Q1 – BC107A в діодному включенні. Рисунок 5. Схема діодного ввімкнення транзистора для дослідження ВАХ. / Рисунок 6. Пряма ділянка ВАХ транзистора Q1 – BC107A. / Рисунок 7. Зворотна ділянка ВАХ транзистора Q1 – BC107A. Моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело струму J1=1мА. Зняти вольт-амперну характеристику стабіліторна D1 – 10BQ015_IR. Рисунок 8. Схема ввімкнення стабілітрона для дослідження ВАХ. / Рисунок 9. ВАХ стабілітрона. Синтезувати схему, рис.7, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело сінусоїдальної напруги Е1 з частотою f=50Гц та амплітудою А=31.4 . Зняти часові характеристики діода D1 – 1N4009 : V(1)=f(T), V(2)=f(T), I(R1)=f(T). Використовуючи часові характеристики пояснити випрямляючі властивості діода. Рисунок 10. Схема ввімкнення діода для дослідження часових характеристик. / Рисунок 11. Часові характеристики діода D1 – 1N4009. Синтезувати схему, рис.9, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3) . Зняти вольт-амперну характеристику тиристора VS1. За допомогою ВАХ визначити напругу включення та струм утримання тиристора. Рисунок 12. Схема діодного включення тиристора для дослідження ВАХ . / Рисунок 13. ВАХ тиристора при діодному включенні. Синтезувати схему, рис.9, за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерело постійного струму J1(VALUE=PULSE 15000m -150m 0.7 1 2 3), а також J2=250мА . Зняти часові характеристики тиристора: V(1)=f(T), V(2)=f(T). Зняти вольт-амперну характеристику тиристора VS1. Рисунок 14. Схема включення тиристора керованого катодом для дослідження, часових характеристик та ВАХ . / Рисунок 15. Часові характеристики та ВАХ тиристора керованого катодом. Використовуючи файл diac1.cir з системи Micro-Cap8(MC8), рис.11, отримати схему включення симістра. Зняти вольт-амперну характеристику симістора. Рисунок 16. Схема включення симістора для дослідження ВАХ . Рисунок 17. ВАХ симістора. Висновок: Діод у колі електричного струму поводить себе, як нелінійний елемент, що видно з його ВАХ, при ввімкненні в коло синусоїдного струму діод проявлятиме випрямляючі властивості і обрізатиме нижню половину сінусоїди, що викликається особливостями роботи діода та прямим включенням, оскільки при зворотньому він буде закритий,, транзистор у діодному включенні проявляє тіж самі властивості, що і діод, з допомогою ВАХ тиристора переконалися, що він може працювати в таикх режимах: перший стан характеризується малим струмом, що протікає через прилад, і великим спаданням напруги на ньому, а другий відповідає малому спаданню напруги на приладі і великому струмі, що проходить через нього.